公开(公告)号：KR101200182B1

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：KR1020060064633

申请日：2006-07-10

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나가하타세이지 ,  우에마츠고지 ,  나가하다히데아키

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/7813 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 프로세스로 기판 위에 제조된 소자 단위를 칩 분리할 때에 연마, 절단 등의 공정을 줄일 수 있고, 기판을 반복하여 사용할 수 있는 질화물 반도체 디바이스 제작 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
폐곡선을 이루는 결정 성장 속도가 느린 결함이 집합된 결함 집합 영역(H)과 결정 성장 속도가 빠른 저결함 영역(ZY) 위치가 미리 정해져 있는 질화물 반도체 결함 위치 제어 기판(S)을 이용하고, 저결함 영역(ZY)에 디바이스의 내부가 결함 집합 영역(H)에 경계선이 오도록 질화갈륨 기판 위에 질화물 반도체층(상층부(B))을 에피택셜 성장시키며, 레이저 조사 또는 기계적 수단으로 결함 위치 제어 기판(S)과 성장층(상층부(B))을 상하 방향 횡방향으로 동시 분리하고, 기판(S)은 반복하여 사용한다.

公开(公告)号：KR101119579B1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：KR1020050035072

申请日：2005-04-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에마츠고지 ,  우에노마사키 ,  히로타류 ,  나카하타히데아키 ,  오쿠이마나부

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 반도체발광소자(1)는 n형클래드층(3)과, n형클래드층(3)상에설치된 p형클래드층(7)과, n형클래드층(3)과 p형클래드층(7) 사이에설치되어있고, 질화물로이루어진활성층(5)을구비하며, n형클래드층(3)과활성층(5)의계면에직교하는축과활성층(5)에있어서의 c축이이루는각도및 활성층(5)과 p형클래드층(7)의계면에직교하는축과활성층(5)에있어서의 c축이이루는각도가각각제로보다큰 것을특징으로한다.

Abstract translation: 半导体发光元件1包括n型包覆层3，设置在n型包覆层3上的p型包覆层7，n型包覆层3和p型包覆层3。 据之间，并垂直于uigye表面具有有源层（5）由氮化物，n型包覆层3和活性层5，该角度和该轴的活性c轴和有源层（5） （5）和p型覆层（7）以及有源层（5）中的c轴分别大于零。

公开(公告)号：KR1020070013287A

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：KR1020067022342

申请日：2005-05-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나카하타세이지 ,  나카하타히데아키 ,  우에마츠고지 ,  기야마마코토 ,  나가이유이치 ,  나카무라다카오

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: A III nitride semiconductor crystal having sizes of approximately a semiconductor device and a manufacturing method thereof, a III nitride semiconductor device and a manufacturing method thereof and a light emitting device. The method for manufacturing the III nitride semiconductor crystal includes a process of growing one or more of a III nitride semiconductor crystalline board (11) on a base board (1), a process of growing one layer or more layers of a III nitride semiconductor crystalline layer (12) on the III nitride semiconductor crystalline board (11), and a process of separating a III nitride semiconductor crystal (10) composed of the III nitride semiconductor crystalline board (11) and the III nitride semiconductor crystalline layer (12) from the base board (1). The III nitride semiconductor crystal (10) has a thickness of 10mum or more but not more than 600mum, and a width of 0.2mm or more but not more than 50mm. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 具有大致半导体器件的尺寸的III族氮化物半导体晶体及其制造方法，III族氮化物半导体器件及其制造方法以及发光器件。 制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在基板（1）上生长III族氮化物半导体晶体板（11）中的一种或多种的工艺，生长一层或更多层III族氮化物半导体晶体 （11）的III族氮化物半导体晶体层（11）和III族氮化物半导体结晶层（11）的III族氮化物半导体晶体（10）的分离工序， 基板（1）。 III族氮化物半导体晶体（10）的厚度为10μm以上且不大于600μm，宽度为0.2mm以上且50mm以下。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR100955634B1

公开(公告)日：2010-05-03

申请号：KR1020040101099

申请日：2004-12-03

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나가이요우이치 ,  기야마마코토 ,  나카무라다카오 ,  사쿠라다다카시 ,  아키타가츠시 ,  우에마츠고지 ,  이케다아야코 ,  가타야마고지 ,  요시모토스스무

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 비저항 0.5 Ω·cm 이하의 질화물 반도체 기판(1)과, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면 측에, n형 질화물 반도체층(3)과, 질화물 반도체 기판에서 보아 n형 질화물 반도체층(3)보다 멀리에 위치하는 p형 질화물 반도체층(5)과, n형 질화물 반도체층(3)과 p형 질화물 반도체층(5) 사이에 위치하는 발광층(4)을 구비하며, 질화물 반도체 기판(1) 및 p형 질화물 반도체층(5) 중 어느 한 쪽을 빛을 방출하는 톱 측에, 또 다른 쪽을 다운 측에 실장하고, 그 톱 측에 위치하는 전극이 하나로 구성된다. 이에 따라, 소형화가 가능하고, 또한 구조가 간단하기 때문에 제조가 용이하며, 큰 발광 효율을 장기간 안정적으로 얻을 수 있는 발광 소자를 얻을 수 있다.

