公开(公告)号：KR101795304B1

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：KR1020160123316

申请日：2016-09-26

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 곽영제 ,  김도환 ,  권준선

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  G03F7/038

CPC classification number: H01L51/0094 ,  G03F7/0382 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541

Abstract: 탑게이트트랜지스터는바텀게이트트랜지스터비해여러가지장점이있음에도불구하고용액공정으로소자를제작하는것이쉽지않다. 본발명에서는이러한문제점을해결하고자무용매공정과동시에직접패턴까지가능한 top-gate 트랜지스터용유전체를설계하였다. 고분자의주쇄는Si-O-Si를가짐으로써분자량을조절하여점도있는액체상의고분자를얻을수 있고, 이는다른유기용매의사용없이고분자만으로도스핀코팅이가능하게하였다. 또한, 각각vinyl과thiol group을포함하여광에의해경화가되는물질을설계하였다. 광에의해경화가되는시스템을이용하여일반적으로사용되는 photolithography 공정을진행하였고, rectangle와 line and space 패턴을통하여negative resist로써의가능성을확인했다. Solvent-free process는고분자유기반도체인 rr-P3HT와 DPP-DTT, 저분자유기반도체인 pentacene을이용하여top-gate 트랜지스터에성공적으로적용이가능했다. 제작한트랜지스터는전달특성을통하여안정적으로구동하는것을확인했다. 더다양한응용분에적용을기대하고자유연한 top-gate OFETs을제작하였고, 그성능을확인함으로써안정적인소자구동을보여주었다.