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公开(公告)号：KR1019960026978A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019950046693
申请日：1995-12-05
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L29/786
Abstract: 5nm이상 50㎛이하의 두께를 갖는 단결정 수정박막은, 솔겔공정에 의해 단결정기판상에 박막을 형성한 후, 기판으로부터 박막을 박리하여 제조할 수 있다. 본 발명은 크고 복잡한 장치없이 저가로 단결정 수정박막을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019960009806A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019950025340
申请日：1995-08-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H05G1/00
Abstract: 본 발명의 X선발생장치는 고열전도성 기판과, 전자의 조사에 의해 X선을 발생시키는 목표물로 이루어진 대음극을 구비하고, 상기 목표물은 상기 고열전도성 기판을 관통하도록 배치하고, 상기 고열전도성 기판은 기상합성법에 의해 합성된 다이아몬드인 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 대음극의 냉각효율 및 내구성을 대폭 향상시킴과 동시에, X선발생장치의 소형화 및 간략화를 도모한 결과, 마침내 고출력 및 고강도의 X선발생장치발명을 완성하였다.
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公开(公告)号：KR1019940006224A
公开(公告)日：1994-03-23
申请号：KR1019930006766
申请日：1993-04-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/60
Abstract: 본딩 툴(40)은 기상 합성 다이아몬드로 이루어진 선단부(45)를 가지며, 여기서 선단면(47)을 형성하는 주요한 다이아몬드 결정면이(111)면이다. (111)면으로 이루어진 선단면은 경도가 높으며 마모되기 어렵다. 기상 합성 다이아몬드로 주로 구성된 본딩 헤드의 인성을 높이기 위해 본딩 헤드에 다이아몬드의 기상 합성에서 생성된 비다이아몬드 주로 구성된 본딩 헤드의 인성을 높이기 위해 본딩 헤드에 다이아몬드의 기상 합성에서 생성된 비다이아몬드 성분을 함유시킨다. 본딩 헤드에서 선단면을 형성하는 부분은 순도가 높은 다이아몬드로 이루어지고 선단면을 지지하는 부분은 순도가 낮은 다이아몬드로 이루어진다. 선단면은 강성이 높은 반면, 선단면을 지지하는 부분은 인성이 높다. 기상 합성 다이아몬드로 주로 구성된 본딩 선단부에 전기전도성을 부여하기 위해 도우핑된 기상 합성 다이아몬드를 사용한다.
본딩 선단부에서 선단면을 형성하는 부분은 도펀트를 그다지 함유하지 않는 다결정 다이아몬드로 이루어지고, 이러한 부분을 지지하는 부분은 도펀트를 함유한다. 전기전도성을 간는 선단부는 전기를 통과시킴으로써 가열시킬 수 있다. 기상 합성 다이아몬드를 함유하는 코팅을 본딩 선단부로 하여 사용하는 툴에 있어서, 코팅의 강도 및 공구 기본체에 대한 밀착성을 높이기 위해 금속 또는 세라믹과 기상 합성 다이아몬드로 이루어진 복합체로 코팅을 형성시킨다. 금속 및 세라믹은 열팽창계수가 다이아몬드보다도 공구 기본체에 가깝다.
코팅에 있어서, 선단면에 다이아몬드를 많이 함유시키는 반면, 공구 기본체와 밀착되는 부분에는 금속 또는 세라믹을 많이 함유시킨다.-
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公开(公告)号：KR100433743B1
公开(公告)日：2004-06-04
申请号：KR1020027009302
申请日：2001-01-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: G02B6/12
Abstract: 본 발명은 광 도파로 소자(2)를 가열하기 위한 히터 모듈(30)로, 통전에 의해 발열하는 발열 회로(42)와 발열 회로에 적층된 AlN 세라믹스층(44)을 갖는 세라믹스 히터(40)를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
Abstract translation: 用于加热光波导装置（2）的加热器模块（30）具有陶瓷加热器（40），陶瓷加热器（40）具有适于在通电时产生热量的加热电路（42）和堆叠在加热电路上的AlN陶瓷层（44） 。 ＆lt;图像＆GT;
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020070489A
公开(公告)日：2002-09-09
申请号：KR1020027009302
申请日：2001-01-19
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: G02B6/12
Abstract: 본 발명은 광 도파로 소자(2)를 가열하기 위한 히터 모듈(30)로, 통전에 의해 발열하는 발열 회로(42)와 발열 회로에 적층된 AlN 세라믹스층(44)을 갖는 세라믹스 히터(40)를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
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公开(公告)号：KR1019960020628A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019950045215
申请日：1995-11-30
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L23/373 , H05K7/20
Abstract: 적어도 10W/cm·k의 열전도율을 가지는 고열전도율 재료층과 고열전도율 재료층안에 또는 위에 냉각매체 흐름경로를 가지는 기판은 높은 열소비 특성을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1019940004903B1
公开(公告)日：1994-06-04
申请号：KR1019910021051
申请日：1991-11-22
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/27 , C23C16/01 , C23C16/271 , C23C16/274 , C23C16/276 , C23C16/277 , C23C16/278 , C23C16/279 , Y10S76/12 , Y10T407/27 , Y10T408/78 , Y10T408/81 , Y10T428/12021 , Y10T428/12028 , Y10T428/12056 , Y10T428/12146
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号：KR100353721B1
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：KR1019950046693
申请日：1995-12-05
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L29/786
Abstract: 5nm 이상 50㎛ 이하의 두께를 갖는 단결정 수정박막은, 졸겔공정에 의해 단결정기판상에 박막을 형성한 후, 기판으로부터 박막을 박리함으로써 제조될 수 있다. 본 발명은 대규모의 장치없이 저가로 단결정 수정박막을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 厚度为5nm至50μm的单晶石英薄膜可以通过溶胶 - 凝胶法在单晶衬底上形成薄膜并从衬底上剥离薄膜来制备。 本发明能够以低廉的价格提供单晶石英薄膜，而不需要大型和复杂的设备。
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