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公开(公告)号:KR101712599B1
公开(公告)日:2017-03-06
申请号:KR1020100021030
申请日:2010-03-09
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본발명은본 발명은전압제어발진기에관한것으로, 보다구체적으로 CMOS 전압제어링 발진기에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른 CMOS 링전압제어발진기는, 입력단과출력단간에직렬로연결되고, 제 1 MOSFET와제 2 MOSFET의폭이소정의간격으로이격되어병렬로형성되는제어부; 제 1 바이어스전압이인가되는제 1 캐패시터; 및제 2 바이어스전압이인가되는제 2 캐패시터를포함한다.
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公开(公告)号:KR1020110101785A
公开(公告)日:2011-09-16
申请号:KR1020100021030
申请日:2010-03-09
Applicant: 숭실대학교산학협력단
CPC classification number: H03K3/0315 , H03K3/354 , H03K2005/00202 , H03L7/0995
Abstract: 본 발명은 본 발명은 전압 제어 발진기에 관한 것으로, 보다 구체적으로 CMOS 전압 제어 링 발진기에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 CMOS 링 전압 제어 발진기는, 입력단과 출력단간에 직렬로 연결되고, 제 1 MOSFET와 제 2 MOSFET의 폭이 소정의 간격으로 이격되어 병렬로 형성되는 제어부; 제 1 바이어스 전압이 인가되는 제 1 캐패시터; 및 제 2 바이어스 전압이 인가되는 제 2 캐패시터를 포함한다.
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