公开(公告)号：KR100783463B1

公开(公告)日：2007-12-07

申请号：KR1020077002447

申请日：2006-03-09

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 하기요시아키

IPC: C30B11/00

CPC classification number: C30B11/002 ,  C30B29/42 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1036

Abstract: 결정 성장용 도가니(1)는, 종결정을 설치하기 위한 원통형의 선단부(3)와, 결정을 성장하기 위해 선단부의 위쪽에 형성되어 있고 선단부의 직경보다 큰 직경을 갖는 원통형의 직통부(5)를 포함하는 질화붕소제 도가니로서, 선단부의 두께(T1)와 직통부의 두께(T2)는 0.1 mm≤T2

公开(公告)号：KR1020070069130A

公开(公告)日：2007-07-02

申请号：KR1020077002447

申请日：2006-03-09

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 하기요시아키

IPC: C30B11/00

CPC classification number: C30B11/002 ,  C30B29/42 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1036

Abstract: Crystal growing crucible (1) of boron nitride including cylindrical distal end part (3) for disposing a seed crystal and cylindrical straight trunk part (5) provided above the distal end part for crystal growth and having a diameter larger than that of the distal end part, characterized in that the thickness (T1) of the distal end part and the thickness (T2) of the straight trunk part satisfy the requirement 0.1 mm

Abstract translation: 包括用于设置晶种的圆柱形远端部分（3）和设置在远端部分上方的圆柱形直线部分（5）的氮化硼的晶体生长坩埚（1），用于晶体生长并具有比远端更大的直径 其特征在于，前端部的厚度（T1）和直的躯干部的厚度（T2）满足要求0.1mm <= T2