公开(公告)号：KR1020010034234A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：KR1020007007901

申请日：1999-01-08

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 에노모토다다시 ,  이시카와신지 ,  시게하라마사카즈 ,  하루모토미치코

IPC: G02B6/02

Abstract: 광도파로 그레이팅은 코어 영역(11) 주위에 클래드 영역(12)이 있는 광 파이버(10)에 있어서, 그 코어 영역(11)의 광축 방향을 따른 일정 범위(13)에 주기적인 굴절율 변화가 생기고 있다. 코어 영역(11)은 예를 들면 GeO
2 -P
2 O
5 -SiO
2 계 조성으로, 클래드 영역(12)은 SiO
2 로 이루어지며, 코어 영역(11)에 있어서의 공첨가 비가 조정되어, 특성의 온도 의존성이 저감되어 있다. 코어 영역(11)에 있어서의 P
2 O
5 첨가량이 GeO
2 첨가량의 1/l5배 이상 1배 이하인 것이 적합하며, 보다 바람직하게는 0.6배 내지 1배인 것이 적합하다.

公开(公告)号：KR100251611B1

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019980015463

申请日：1998-04-30

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이시카와신지 ,  이와시마토오루 ,  하루모토미치코 ,  이노우에아키라

IPC: C03B37/012 ,  C03C13/04

CPC classification number: G02B6/02185

Abstract: 본 발명은, 광파이버망내(網內)의 필터, 합분파기(合分波器) 및 분산보상기등에 사용되는 광파이버 그레이팅에 있어서, 초기열화(劣化)의 조건을 보다 간이하고 또한 구체적으로 구해서, 작동시에 있어서의 경시열화를 저감 할 수 있는 광파이버 그레이팅 제도방법을 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 해결수단에 있어서, 광파이버에 Ge원소를 첨가해서 소정의 광을 조사해서 그레이팅을 형성한후, 규격화굴절율이 η1로 되기까지 가열처리해서 초기열화를 행한다. 이때, 온도 T 및 시간 t에 대해서 규격화굴절율차 η가
η = t
-A·exp(-B/T)
로되는 식에 따른것으로해서, 광파이버 그레이팅의 작동온도 T2, 작동시간 t3 및 허용되는 규격화굴절율차 H의 변화량에 의거해서, 초기열화후의 규격화굴절율차 η1을 구한다. 또한, 초기열화후의 규격화굴절율차 η1을 달성 할 수 있는 초기열화온도 T1 및 초기열화시간 t1도 상기의 식으로부터 구하는 것을 특징으로 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019980086677A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019980015463

申请日：1998-04-30

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이시카와신지 ,  이와시마토오루 ,  하루모토미치코 ,  이노우에아키라

IPC: C03B37/012 ,  C03C13/04

Abstract: 본 발명은, 광파이버망내(網內)의 필터, 합분파기(合分波器) 및 분산보상기등에 사용되는 광파이버 그레이팅에 있어서, 초기열화(劣化)의 조건을 보다 간이하고 또한 구체적으로 구해서, 작동시에 있어서의 경시열화를 저감 할 수 있는 광파이버 그레이팅 제도방법을 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 해결수단에 있어서, 광파이버에 Ge원소를 첨가해서 소정의 광을 조사해서 그레이팅을 형성한후, 규격화굴절율이 η1로 되기까지 가열처리해서 초기열화를 행한다. 이때, 온도 T 및 시간 t에 대해서 규격화굴절율차 η가
η = t
-A·exp(-B/T)
로되는 식에 따른것으로해서, 광파이버 그레이팅의 작동온도 T2, 작동시간 t3 및 허용되는 규격화굴절율차 H의 변화량에 의거해서, 초기열화후의 규격화굴절율차 η1을 구한다. 또한, 초기열화후의 규격화굴절율차 η1을 달성 할 수 있는 초기열화온도 T1 및 초기열화시간 t1도 상기의 식으로부터 구하는 것을 특징으로 한 것이다.