公开(公告)号：KR101200182B1

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：KR1020060064633

申请日：2006-07-10

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나가하타세이지 ,  우에마츠고지 ,  나가하다히데아키

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/7813 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 프로세스로 기판 위에 제조된 소자 단위를 칩 분리할 때에 연마, 절단 등의 공정을 줄일 수 있고, 기판을 반복하여 사용할 수 있는 질화물 반도체 디바이스 제작 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
폐곡선을 이루는 결정 성장 속도가 느린 결함이 집합된 결함 집합 영역(H)과 결정 성장 속도가 빠른 저결함 영역(ZY) 위치가 미리 정해져 있는 질화물 반도체 결함 위치 제어 기판(S)을 이용하고, 저결함 영역(ZY)에 디바이스의 내부가 결함 집합 영역(H)에 경계선이 오도록 질화갈륨 기판 위에 질화물 반도체층(상층부(B))을 에피택셜 성장시키며, 레이저 조사 또는 기계적 수단으로 결함 위치 제어 기판(S)과 성장층(상층부(B))을 상하 방향 횡방향으로 동시 분리하고, 기판(S)은 반복하여 사용한다.

公开(公告)号：KR1020070025975A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020060064633

申请日：2006-07-10

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나가하타세이지 ,  우에마츠고지 ,  나가하다히데아키

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/7813 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

Abstract: A method for manufacturing a nitride semiconductor device and the nitride semiconductor device manufactured thereby are provided to simplify manufacturing processes, to obtain low defect density from a semiconductor layer and to reduce fabrication costs. An upper structure(B) is formed on a nitride semiconductor defect position controlling substrate(S) by stacking a plurality of nitride semiconductor layers with each other. The substrate includes a defect group region(H) and a low defect region(ZY) enclosed with the defect group region. The upper structure is separated from the substrate. The upper structure is divided into discrete chips.

Abstract translation: 提供了制造氮化物半导体器件的方法和由此制造的氮化物半导体器件，以简化制造工艺，从半导体层获得低缺陷密度并降低制造成本。 通过将多个氮化物半导体层彼此堆叠，在氮化物半导体缺陷位置控制基板（S）上形成上部结构（B）。 衬底包括缺陷组区域（H）和由缺陷组区域包围的低缺陷区域（ZY）。 上部结构与基板分离。 上部结构分为离散芯片。