-
-
-
公开(公告)号：KR1019970005160B1
公开(公告)日：1997-04-12
申请号：KR1019880005767
申请日：1988-05-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 후지따노부히꼬 , 이또자끼히데오 , 다나까사부로 , 후지모리나오지 , 이마이다까히로 , 하라다게이조 , 요시다노리유끼 , 다까노사또시 , 미야자끼겐지 , 하야시겐지 , 야즈슈지 , 조다이데쯔지
IPC: H01L39/24
CPC classification number: H01L39/249 , H01L39/2435 , H01L39/2464
-
公开(公告)号：KR100235799B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019910008909
申请日：1991-05-30
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L39/22
CPC classification number: H01L39/2496
Abstract: 함으로써, 기판위에 제1의 산화물 초전도체 박막층과, 비초전도체 박막층과, 제2의 산화물 초전도체 박막층을 이 순서로 적층함으로써 초전도 접합을 형성하는 방법에 있어서, 비초전도체 박막층을 MgO의 박막층에 의해 구성하여, 이 MgO의 박층을 형성할때에 기판을 200 내지 400℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 방법.
-
公开(公告)号：KR1019970005158B1
公开(公告)日：1997-04-12
申请号：KR1019880017018
申请日：1988-12-20
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L39/12
CPC classification number: H01L39/2435 , H01L39/143 , Y10S428/901 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , Y10T428/24917 , Y10T428/31 , Y10T428/31678
Abstract: 내용없음.
-
Patent Agency Ranking
-
-
公开(公告)号：KR100125876B1
公开(公告)日：1997-12-18
申请号：KR1019890002160
申请日：1989-02-24
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: C01G15/00
CPC classification number: H01L39/2419 , C04B35/4512 , C23C14/087 , H01L39/126 , H01L39/2435 , H01L39/2464
Abstract: 요약없음
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.018 seconds)
