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    다이아몬드헤드를 갖는 본딩툴 및 이의제조방법
    1.
    发明公开
    다이아몬드헤드를 갖는 본딩툴 및 이의제조방법 失效
    具有金刚石头的结合工具及其制造方法

    公开(公告)号：KR1019940006224A

    公开(公告)日：1994-03-23

    申请号：KR1019930006766

    申请日：1993-04-22

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 다나베게이이치로 ,  다카하시도시야 ,  이케가야아키히코 ,  후지모리나오지

    IPC: H01L21/60

    Abstract: 본딩 툴(40)은 기상 합성 다이아몬드로 이루어진 선단부(45)를 가지며, 여기서 선단면(47)을 형성하는 주요한 다이아몬드 결정면이(111)면이다. (111)면으로 이루어진 선단면은 경도가 높으며 마모되기 어렵다. 기상 합성 다이아몬드로 주로 구성된 본딩 헤드의 인성을 높이기 위해 본딩 헤드에 다이아몬드의 기상 합성에서 생성된 비다이아몬드 주로 구성된 본딩 헤드의 인성을 높이기 위해 본딩 헤드에 다이아몬드의 기상 합성에서 생성된 비다이아몬드 성분을 함유시킨다. 본딩 헤드에서 선단면을 형성하는 부분은 순도가 높은 다이아몬드로 이루어지고 선단면을 지지하는 부분은 순도가 낮은 다이아몬드로 이루어진다. 선단면은 강성이 높은 반면, 선단면을 지지하는 부분은 인성이 높다. 기상 합성 다이아몬드로 주로 구성된 본딩 선단부에 전기전도성을 부여하기 위해 도우핑된 기상 합성 다이아몬드를 사용한다.
    본딩 선단부에서 선단면을 형성하는 부분은 도펀트를 그다지 함유하지 않는 다결정 다이아몬드로 이루어지고, 이러한 부분을 지지하는 부분은 도펀트를 함유한다. 전기전도성을 간는 선단부는 전기를 통과시킴으로써 가열시킬 수 있다. 기상 합성 다이아몬드를 함유하는 코팅을 본딩 선단부로 하여 사용하는 툴에 있어서, 코팅의 강도 및 공구 기본체에 대한 밀착성을 높이기 위해 금속 또는 세라믹과 기상 합성 다이아몬드로 이루어진 복합체로 코팅을 형성시킨다. 금속 및 세라믹은 열팽창계수가 다이아몬드보다도 공구 기본체에 가깝다.
    코팅에 있어서, 선단면에 다이아몬드를 많이 함유시키는 반면, 공구 기본체와 밀착되는 부분에는 금속 또는 세라믹을 많이 함유시킨다.

    웨이퍼및그제조방법
    3.
    发明授权
    웨이퍼및그제조방법 失效
    其制造方法及其制造方法

    公开(公告)号：KR100170536B1

    公开(公告)日：1999-03-30

    申请号：KR1019950016990

    申请日：1995-06-23

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 다나베게이이치로 ,  세키유이치로 ,  이케가야아키히코 ,  후지모리나오지 ,  츠노다카시

    IPC: H01L21/20

    CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/04

    Abstract: No wide bulk diamond wafer exists at present. A wide diamond-coated wafer is proposed instead of the bulk diamond wafer. Diamond is heteroepitaxially deposited on a convex-distorted non-diamond single crystal substrate by a vapor phase deposition method. In an early step, a negative bias is applied to the substrate. In the case of a Si substrate, an intermediate layer of beta -SiC is first deposited on the Si substrate by supplying a low carbon concentration material gas. Then the carbon concentration is raised for making a diamond film. The convex-distorted wafer is stuck to a holder having a shaft which is capable of inclining to the holder. The wafer is pushed to a turn-table of a polishing machine. The convex diamond wafer can fully be polished by inclining the holder to the shaft. A wide distorted mirror wafer of diamond is produced. Fine wire patterns can be made on the diamond mirror wafer by the photolithography.

    ｐ형 반도체 영역을 형성하는 방법 및 반도체 소자
    5.
    发明公开
    ｐ형 반도체 영역을 형성하는 방법 및 반도체 소자 无效
    形成P型半导体区域的方法和半导体元件

    公开(公告)号：KR1020070043028A

    公开(公告)日：2007-04-24

    申请号：KR1020077005221

    申请日：2005-08-02

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 다나베게이이치로 ,  요시모토스스므

    IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L21/268

    CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L33/0095

    Abstract: 본 발명은 유기 금속 기상 성장 장치(101)라고 하는 성막 장치 내에 기판(103)을 배치하고, 상기 기판(103) 상에 GaN 버퍼 막(105), 언도프 GaN 막(107) 및 p형 도펀트를 포함하는 GaN 막(109)을 순차적으로 성장하고, 에피택셜 기판(E1)을 형성한다. 반도체 막(109)에는 p형 도펀트 뿐만 아니라, 원료 가스에 포함되는 수소가 포함되어 있다. 이어서, 에피택셜 기판(E1)을 단펄스 레이저광 조사 장치(111)에 배치한다. 에피택셜 기판(E1)의 표면의 일부 또는 전부에 레이저광(L
    B1 )을 조사하여, 다광자 흡수 과정을 이용하여 p형 도펀트를 활성화한다. 다광자 흡수가 발생하는 펄스 레이저광(L
    B1 )을 조사함으로써 p형 GaN 막(109a)이 형성된다. 열 어닐링을 이용하지 않고 반도체 막 내의 p형 도펀트를 광학적으로 활성화하여 p형 반도체 영역을 형성하는 방법을 제공한다.

    경질물질로코팅된웨이퍼,그제조방법,경질물질로코팅된웨이퍼의연마장치및그제조방법
    8.
    发明公开
    경질물질로코팅된웨이퍼,그제조방법,경질물질로코팅된웨이퍼의연마장치및그제조방법 失效
    用硬质材料涂覆的晶片，其制造方法，用硬质材料涂覆晶片的抛光装置及其制造方法

    公开(公告)号：KR1019950034573A

    公开(公告)日：1995-12-28

    申请号：KR1019950013214

    申请日：1995-05-22

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 다나베게이이치로 ,  이케가야아키히코 ,  세키유이치로 ,  후지모리나오지

    IPC: H01L21/304

    Abstract: 본 발명은 경질물질로 코팅된 웨이퍼, 그 제조방법, 경질물질로 코팅된 웨이퍼의 연마장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상기 복합 웨이퍼는 호울더에 볼록으로 뒤틀린 형태로 부착되어 있고, 바람직하게는, 웨이퍼와 호울더의 바닥사이의 버피가 삽입되어 있으며, 또한 호울더상에서 본래 편평한 웨이퍼 또는 본래 오목으로 뒤틀린 웨이퍼를 볼록으로 뒤틀리게 변형하기에 효과적이고, 상기 호울더는 샤프트쪽으로 약간 기울일 수 있으며, 상기 볼록으로 뒤틀린 웨이퍼는 회전형 웨트스톤 턴-테이블과 접촉하고 있고, 호울더를 기울이게 하기 위해서 보조 샤프트가 호울더의 주변을 밀어내고 있으며, 호울더의 약간의 경사가 웨이퍼상에서 접촉점을 변화시키고, 상기 경사각은 주샤프트와 보조 샤프트 사이의 힘을 할당함에 의하여 조절될 수 있고, 연마된 표면의 거칠기는 R
    max 50㎚ 및 R
    a 20㎚ 이하임을 특징으로 한다.

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