公开(公告)号：KR1020050014898A

公开(公告)日：2005-02-07

申请号：KR1020047021687

申请日：2003-06-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가타야마마코토 ,  가니에도모히코 ,  스가누마히로시 ,  니시무라마사유키

IPC: G02B26/02

CPC classification number: G02B6/3596 ,  G02B6/266 ,  G02B6/3514 ,  G02B6/3532 ,  G02B6/3546 ,  G02B6/3552 ,  G02B6/356 ,  G02B6/3584 ,  G02B6/3594

Abstract: 광가변 감쇄기(1)는 평면 도파로(2)를 갖고, 이 평면 도파로(2)에는 입력용 광로 A 및 출력용 광로 B를 형성하는 광도파로(3)가 설치되어 있다. 평면 도파로(2)의 상면에는 외팔보(6)가 설치되고, 외팔보(6)의 선단부에는 입력용 광로 A상을 지나는 광을 출력용 광로 B를 향하여 반사시키는 가동미러(8)가 고정되고, 또한 평면 도파로(2)의 상면에는 전극(9)이 설치되고, 외팔보(9)와 전극(9)은 전압원(11)을 통해 접속되어 있고, 이 전압원(11)에 의해 외팔보(6)와 전극(9) 사이에 전압을 인가함으로써, 양자간에 정전기력을 발생시켜서 외팔보(6)의 선단측 부분을 전극(9)측으로 휘어지게 하고, 이로써 가동미러(8)가 전극(9)측으로 이동하는 광가변 감쇄기를 제공한다.

公开(公告)号：KR100188795B1

公开(公告)日：1999-06-01

申请号：KR1019950035552

申请日：1995-10-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가니에도모히코 ,  가타야마마코토

IPC: G02B6/12

CPC classification number: G02B6/13

Abstract: 실리카 유리의 고굴절율화 방법은, 1.2Å 내지 7.0Å의 범위내의 파장을 가지는 X선(2)을 실리카 유리(1)의 소정의 조사 영역(1A)에 조사하고, 이 조사 영역(1A)내의 실리콘 원자의 K 각 전자를 X선(2)으로 여기함에 의하여 조사 영역(1A)내의 굴절율을 효율적으로 높이는 것을 특징으로 하고 있다.

公开(公告)号：KR1019960015002A

公开(公告)日：1996-05-22

申请号：KR1019950035552

申请日：1995-10-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가니에도모히코 ,  가타야마마코토

IPC: G02B6/12

Abstract: 실리카 유리의 고굴절율화 방법은, 1.2Å 내지 7.0Å의 범위내의 파장을 가지는 X선(2)을 실리카 유리(1)의 소정의 조사 영역(1A)에 조사하고, 이 조사 영역(1A)내의 실리콘 원자의 K각 전자를 X선(2)으로 여기함에 의하여 조사 영역(1A)내의 굴절율을 효율적으로 높이는 것을 특징으로 하고 있다.