公开(公告)号：KR1019970076732A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019970022381

申请日：1997-05-31

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 모토키겐사쿠 ,  시마주미쯔루 ,  미우라요시키

IPC: H01L33/00

Abstract: 청색 발광휘도의 보다 높은 발광소자가 얻어진다. 이 발광소자에서는 GaAs 기판(8) 위에 질화 갈륨화합물(9)을 형성한 후 GaAs 기판(8)의 최소한 일부를 제거하므로서 발광소자를 형성환다. 이에따라 GaAs 기판(8)이 제거되는 몫만큼 GaAs 기판(8)의이 전체로 형성되어 있는 경우에 비해서 광의 흡수량이 저감되고 그에 따라 청색 발광휘도가 높는 발광소자가 얻어진다.

公开(公告)号：KR100501015B1

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：KR1019970022381

申请日：1997-05-31

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 모토키겐사쿠 ,  시마주미쯔루 ,  미우라요시키

IPC: H01L33/00

Abstract: 청색 발광 휘도가 보다 높은 발광 소자를 얻을 수 있다 상기 발광 소자에서는, GaAs 기판(8) 위에 질화 갈륨 화합물(9)을 형성한 후, GaAs 기판(8)의 적어도 일부를 제거함으로써 발광 소자를 형성한다. 이에 따라, GaAs 기판(8)이 제거되는 부분만큼 GaAs 기판(8)이 전체로 형성되어 있는 경우에 비해 광의 흡수량이 저감되고, 그에 따라, 청색 발광 휘도가 높은 발광 소자를 얻을 수 있다.