公开(公告)号：KR1020100123813A

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：KR1020107009540

申请日：2009-02-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이시바시게이지 ,  미카미히데노리 ,  마츠모토나오키

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L24/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/959 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 질화물 반도체 결정으로부터 이면 연삭, 외주 연삭(챔퍼링), 표면 연삭·연마하여 미러 웨이퍼로 할 때에, 휘어짐이 적고, 크랙이 발생하지 않으며, 기판 제작 프로세스 수율이 높고, 디바이스 면내 수율이 높은 가공 방법을 제안한다. 질화물 반도체 웨이퍼 외주부를 0 중량%∼40 중량%의 산화물 지립을 포함하는 고무 지석 또는 발포 레진 본드 지석으로 챔퍼링하고, 외주부에 가공 변질층을 0.5 ㎛∼10 ㎛의 두께로 남기도록 한다.