公开(公告)号：KR1020020046961A

公开(公告)日：2002-06-21

申请号：KR1020010078234

申请日：2001-12-11

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구가이히로카즈 ,  오타노부히로

IPC: H01M4/48

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/04 ,  H01M4/0407 ,  H01M4/131 ,  H01M4/366 ,  H01M4/525 ,  H01M6/18 ,  H01M6/24 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0566 ,  H01M2004/027 ,  H01M2300/0068 ,  H01M2300/0088

Abstract: PURPOSE: To provide a method capable of manufacturing an inorganic solid electrolyte thin membrane with relatively high ion conductivity. CONSTITUTION: Thin membrane 2 formed of an inorganic solid electrolyte is formed on a heated base material 1 by vapor-phase growth method. This provides the thin membrane with higher ion conductivity than if a thin membrane is formed on an unheated base material. After the thin membrane formed of the inorganic solid electrolyte is formed on the base material 1 held at room temperature or below 40°C, the thin membrane 2 formed of the inorganic solid electrolyte is heated to increase its ion conductivity.

Abstract translation: 目的：提供能够制造离子电导率相对较高的无机固体电解质薄膜的方法。 构成：通过气相生长法在加热的基材1上形成由无机固体电解质形成的薄膜2。 这提供了薄膜比在未加热的基底材料上形成薄膜时具有更高的离子传导性。 在室温或低于40℃的基材1上形成由无机固体电解质形成的薄膜之后，加热由无机固体电解质形成的薄膜2以提高其离子传导性。

公开(公告)号：KR100748866B1

公开(公告)日：2007-08-13

申请号：KR1020010078234

申请日：2001-12-11

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구가이히로카즈 ,  오타노부히로

IPC: H01M4/48

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/04 ,  H01M4/0407 ,  H01M4/131 ,  H01M4/366 ,  H01M4/525 ,  H01M6/18 ,  H01M6/24 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0566 ,  H01M2004/027 ,  H01M2300/0068 ,  H01M2300/0088

Abstract: 본 발명은 이온 전도도가 비교적 높은 무기 고체 전해질 박막을 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 본 발명에서는, 무기 고체 전해질로 이루어진 박막(2)을 가열되어 있는 기재(1) 위에 기상 성장법으로 형성시킨다. 이에 따라, 가열하지 않은 기재 위에 형성된 박막보다 이온 전도도가 높은 박막이 수득된다. 또한, 무기 고체 전해질로 이루어진 박막(2)을 온도가 실온 또는 40℃ 미만인 기재(1) 위에 형성시킨 후, 무기 고체 전해질로 이루어진 박막(2)을 가열하여 이의 이온 전도도를 증가시킨다.
이온 전도도, 박막, 무기 전해질

公开(公告)号：KR1020010050950A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000059697

申请日：2000-10-11

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 구가이히로카즈 ,  마쓰이야스유키 ,  나가이시다쓰오키 ,  이토자키히데오

IPC: H01L39/22

CPC classification number: G01R33/0354 ,  H01L39/225

Abstract: PURPOSE: To provide an SQUID element having a step type Josephson junction which allows the cost down of elements and the use of a large-area substrate. CONSTITUTION: An oxide superconductor thin film pattern 20 is formed through a CeO2 buffer layer on a sapphire substrate 10 having a step 11 formed such that the step 11 traverses specified regions of a square thin film pattern 22 having an opening 23 at the center, and step type Josephson junction 26, 27 are formed at the regions where the step 11 traverses. Thus, an SQUID is obtained. The sapphire substrate is comparatively manufactured at a low cost and may develop a large substrate.

Abstract translation: 目的：提供具有阶梯型约瑟夫逊结的SQUID元件，其允许元件的成本降低和大面积基板的使用。 构成：通过具有台阶11的蓝宝石基板10上的CeO 2缓冲层形成氧化物超导体薄膜图案20，该步骤11形成为使得台阶11横穿中心具有开口23的方形薄膜图案22的指定区域，以及 阶梯型约瑟夫逊结26,27形成在台阶11横越的区域。 因此，获得SQUID。 蓝宝石基板以较低的成本进行比较制造，可能会形成大的基板。