Abstract translation: 一种发光器件，包括电阻率为0.5Ω·cm或更小的氮化物半导体衬底（1），n型氮化物半导体层（3）和p型氮化物半导体层（5），所述p型氮化物半导体层 在所述氮化物半导体衬底（1）的第一主表面侧处具有比所述n型氮化物半导体层（1）更高的氮化物半导体衬底（1），以及位于所述n型氮化物半导体层（3）和 所述p型氮化物半导体层（5），其中所述氮化物半导体衬底（1）和所述p型氮化物半导体层（5）中的一个安装在发射光的顶侧，而另一个位于所述衬底的下侧 ，并将单个电极放置在顶侧。 因此，提供了一种发光装置，其具有简单的构造，从而使其易于制造，可以提供长时间的高发光效率，并且可以容易地小型化。

公开(公告)号：KR1020090101074A

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：KR1020087024610

申请日：2007-11-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 히로타류 ,  우에마츠고지 ,  가와세도모히로

IPC: C30B19/12 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B19/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: This invention provides a process for producing a large-size group III nitride crystal in which the dislocation density of at least the surface thereof is wholly low. The production process is characterized in that it comprises the step of providing a base substrate (1) comprising a group III nitride seed crystal having a main area (1s) and a polarity reversed area (1t) having polarity reversed in direction to the main area (1s), and the step of growing a group III nitride crystal (10) by a liquid phase method on the main area (1s) and the polarity reversed area (1t) in the base substrate (1), and a first area (10s) having a higher growth rate of the group III nitride crystal (10) grown on the main area (1s) covers a second area (10t) having a lower growth rate of the group III nitride crystal (10) grown on the polarity reversed area (1t).

Abstract translation: 本发明提供一种制造其中至少其表面的位错密度完全低的大尺寸III族氮化物晶体的方法。 制造方法的特征在于，其特征在于，包括提供包括主要区域（1s）和极性反转区域（1t）的III族氮化物晶种的基底（1）的步骤，所述III族氮化物晶体的极性反转方向与主区域 （1s）和基底基板（1）中的主区域（1）和极性反转区域（1t）上的液相法生长III族氮化物晶体（10）的步骤，以及第一区域 在主区域（1s）上生长的III族氮化物晶体（10）的生长速度更高的第二区域（10t）覆盖在极性反转上生长的III族氮化物晶体（10）生长速率较低的第二区域（10t） 区域（1t）。

公开(公告)号：KR1020070070070A

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020060131038

申请日：2006-12-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가사이히토시 ,  오카히사다쿠지 ,  후지타슌스케 ,  마츠모토나오키 ,  이지리히데유키 ,  사토후미타카 ,  모토키겐사쿠 ,  나카하타세이지 ,  우에마츠고지 ,  히로타류

IPC: C30B29/38

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: A method and apparatus for preparing a group III nitride crystal substance is provided to effectively clean deposits adhered on a reaction chamber during growth of the group III nitride crystal substance. An interior of a reaction chamber is cleaned by introducing HCl gas into the reaction chamber, and a group III nitride crystal substance is vapor-deposited in the cleaned reaction chamber. The step of cleaning the interior of the reaction chamber is carried out under conditions of at least 1.013 hPa and not more than 1013 hPa for HCl gas partial pressure and at least 650 deg.C to 1200 deg.C for temperature in the reaction chamber.

Abstract translation: 提供了用于制备III族氮化物晶体物质的方法和装置，以有效地清除在III族氮化物晶体物质生长过程中附着在反应室上的沉积物。 通过将HCl气体引入反应室来清洁反应室的内部，并且在清洁的反应室中气相沉积III族氮化物晶体物质。 清洗反应室内部的步骤在HCl气体分压至少为1.013hPa和不高于1013hPa，反应室内的温度为至少650℃至1200℃的条件下进行。

公开(公告)号：KR101410534B1

公开(公告)日：2014-06-20

申请号：KR1020097008369

申请日：2007-11-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미즈하라나호 ,  우에마츠고지 ,  미야나가미치마사 ,  다니자키게이스케 ,  나카하타히데아키 ,  나카하타세이지 ,  오카히사다쿠지

IPC: C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/045 ,  C30B19/02 ,  C30B23/025 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/24752

Abstract: 본 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법은, {0001} 이외의 임의로 특정되는 면방위의 주요면(20m)을 갖는 Ⅲ족 질화물 결정(20)의 제조 방법으로서, Ⅲ족 질화물 벌크 결정(1)으로부터, 그 특정되는 면방위의 주요면(10pm, 10qm)을 갖는 복수의 Ⅲ족 질화물 결정 기판(10p, 10q)을 잘라내는 공정과, 이들 기판(10p, 10q)의 주요면(10pm, 10qm)이 서로 평행하고, 또한, 이들 기판(10p, 10q)의 [0001] 방향이 동일하게 되도록, 가로 방향으로 이들 기판(10p, 10q)을 서로 인접시켜 배치하는 공정과, 이들 기판(10p, 10q)의 주요면(10pm, 10qm) 상에, Ⅲ족 질화물 결정(20)을 성장시키는 공정을 포함한다.
Ⅲ족 질화물 결정

