公开(公告)号：KR1020070070070A

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020060131038

申请日：2006-12-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가사이히토시 ,  오카히사다쿠지 ,  후지타슌스케 ,  마츠모토나오키 ,  이지리히데유키 ,  사토후미타카 ,  모토키겐사쿠 ,  나카하타세이지 ,  우에마츠고지 ,  히로타류

IPC: C30B29/38

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: A method and apparatus for preparing a group III nitride crystal substance is provided to effectively clean deposits adhered on a reaction chamber during growth of the group III nitride crystal substance. An interior of a reaction chamber is cleaned by introducing HCl gas into the reaction chamber, and a group III nitride crystal substance is vapor-deposited in the cleaned reaction chamber. The step of cleaning the interior of the reaction chamber is carried out under conditions of at least 1.013 hPa and not more than 1013 hPa for HCl gas partial pressure and at least 650 deg.C to 1200 deg.C for temperature in the reaction chamber.

Abstract translation: 提供了用于制备III族氮化物晶体物质的方法和装置，以有效地清除在III族氮化物晶体物质生长过程中附着在反应室上的沉积物。 通过将HCl气体引入反应室来清洁反应室的内部，并且在清洁的反应室中气相沉积III族氮化物晶体物质。 清洗反应室内部的步骤在HCl气体分压至少为1.013hPa和不高于1013hPa，反应室内的温度为至少650℃至1200℃的条件下进行。

公开(公告)号：KR1020060043770A

公开(公告)日：2006-05-15

申请号：KR1020050022331

申请日：2005-03-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가사이히토시 ,  모토키겐사쿠

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406

Abstract: 본 발명은 (0001) 저스트가 아니고 (0001)로부터 벗어난 결정 방위를 갖는 오프각의 GaN 단결정 자립 기판을 보다 저비용으로 제작하는 것을 목적으로 한다.
오프각의(111) GaAs 웨이퍼를 기초 기판으로 하여, 그 위에 GaN을 기상 성장시키면 기초 기판과 동일한 오프각으로 동일한 방향으로 기울어져 있는 GaN 결정이 성장한다. 또한, 오프 각도를 갖는 (111) GaAs 기판을 기초 기판으로서 이용하여, 그 위에 복수의 창을 갖는 마스크를 형성하여, 그 위에서부터 GaN 단결정층을 성장시킨 후, 기초 기판을 제거하여 오프 각도를 갖는 GaN 자립 기판을 제작하더라도 좋다. O.1°∼ 25°의 오프각을 갖는 GaN 결정을 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080012236A

公开(公告)日：2008-02-11

申请号：KR1020070077560

申请日：2007-08-01

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 히로타리유 ,  모토키겐사쿠 ,  나카하타세이지 ,  오카히사다쿠지 ,  유에마츠고지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/183

Abstract: A method for growing a gallium nitride crystal is provided to fabricate a low-defect gallium nitride substrate for fabricating a high-quality laser device by fabricating a laser device in a portion of a low-defect region. A mask(M) is partially formed on a basic substrate(U) to avoid an epitaxial growth of a crystal. A crystal is epitaxially grown on the basic substrate having the mask by a vapor phase method. In the epitaxial growth, a crystal growth is formed by a first growth condition indicated by (a1/T+b1)

Abstract translation: 提供一种用于生长氮化镓晶体的方法，以通过在低缺陷区域的一部分制造激光器件来制造用于制造高质量激光器件的低缺陷氮化镓衬底。 掩模（M）部分地形成在基底衬底（U）上以避免晶体的外延生长。 通过气相法在具有掩模的碱性基材上外延生长晶体。 在外延生长中，通过由（a1 / T + b1）

公开(公告)号：KR100497262B1

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：KR1019970010253

申请日：1997-03-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  시마즈미쯔루 ,  마쯔시마마사토 ,  미우라요시키 ,  모토키겐사쿠 ,  세키히사시 ,  고우키투아키노리

