公开(公告)号：KR1020160047433A

公开(公告)日：2016-05-02

申请号：KR1020157036907

申请日：2014-08-08

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 도요하시 기쥬쯔 가가꾸 다이가꾸

Inventor： 히로츠겐이치 ,  시가노부오 ,  나카하타히데아키 ,  오히라다카시 ,  야마다교헤이

IPC: H02M5/293 ,  H02M5/06 ,  H03H7/38

CPC classification number: H02M5/06 ,  H02M5/293 ,  H03H7/38

Abstract: 전원과저항치 R의부하사이에설치되는변압장치로서, 4 이상의자연수를 n으로하고, n개의리액턴스소자를서로접속하여구성된이단자쌍회로를구비하고, 부하의임의의저항치 R에대하여, 이단자쌍회로의입력임피던스 Z은, 그실수성분이 k를상수로하여 kㆍR로표시되고, 또한, 허수성분이 0인변압장치이다. 이러한변압장치는, 소형경량이며, 종래의트랜스와같은코일이나철심등을필요로하지않는다.

Abstract translation: 提供给电源的负载和电阻值R的变压器，其中变压器设置有n个彼此相连的电抗元件，其中n为4或更大的自然数，并且相对于负载的任意电阻值R， 输入阻抗Z是一个转换装置，其中实数分量用k表示，其中k是一个常数，而虚数分量是零。 这个可变压力的装置，一个小而轻，并且不需要线圈或芯诸如传统变压器。

公开(公告)号：KR101323868B1

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：KR1020107015599

申请日：2008-12-24

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  다니자키게이스케 ,  가와세도모히로 ,  나카하타히데아키

IPC: C30B23/06 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631

Abstract: 본 발명은 대형이며 고품질의 Al
x Ga
1
-
x N 단결정의 성장 방법을 제공한다. 본 발명의 Al
x Ga
1
-
x N 단결정의 성장 방법은, 결정 직경 D ㎜와 두께 T ㎜가 T y Ga
1
-
y N (0 y Ga
1
-
y N 종결정(4)의 주표면(4m) 위에 Al
x Ga
1
-
x N (0

公开(公告)号：KR1020110120258A

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：KR1020110097166

申请日：2011-09-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에무라도모키 ,  이시바시게이지 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302

CPC classification number: C30B33/00 ,  Y10T428/21

Abstract: PURPOSE: An AlGaInN substrate, an AlGalnN substrate washing method, an AlN substrate, and an AlN substrate washing method are provided to immerse the AlGaInN substrate into a washing solution while applying ultrasonic waves, thereby eliminating particles with a diameter of 0.2μm or greater existed on the surface of the AlGaInN substrate. CONSTITUTION: An AlGaInN substrate(45) is immersed in an acid solution(25). A photoelectron spectrum of the surface of the AlGaInN substrate is provided using an X-ray photoelectron spectroscopy with a detection angle of 10°. The acid solution is comprised of at least one kind of a group comprised of hydrofluoric acid, hydrochloric acid, and sulfuric acid. The AlGaInN substrate is immersed for 30 seconds or more. The concentration of the acid solution is 0.5 mass percent or greater.

Abstract translation: 目的：提供AlGaInN衬底，AlGalnN衬底洗涤方法，AlN衬底和AlN衬底洗涤方法，以在施加超声波的同时将AlGaInN衬底浸入洗涤溶液中，从而消除直径为0.2μm以上的颗粒 在AlGaInN衬底的表面上。 构成：将AlGaInN衬底（45）浸入酸溶液（25）中。 使用检测角度为10°的X射线光电子能谱法，提供AlGaInN衬底的表面的光电子光谱。 酸溶液由至少一种由氢氟酸，盐酸和硫酸组成的组成。 将AlGaInN基板浸渍30秒以上。 酸溶液的浓度为0.5质量％以上。

公开(公告)号：KR1020100112068A

公开(公告)日：2010-10-18

申请号：KR1020097021367

申请日：2008-12-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다니자키게이스케 ,  미즈하라나호 ,  미야나가미치마사 ,  나카하타히데아키 ,  야마모토요시유키

