公开(公告)号：KR100244384B1

公开(公告)日：2000-03-02

申请号：KR1019970001145

申请日：1997-01-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 카토타카토시 ,  스에츠구요시유키 ,  니시무라마사유키

IPC: G02B6/00

CPC classification number: G02B6/02009 ,  G02B6/02276 ,  G02B6/02285 ,  G02B6/03633 ,  G02B6/0365

Abstract: 본 발명은 편파모드분산을 저감하는 구조를 구비한 분산시프트파이버를 제공하는 것을 과제로한 것이며, 그 해결수단에 있어서, 분산시프트파이버는, 석영유리를 주성분으로 하고 그 0분산파장치가 1.4㎛이상, 또한 1.7㎛이하의 범위로 설정된 싱글모드광파이버이다. 특히 당해분산시프트파이버는, 클래드에 상당하는 부위에 오목부가 형성된 굴절률프로파일을 가진 동시에, 적어도 코어영역전체에 플루오르가 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019970059767A

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：KR1019970001145

申请日：1997-01-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 카토타카토시 ,  스에츠구요시유키 ,  니시무라마사유키

IPC: G02B6/00

Abstract: 본 발명은 편파모드분산을 저감하는 구조를 구비한 분산시프트파이버를 제공하는 것을 과제로한 것이며, 그 해결수단에 있어서, 분산시프트파이버는, 석영유리를 주성분으로 하고 그 0분산파장치가 1.4㎛이상, 또한 1.7㎛이하의 범위로 설정된 싱글모드광파이버이다. 특히 당해분산시프트파이버는, 클래드에 상당하는 부위에 오목부가 형성된 굴절률프로파일을 가진 동시에, 적어도 코어영역전체에 플루오르가 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.