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 기판(1)상에 인듐 갈륨 질소(In
x Ga
1-x N; 단, 0〈x〈1)의 고품질 에피택셜 화합물 반도체 층을 형성하는 방법을 제공한다.
삼염화 인듐(InCl
3 )을 함유하는 제 1 가스 및 암모니아(NH
3 )를 함유하는 제 2 가스는 제 1 온도로 가열된 반응 챔버(56)로 도입되고 인듐 질소(InN)가 질소(N
2 ) 캐리어 가스에 의해 기판(1)상에서 에피택셜 성장되어 InN 버퍼 층을 형성한다.
그후, 염화수소(HCl) 및 갈륨(Ga)을 함유하는 제 3 가스가 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 가열된 반응 챔버(56)로 제 1 및 2 가스와 함께 도입되고 에피택셜 In
x Ga
1-x N 층이 N
2 가스에 의해 상기 버퍼 층에서 성장된다.
캐리어 가스로서 N
2 대신에 헬륨(He)을 사용함으로써, 더욱 고품질의 In
x Ga
1-x N 층이 얻어진다. 또한, InN 버퍼 층이 GaN 버퍼 층으로 변형될 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020110088483A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：KR1020110069032

申请日：2011-07-12

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가사이히토시 ,  모토키겐사쿠

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406

Abstract: PURPOSE: A gallium nitride mono crystal substrate and a manufacturing method thereof are provided to designate an off angle and a direction of the off angle of a gallium nitride crystal by an off angle and a direction of the off angle of a ground substructure. CONSTITUTION: A GaN(Gallium Nitride) self-supporting substrate having off-angle is used as a ground substrate. A GaN mono crystal layer which has enough thickness is arranged on the GaN self-supporting substrate. The GaN mono crystal layer is sliced to the thickness direction and manufactured. GaN self-supporting substrates having a plurality of off angles are manufactured.

Abstract translation: 目的：提供一种氮化镓单晶衬底及其制造方法，其用于表示氮化镓晶体的偏离角度和偏斜角度的方向以及接地子结构的偏离角度的方向。 构成：将具有偏角的GaN（氮化镓）自支撑衬底用作接地衬底。 具有足够厚度的GaN单晶层被布置在GaN自支撑衬底上。 将GaN单晶层切成厚度方向并制造。 制造具有多个偏角的GaN自支撑基板。

公开(公告)号：KR1019970076732A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019970022381

申请日：1997-05-31

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 모토키겐사쿠 ,  시마주미쯔루 ,  미우라요시키

IPC: H01L33/00

Abstract: 청색 발광휘도의 보다 높은 발광소자가 얻어진다. 이 발광소자에서는 GaAs 기판(8) 위에 질화 갈륨화합물(9)을 형성한 후 GaAs 기판(8)의 최소한 일부를 제거하므로서 발광소자를 형성환다. 이에따라 GaAs 기판(8)이 제거되는 몫만큼 GaAs 기판(8)의이 전체로 형성되어 있는 경우에 비해서 광의 흡수량이 저감되고 그에 따라 청색 발광휘도가 높는 발광소자가 얻어진다.

公开(公告)号：KR1019970017991A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019960038575

申请日：1996-09-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미우라요시키 ,  시마쯔미쓰루 ,  모토키겐사쿠 ,  오카히사다쿠지 ,  마쓰시마마사토 ,  세키히사시 ,  고키쓰아키노리

IPC: H01L21/20

Abstract: 고온에서 에피택셜 성장할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 및 이의 제조방법을 제공한다. 에피택셜 웨이퍼는 As 또는 P를 함유하는 화합물 반도체 기판(1)과 기판(1)의 표면(1a)과 이면(1b)을 피복하도록 형성된 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 구비한다.
에피택셜 웨이퍼의 제조방법은 As 또는 P를 함유하는 기판의 적어도 표리 양면을 피복하도록 GaN, InN이나 AlN 또는 Al, Ga, In과 N을 함유하는 질화물 혼합 결정재료로 이루어진 피복층(2)을 300℃ 내지 800℃의 성장 온도에서 성장시키는 단계와 피복층이 성장된 기판을 700℃ 내지 1200℃의 온도에서 어닐하는 단계를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020070117490A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：KR1020070055527