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/203 ,  H01L21/318

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658

Abstract: 질화 알루미늄 결정을 성장시킬 때에 기초 기판이 승화되는 것을 방지하여, 결정성이 양호한 질화 알루미늄 결정을 성장 속도를 향상하여 성장시키는 질화 알루미늄 결정의 성장 방법, 질화 알루미늄 결정의 제조 방법 및 질화 알루미늄 결정을 제공한다. 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 방법은, 이하의 공정이 실시된다. 우선, 주표면(11a)과 이면(11b)을 갖는 기초 기판(11)과, 이면(11b)에 형성된 제1층(12)과, 제1층(12)에 형성된 제2층(13)을 구비한 적층 기판(10)이 준비된다. 그리고 기초 기판(11)의 주표면(11a) 상에 질화 알루미늄 결정(20)이 기상 성장법에 의해 성장된다. 제1층(12)은, 질화 알루미늄 결정(20)의 성장 온도에 있어서 기초 기판(11)보다 승화하기 어려운 재질로 이루어진다. 제2층(13)은, 제1층(12)의 열전도율보다 높은 재질로 이루어진다.
질화 알루미늄 결정

公开(公告)号：KR1019950030220A

公开(公告)日：1995-11-24

申请号：KR1019950008254

申请日：1995-04-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나베게이이치로 ,  세키유이치로 ,  이케가야아키히코 ,  후지모리나오지 ,  나카하타히데아키 ,  시카타신이치

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 다이아몬드 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 표면 탄성파 소자, 반도체 장치, 연마 디스크등에 이용하기 위하여 기판 위에 다이아몬드를 피복한 평탄한 다이아몬드 웨이퍼를 제조하는 것으로, 기판위에 기상 합성법에 의해 (100) 배향한 다이아몬드막을 형성하고, 형성후의 휘어짐이 2㎛∼150㎛이 되도록 하고, 이것을 연마해서 Rmax 500Å 이하의 평활한 면으로 하며, 표면 탄성 소자로 할 경우에는 표면 탄성파의 성장의 5배 또는
이하의 평균 입자 직경을 가진 다이아몬드막을 제조함에 의해 이송 손실을 적게 할 수 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020170082502A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：KR1020177008018

申请日：2015-10-09

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 도요하시 기쥬쯔 가가꾸 다이가꾸

Inventor： 나카하타히데아키 ,  하츠카와사토시 ,  히로츠겐이치 ,  오히라다카시 ,  야마다교헤이 ,  에가시라다이야

IPC: H02M3/155 ,  H02M5/22

CPC classification number: H02M1/08 ,  H02M3/158 ,  H02M5/293 ,  H02M3/155 ,  H02M5/22

Abstract: 전단회로로서, 홀수번째의스위치와짝수번째의스위치는교대로온 동작하고, 전체로서는전원에대하여병렬로접속되는스위치직렬체와, 각스위치의상호접속점및 스위치직렬체의양단점을합계 m개의노드로하며, 또한, 양단점중 어느한쪽을접지노드로하여, 홀수노드를묶어제1 출력포트에유도하는제1 전로, 및짝수노드를묶어제2 출력포트에유도하는제2 전로중 적어도한쪽의전로상에설치되고, 접지노드를제외한 (m-1)개의노드에대응하여존재하는커패시터와, 커패시터를개재하지않고, 접지노드를제1 출력포트에직접연결하는접지전로를구비한다. 또한, 후단회로로서, 서로역극성의통전동작을하는한쌍의반도체소자를서로직렬로접속하여이루어지고, 직렬체의일단부가제1 출력포트및 부하의접지단부에접속되고, 직렬체의타단부가제2 출력포트에접속되는소자직렬체와, 소자직렬체의비접지단부를부하의접지단부에유도하는제3 전로, 및한쌍의반도체소자의상호접속점을부하의비접지단부에유도하는제4 전로에각각설치된인덕터를구비한다.

Abstract translation: 编号开关和偶数编号开关交替导通，整体与电源并联，相互连接点和开关串联的短路点之和为m 以及第二转换器，将奇数节点耦合到第一输出端口并将偶数节点耦合到第二输出端口，其中第一转换器和第二转换器中的至少一个连接到第一输出端口， 主电路上设置的电容器，其除了接地节点之外对应于（m-1）个节点，以及接地电路，其直接将接地节点连接到第一输出端口而不插入电容器 。 根据本发明的半导体器件是其中彼此串联电连接的一对半导体元件彼此串联连接的半导体器件， 第三转换器用于将元件的非接触端引导到负载的接地端，以及第四转换器用于引导该对半导体元件的相互连接点到负载的非接触端， 与电感器安装，分别被提供。