公开(公告)号：KR1020140074142A

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：KR1020127030485

申请日：2011-12-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  세키유키 ,  우에마츠고지 ,  야마모토요시유키 ,  마츠바라히데키 ,  후지와라신스케 ,  요시무라마사시

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C03C10/0018 ,  C04B35/106 ,  C04B35/16 ,  C04B35/185 ,  C04B35/481 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/9607 ,  C30B23/025 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664

Abstract: GaN계 막의 제조 방법은, 불화수소산에 용해되는 지지 기판(11)과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)을 포함하고, 지지 기판(11)의 주면(11m) 내의 열팽창 계수가, GaN 결정의 열팽창 계수와 비교해서, 0.8배보다 크고 1.2배보다 작은 복합 기판(10)을 준비하는 공정과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)의 주면(13m) 상에 GaN계 막(20)을 성막하는 공정과, 지지 기판(11)을, 불화수소산에 용해함으로써 제거하는 공정을 포함한다. 이에 따라, 주면의 면적이 크고 휨이 작고 결정성이 양호한 GaN계 막이 효율적으로 얻어지는 GaN계 막의 제조 방법 및 그것에 이용되는 복합 기판이 제공된다.

公开(公告)号：KR101218869B1

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020067022342

申请日：2005-05-13

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나카하타세이지 ,  나카하타히데아키 ,  우에마츠고지 ,  기야마마코토 ,  나가이유이치 ,  나카무라다카오

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Ⅲ족 질화물 반도체 결정 및 그 제조 방법, Ⅲ족 질화물 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 및 발광 기기가 개시된다. 본 발명에 따른 Ⅲ족 질화물 반도체 결정 제조 방법은 하지 기판 상에 1개 이상의 Ⅲ족 질화물 반도체 결정을 성장시키는 공정과, Ⅲ족 질화물 반도체 결정을 상기 하지 기판으로부터 분리하는 공정을 포함하고, Ⅲ족 질화물 반도체 결정의 두께가 10 ㎛ 이상 600 ㎛ 이하, 폭이 0.2 mm 이상 50 mm 이하인 것을 특징으로 한다. 또는, 본 발명에 따른 Ⅲ족 질화물 반도체 디바이스의 제조 방법은 1개 이상의 상기 Ⅲ족 질화물 반도체 결정 기판을 성장시키는 공정이 상기 하지 기판 상에 1개 이상의 종(種)결정을 배치하는 공정과, 상기 종결정을 핵으로 하여 상기 Ⅲ족 질화물 반도체 결정 기판을 성장시키는 공정을 포함한다.
Ⅲ족 질화물 반도체 결정, 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 반도체

公开(公告)号：KR1020090008321A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：KR1020087027015

申请日：2007-04-24

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에무라도모키 ,  사쿠라다다카시 ,  후지와라신스케 ,  오카히사다쿠지 ,  우에마츠고지 ,  나카하타히데아키

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02623 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: This invention provides a method for manufacturing a gallium nitride crystal, which, when a gallium nitride crystal is grown using a gallium nitride substrate including a translocation aggregation region and an inversion region is used as a seed crystal substrate, can manufacture a gallium nitride crystal, which has low translocation density and, at the same time, has good crystallinity and, in addition, is less likely to cause cracking upon polishing after slicing. In embedding the translocation aggregation region and the inversion region (17a) for growth of a gallium nitride crystal (79), the gallium nitride crystal (79) is grown at a growth temperature of above 1100°C and 1300°C or below. According to this constitution, the translocation taken from the translocation aggregation region and inversion region (17a) can be reduced, and the occurrence of new translocation on the translocation aggregation region and inversion region (17a) can be suppressed. Good crystallinity of the gallium nitride crystal (79) can be realized, and, at the same time, cracking is less likely to occur in polishing after slicing of the gallium nitride crystal (79).

Abstract translation: 本发明提供了一种用于制造氮化镓晶体的方法，当使用包含易位聚集区域的氮化镓衬底和反转区域来生长氮化镓晶体作为晶种衬底时，可以制造氮化镓晶体， 其易位密度低，同时具有良好的结晶度，另外在切片后不太可能引起研磨时的开裂。 在嵌入用于氮化镓晶体（79）的生长的易位聚集区域和反转区域（17a）中，氮化镓晶体（79）在高于1100℃和1300℃以下的生长温度下生长。 根据该构成，可以减少从易位聚集区域和反转区域（17a）取得的移位，能够抑制易位聚集区域和反转区域（17a）的新易位化。 可以实现氮化镓晶体（79）的良好的结晶度，并且同时在氮化镓晶体（79）切割之后的抛光中也不太可能发生裂纹。