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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960026978A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019950046693
申请日：1995-12-05
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L29/786
Abstract: 5nm이상 50㎛이하의 두께를 갖는 단결정 수정박막은, 솔겔공정에 의해 단결정기판상에 박막을 형성한 후, 기판으로부터 박막을 박리하여 제조할 수 있다. 본 발명은 크고 복잡한 장치없이 저가로 단결정 수정박막을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100157995B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019930021104
申请日：1993-10-12
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C23C14/06
CPC classification number: C04B41/009 , C03C17/3435 , C04B41/5062 , C04B41/52 , C04B41/87 , C04B41/89 , C04B2111/00189 , C04B2111/00353 , C04B2111/00405 , C04B2111/00844 , C23C14/0641 , C23C14/0664 , Y10T428/24942 , Y10T428/24975 , C04B41/4529 , C04B41/5068 , C04B41/5063 , C04B41/524 , C04B35/00
Abstract: 본 발명은 절삭공구 또는 내마모성 공구의 내마모성을 충분하게 개선시킬 수 있고 전기부품, 전자부품, 미끄럼운동부품 또는 기계부품용 내마모성 피막 또는 보호피막으로서 우수한 품질을 나타내는 피복막에 관한 것이다. 이와같은 피복막은 주기율표의 1Va,Va 및 VIa족의 원소, Aℓ및 B로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 한 원소의 적어도 한 질화물 또는 탄질화물와, 표준온도, 표준압력 및 평형상태에서 입방결정구조이외의 결정구조를 가지고 있고 주로 공유결합성을 가지고 있는 적어도 한 화합물로 이루어져 있고, 상기 적어도 한 질화물 또는 질화 탄소는 입방결정구조와 금속 결합성을 가지고 있고, 상기 적어도 한 질화물 또는 탄질화물 및 상기 적어도 한 화합물은 층의 형태로 교대로 적층되어 있고, 상기 적어도 한 질화물 또는 탄질화물와 상기 적어도 한 화합물의 층두께는 각각 0.2내지 50nm이고, 상기 적층체는 전체로서 입방결정 X-선 회절패턴을 가지고 있다.
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公开(公告)号：KR1019960004554A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019950021721
申请日：1995-07-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C30B5/00
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公开(公告)号：KR100353721B1
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：KR1019950046693
申请日：1995-12-05
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L29/786
Abstract: 5nm 이상 50㎛ 이하의 두께를 갖는 단결정 수정박막은, 졸겔공정에 의해 단결정기판상에 박막을 형성한 후, 기판으로부터 박막을 박리함으로써 제조될 수 있다. 본 발명은 대규모의 장치없이 저가로 단결정 수정박막을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 厚度为5nm至50μm的单晶石英薄膜可以通过溶胶 - 凝胶法在单晶衬底上形成薄膜并从衬底上剥离薄膜来制备。 本发明能够以低廉的价格提供单晶石英薄膜，而不需要大型和复杂的设备。
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