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公开(公告)号:KR101329061B1
公开(公告)日:2013-11-14
申请号:KR1020100025466
申请日:2010-03-22
Applicant: 한국전자통신연구원 , 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 이중 대역 전력 증폭기에 관한 것으로, 보다 구체적으로 전계 효과 트랜지스터의 출력단에 인터디지털 캐패시터를 이용한 전송 선로를 두어 이중 대역의 중심 주파수에 해당하는 고조파 성분을 조절하는 이중 대역 전력 증폭기에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 이중 대역 전력 증폭기는, 제 1 중심 주파수를 출력하는 제 1 정합 회로; 제 2 중심 주파수를 출력하는 제 2 정합 회로; 상기 제 1 정합 회로와 제 2 정합 회로를 정합하여 초기 정합 값을 생성하는 전계 효과 트랜지스터; 및 상기 전계 효과 트랜지스터의 출력단에 직렬로 연결되어, 상기 초기 정합 값을 이동시키는 인터디지털 전송 선로를 포함한다.-
公开(公告)号:KR1020110101785A
公开(公告)日:2011-09-16
申请号:KR1020100021030
申请日:2010-03-09
Applicant: 숭실대학교산학협력단
CPC classification number: H03K3/0315 , H03K3/354 , H03K2005/00202 , H03L7/0995
Abstract: 본 발명은 본 발명은 전압 제어 발진기에 관한 것으로, 보다 구체적으로 CMOS 전압 제어 링 발진기에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 CMOS 링 전압 제어 발진기는, 입력단과 출력단간에 직렬로 연결되고, 제 1 MOSFET와 제 2 MOSFET의 폭이 소정의 간격으로 이격되어 병렬로 형성되는 제어부; 제 1 바이어스 전압이 인가되는 제 1 캐패시터; 및 제 2 바이어스 전압이 인가되는 제 2 캐패시터를 포함한다.-
3.
公开(公告)号:KR1020110064676A
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:KR1020090121368
申请日:2009-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원 , 숭실대학교산학협력단
IPC: H01P9/04
CPC classification number: H03B5/1841 , H01P1/00 , H01P1/20381 , H01P3/08 , H01Q15/00
Abstract: PURPOSE: A low phase noise voltage-controlled oscillator using high-quality factor meta-material transmission line is provided to miniaturize a circuit by improving phase noise characteristics. CONSTITUTION: A ground side is etched to an engraved helix resonance structure. A signal side etches the transmission line of a inter-digital format. The helix resonance structure which is etched on the ground side connects two unit cells of a helix shape in parallel with each other.
Abstract translation: 目的:提供使用高品质因素超材料传输线的低相位噪声压控振荡器,通过提高相位噪声特性来小型化电路。 构成:将刻面的螺旋共振结构刻划在地面上。 信号端蚀刻数字间格式的传输线。 在地面上蚀刻的螺旋共振结构将螺旋形状的两个单位电池彼此平行地连接。
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4.
公开(公告)号:KR101278030B1
公开(公告)日:2013-06-21
申请号:KR1020090121368
申请日:2009-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원 , 숭실대학교산학협력단
IPC: H01P9/04
CPC classification number: H03B5/1841 , H01P1/00 , H01P1/20381 , H01P3/08 , H01Q15/00
Abstract: 본 발명은 전압제어 발진기에 관한 것으로, 음각의 나선형 공진구조로 식각된 접지면 및 인터디지털 형태의 전송선로가 식각된 신호면을 포함하는 메타전자파 구조 전송선로를 이용한 저위상 잡음 전압제어 발진기를 구현하여, 메타전자파 구조를 이용한 높은 Q특성을 갖는 공진기를 통하여 전압 제어 발진기의 위상 잡음 특성 개선과 회로의 소형화를 제공한다.
나선형 공진구조, 인터디지털, 저위상 전압제어 발진기-
公开(公告)号:KR1020110106194A
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:KR1020100025466
申请日:2010-03-22
Applicant: 한국전자통신연구원 , 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 이중 대역 전력 증폭기에 관한 것으로, 보다 구체적으로 전계 효과 트랜지스터의 출력단에 인터디지털 캐패시터를 이용한 전송 선로를 두어 이중 대역의 중심 주파수에 해당하는 고조파 성분을 조절하는 이중 대역 전력 증폭기에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 이중 대역 전력 증폭기는, 제 1 중심 주파수를 출력하는 제 1 정합 회로; 제 2 중심 주파수를 출력하는 제 2 정합 회로; 상기 제 1 정합 회로와 제 2 정합 회로를 정합하는 전계 효과 트랜지스터; 및 상기 전계 효과 트랜지스터의 출력단에 직렬로 연결되는 인터디지털 전송선로를 포함한다.-
公开(公告)号:KR101712599B1
公开(公告)日:2017-03-06
申请号:KR1020100021030
申请日:2010-03-09
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본발명은본 발명은전압제어발진기에관한것으로, 보다구체적으로 CMOS 전압제어링 발진기에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른 CMOS 링전압제어발진기는, 입력단과출력단간에직렬로연결되고, 제 1 MOSFET와제 2 MOSFET의폭이소정의간격으로이격되어병렬로형성되는제어부; 제 1 바이어스전압이인가되는제 1 캐패시터; 및제 2 바이어스전압이인가되는제 2 캐패시터를포함한다.
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