申请日：2007-06-07

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  모토키겐사쿠 ,  우에마츠고지 ,  나카하타세이지 ,  히로타류 ,  이지리히데유키 ,  가사이히토시 ,  후지타슌스케 ,  사토후미타카 ,  마츠오카도루

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/16

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: A method of growing a gallium nitride crystal is provided to reduce a density of dislocations effectively by forming a stable grain boundary at an interface of two different crystal regions, in an epitaxial growth method. A mask(M) inhibiting epitaxial growth of a gallium nitride crystal is formed partially on a ground substrate(U). The gallium nitride crystal is grown epitaxially on the ground substrate in which the mask is formed, while doping carbon. A first crystal region is grown from a periphery region of the mask toward inside, and an c-axis direction is reversed in the first crystal region relative to a second crystal region grown on a region where the mask is not formed in the ground substrate.

Abstract translation: 提供一种生长氮化镓晶体的方法，通过在外延生长法中在两个不同晶体区域的界面处形成稳定的晶界，有效地降低位错密度。 抑制氮化镓晶体的外延生长的掩模（M）部分地形成在接地基板（U）上。 在形成掩模的接地衬底上外延生长氮化镓晶体，同时掺杂碳。 第一晶体区域从掩模的周边区域向内部生长，并且在第一晶体区域中相对于在未在掩模衬底中形成掩模的区域上生长的第二晶体区域的c轴方向反转。

公开(公告)号：KR100501015B1

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：KR1019970022381

申请日：1997-05-31

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 모토키겐사쿠 ,  시마주미쯔루 ,  미우라요시키

IPC: H01L33/00

Abstract: 청색 발광 휘도가 보다 높은 발광 소자를 얻을 수 있다 상기 발광 소자에서는, GaAs 기판(8) 위에 질화 갈륨 화합물(9)을 형성한 후, GaAs 기판(8)의 적어도 일부를 제거함으로써 발광 소자를 형성한다. 이에 따라, GaAs 기판(8)이 제거되는 부분만큼 GaAs 기판(8)이 전체로 형성되어 있는 경우에 비해 광의 흡수량이 저감되고, 그에 따라, 청색 발광 휘도가 높은 발광 소자를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970068061A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019970010253

申请日：1997-03-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  시마즈미쯔루 ,  마쯔시마마사토 ,  미우라요시키 ,  모토키겐사쿠 ,  세키히사시 ,  고우키투아키노리

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 기판(1)상에 인듐 갈륨 질소(In
x Ga
1 -
x N: 여기에서, 0＜X＜1)의 양호한 품질 에피텍셜 화합물 반도체층 형성 방법을 제공한다.
인듐 삼염화물(InCl
3 )을 함유하는 제1가스 및 암모니아(NH
3 )를 함유하는 제2가스는 제1온도에서 가열된 반응실(56)로 도입되고 인듐 질소(InN)는 InN 버퍼층을 형성하기 위해 질소(N
2 ) 캐리어 가스에 의해 기판(1)상에 에피텍셜적으로 성장된다.
그후 염화수소(HCl) 및 갈륨(Ca)을 함유하는 제3가스는 제1온도보다 높은 제2온도에서 가열된 반응실(56)로 제1 및 제2가스와 함께 도입되고 에피텍셜 In
x Ga
1 -
x N층은 N
2 가스에 의해 버퍼 층에 성장된다. 캐리어 가스로써 N
2 대신에 헬륨(He)을 사용함으로써, 더욱 동질적인 품질을 가진 In
x Ga
1 -
x N 층이 얻어진다. 부가로 InN 버퍼 층이 GaN 버퍼 층안에 변형될 수 있다.