公开(公告)号：KR1020070043028A

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：KR1020077005221

申请日：2005-08-02

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나베게이이치로 ,  요시모토스스므

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L33/0095

Abstract: 본 발명은 유기 금속 기상 성장 장치(101)라고 하는 성막 장치 내에 기판(103)을 배치하고, 상기 기판(103) 상에 GaN 버퍼 막(105), 언도프 GaN 막(107) 및 p형 도펀트를 포함하는 GaN 막(109)을 순차적으로 성장하고, 에피택셜 기판(E1)을 형성한다. 반도체 막(109)에는 p형 도펀트 뿐만 아니라, 원료 가스에 포함되는 수소가 포함되어 있다. 이어서, 에피택셜 기판(E1)을 단펄스 레이저광 조사 장치(111)에 배치한다. 에피택셜 기판(E1)의 표면의 일부 또는 전부에 레이저광(L
B1 )을 조사하여, 다광자 흡수 과정을 이용하여 p형 도펀트를 활성화한다. 다광자 흡수가 발생하는 펄스 레이저광(L
B1 )을 조사함으로써 p형 GaN 막(109a)이 형성된다. 열 어닐링을 이용하지 않고 반도체 막 내의 p형 도펀트를 광학적으로 활성화하여 p형 반도체 영역을 형성하는 방법을 제공한다.