公开(公告)号：KR1020110103814A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：KR1020100023060

申请日：2010-03-15

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 김환중 ,  심우석 ,  박창근

IPC: H01L21/335

Abstract: 본 발명은 집적 회로 상의 정전기 방지 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 집적 회로 상의 본딩 패드용 정전기 방지 소자를 구성하고 있는 MOSFET의 finger와 finger 사이에 Body-bias를 인가 할 수 있는 P+층 혹은 N+층 형성하여, 정전기 발생시 MOSFET을 구성하는 모든 finger가 동시에 turn-on 되도록 하여 MOSFET의 면적을 증가 시키지 않고도 보다 높은 정전기 내성을 가지는 이점이 있다. 본 발명에 의한 정전기 방지 소자를 구성하고 있는 모든 핑거의 소스에 바디 컨택을 위한 P+ 영역이 삽입 되어있다.
본 발명에 따라서 ggNMOS의 경우 모든 핑거가 바디-컨택 영역까지의 거리가 동일하게 형성 된다. 이에 정전기 발생시 각 핑거의 Body bias는 모두 동일하게 형성되며, 결과적으로 각 핑거에 해당하는 기생 BJT의 턴-온 시점이 동일하게 형성된다. 따라서 본 발명에 의한 ggNMOS는 정전기 발생 시 모든 핑거가 턴-온 되어 종래 기술에 의한 ggNMOS에 비하여 높은 정전기 내성을 가진다.

Abstract translation: 另外，本发明的集成电路涉及抗静电装置上，更具体地说，涉及在接合垫在手指和构成装置的MOSFET的手指之间的体偏置抗静电集成电路可以应用到P +层或为N +层 因此，在产生静电的同时，构成MOSFET的所有指状物都被导通，因此具有在不增加MOSFET的面积的情况下耐静电性高的优点。 根据本发明，在构成防静电元件的所有手指的源中插入用于身体接触的P +区域。

公开(公告)号：KR101326387B1

公开(公告)日：2013-11-11

申请号：KR1020120058552

申请日：2012-05-31

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 서철헌 ,  심우석 ,  이종민

IPC: H01P7/08 ,  H01P3/00

CPC classification number: H01P7/08 ,  H01P1/20372 ,  H01P3/08

Abstract: The present invention relates to a metamaterial resonator. The metamaterial resonator includes a resonator part which is formed on the upper surface of a dielectric substrate with a ground surface on the bottom and has a lattice structure. The resonator part comprises a first horizontal bar; a second horizontal bar which is arranged in parallel to the first horizontal bar at the lower side of the first horizontal bar; a first vertical bar which connects one ends of the first horizontal bar and the second horizontal bar in the longitudinal direction; a third horizontal bar which is arranged in parallel between the first horizontal bar and the second horizontal bar; a fourth horizontal bar which is arranged in parallel at the lower side of the second horizontal bar; a second vertical bar which connects the other ends of the third horizontal bar and the fourth horizontal part in the longitudinal direction; a third vertical bar which connects the center parts of the second horizontal part and the fourth horizontal bar; a fifth horizontal bar which is arranged in parallel at the lower side of the fourth horizontal bar; a fourth vertical bar which connects one ends of the fourth horizontal bar and the fifth horizontal bar in the longitudinal direction; a sixth horizontal bar which is arranged in parallel between the fourth horizontal bar and the fifth horizontal bar; a seventh horizontal bar which is arranged in parallel at the lower side of the fifth horizontal bar; and a fifth vertical bar which connects the other ends of the sixth horizontal bar and the seventh horizontal bar. The metamaterial resonator is provided to obtain the characteristics of a high Q value in a resonant frequency by applying a metamaterial lattice structure. Furthermore, the metamaterial resonator can obtain the resonant characteristics of a higher Q value by connecting an active device to the metamaterial resonator.

Abstract translation: 本发明涉及一种超材料谐振器。 超材料谐振器包括谐振器部分，其形成在电介质基板的上表面上，底表面具有晶格结构。 谐振器部分包括第一横条; 第二水平杆，其在第一水平杆的下侧平行于第一水平杆布置; 第一垂直杆，其连接所述第一水平杆的一端和所述第二水平杆的纵向方向; 第三水平杆，其平行布置在第一水平杆和第二水平杆之间; 第四水平杆，其在第二水平杆的下侧平行布置; 第二垂直杆，其连接第三水平杆的另一端和第四水平部分的纵向方向; 第三垂直杆，其连接第二水平部分的中心部分和第四水平杆; 在第四横杆的下侧平行设置的第五水平杆; 第四垂直杆，连接第四水平杆和第五水平杆的纵向方向的一端; 在第四水平杆和第五水平杆之间并排布置的第六水平杆; 在第五横杆的下侧平行设置的第七水平杆; 以及连接第六水平杆和第七水平杆的另一端的第五垂直杆。 提供超材料谐振器以通过应用超材料晶格结构来获得谐振频率中的高Q值的特性。 此外，通过将有源器件连接到超材料谐振器，超材料谐振器可以获得更高Q值的谐振特性。

公开(公告)号：KR101159426B1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020100023060

申请日：2010-03-15

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 김환중 ,  심우석 ,  박창근

IPC: H01L21/335

Abstract: 정전기 방지 구조를 가진 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor : MOSFET)가 개시된다. 본 발명에 따른 MOSFET는 집적 회로 상의 본딩 패드용 정전기 방지 소자를 구성하고 있는 MOSFET의 핑거(finger)와 핑거 사이에 바디 바이어스(Body-bias)를 인가할 수 있는 P+층 또는 N+층 형성하여, 정전기 발생시 MOSFET을 구성하는 모든 핑거가 동시에 턴 온(turn-on)되도록 하여 MOSFET의 면적을 증가시키지 않고도 보다 높은 정전기 내성을 가지는 이점이 있다. 본 발명에 의한 정전기 방지 소자를 구성하고 있는 모든 핑거의 소스에 바디 컨택을 위한 P+ 영역이 삽입 되어있다. 본 발명에 따른 ggNMOSFET의 경우 모든 핑거가 바디-컨택 영역까지의 거리가 동일하게 형성된다. 이에 정전기 발생시 각 핑거의 바디 바이어스는 모두 동일하게 형성되며, 결과적으로 각 핑거에 해당하는 기생 BJT의 턴-온 시점이 동일하게 형성된다. 따라서 본 발명에 의한 ggNMOSFET는 정전기 발생 시 모든 핑거가 턴-온되어 종래 기술에 의한 ggNMOSFET에 비하여 높은 정전기 내성을 가진다.