公开(公告)号：KR100150389B1

公开(公告)日：1998-12-15

申请号：KR1019950011222

申请日：1995-05-09

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나카하타히데아키 ,  히가키켄지로 ,  후지이사토시 ,  하찌고아키히로 ,  시카타신이찌

IPC: H03H9/00

CPC classification number: H03H9/02582

Abstract: 본 발명은, 적어도 다이아몬드, 상기 다이아몬드상에 배치된 LiNbO
3 층 및 상기 LiNbO
3 층에 접하도록 설치된 IDT를 포함하고, λn(㎛)의 파장을 지닌 제 n식(n=0, 1 또는 2)의 SAW를 이용하는 SAW소자에 있어서, 상기 LiNbO
3 층의 두께를 t
1 (㎛)이라표시한다면 h
1 =2π(t
1 /λn)의 파라미터가 특정범위내에 있는 것을 특징으로 하는 SAW소자에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019950035057A

公开(公告)日：1995-12-30

申请号：KR1019950011222

申请日：1995-05-09

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나카하타히데아키 ,  히가키켄지로 ,  후지이사토시 ,  하찌고아키히로 ,  시카타신이찌

IPC: H03H9/00

Abstract: 본 발명은, 적어도 다이아몬드, 상기 다이아몬드상에 배치된 LiNbO
3 층, 및 상기 LiNbO
3 층에 접하도록 설치된 IDT를 포함하고, λn(㎛)의 파장을 지닌 “제n식”(n=0,1 또는 2)의 SAW를 이용하는 SAW소자에 있어서, 상기 LiNbO
3 층의 두께를 t
1 (㎛)이라 표시한다면 kh
1 =2π(t
1 /λn)의 파라미터가 특정범위내에 있는 것을 특징으로 하는 SAW소자에 관한 것이다.