公开(公告)号：KR1020160047429A

公开(公告)日：2016-05-02

申请号：KR1020157031244

申请日：2014-08-05

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 도요하시 기쥬쯔 가가꾸 다이가꾸

Inventor： 나카하타히데아키 ,  시가노부오 ,  히로츠겐이치 ,  오히라다카시 ,  야마다교헤이

IPC: H02M5/293

CPC classification number: H02M5/10 ,  H02M5/293

Abstract: 주파수(f)의교류전원과, 저항치(R)의부하사이에설치되는분포정수형의변압장치로서, 주파수(f)에있어서의파장을λ로하여, 교류전원에접속되는길이λ/4의제1 변환기와, 제1 변환기의종단과부하사이에설치되는길이λ/4의제2 변환기를구비하고있는변압장치이다. 이러한변압장치는, 소형경량이며, 종래의트랜스와같은코일이나철심등을필요로하지않는다.

Abstract translation: 和频率的AC电力（f）中，电阻（R）继父已安装在其上的分配整数作为劣的变换设备，和频率（f）的由λ的波长，1个长度λ/ 4连接到AC功率转换议程 和可变压力的装置，并且包括过载之间设置λ/ 4议程第二转换器的所述纵向长度的第一换能器。 这个可变压力的装置，一个小而轻，并且不需要线圈或芯诸如传统变压器。

公开(公告)号：KR101516036B1

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：KR1020107022987

申请日：2009-04-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/06 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38

Abstract: 높은 결정성을 유지하고, 또한 낮은 비용을 유지하는 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재, 에피택셜 웨이퍼, 및 이들의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 기재의 제조 방법은, 이종 기판(11)을 준비하는 공정과, 이종 기판(11) 상에, 주표면을 갖는 Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층을 성장시키는 공정을 포함한다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층에서의 주표면의 조성비 x+v는 0＜x+v＜1이다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층에서, 이종 기판(11)과의 계면으로부터 주표면을 향해 조성비 x+v가 단조 증가 또는 단조 감소한다. Si
(1-vwx) C
w Al
x N
v 층에서, 이종 기판(11)과의 계면의 조성비 x+v는 주표면의 조성비 x+v보다도 이종 기판(11)의 재료에 가깝다.

Abstract translation: 保持高结晶度并保持低成本的Si

公开(公告)号：KR101346501B1

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：KR1020087006047

申请日：2007-03-22

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키 ,  가와세도모히로

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00

Abstract: 본 Ⅲ족 질화물 단결정의 성장 방법은, 승화법에 의한 Al
x Ga
1
-
x N 단결정(4)의 성장 방법으로서, 도가니(12) 내에 원료(1)를 배치하는 공정과, 원료(1)를 승화시켜 도가니(12) 내에 Al
x Ga
1-x N(0 y Ga
1-y N 원료(2)와 불순물 원소(3)를 포함하며, 불순물 원소(3)는 Ⅳb족 원소 및 Ⅱa족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나이다. 이러한 성장 방법에 의하면, 대형으로 전위 밀도가 낮고 결정성이 우수한 Ⅲ족 질화물 단결정을 안정적으로 성장시킬 수 있다.
질화물 단결정, 승화법, 불순물 원소

公开(公告)号：KR101239545B1

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：KR1020110097166

申请日：2011-09-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에무라도모키 ,  이시바시게이지 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302

CPC classification number: C30B33/00 ,  Y10T428/21

Abstract: 본 발명은 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판의 표면상에 존재하는 입자 직경 0.2 ㎛ 이상의 파티클 수가 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판의 구경을 2 인치로 했을 때에 20개 이하인 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판과 그 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판을 얻을 수 있는 세정 방법이다. 또한, 검출 각도 10°에서의 X선 광전자 분광법에 의한 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판(51) 표면의 광전자 스펙트럼에 있어서, C
1s 전자와 N
1s 전자의 피크 면적의 비(C
1s 전자의 피크 면적/N
1s 전자의 피크 면적)가 3 이하인 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판(51)과 그 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판(51)을 얻을 수 있는 세정 방법이다. 검출 각도 10°에서의 X선 광전자 분광법에 의한 AlN 기판(52) 표면의 광전자 스펙트럼에 있어서, Al
2s 전자와 N
1s 전자의 피크 면적의 비(Al
2s 전자의 피크 면적/N
1s 전자의 피크 면적)가 0.65 이하인 AlN 기판(52)과 그 AlN 기판(52)을 얻을 수 있는 세정 방법이다.