公开(公告)号：KR1020110128155A

公开(公告)日：2011-11-28

申请号：KR1020110047860

申请日：2011-05-20

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 이재진 ,  박세진 ,  김영조

IPC: H01L31/047

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/047

Abstract: PURPOSE: A multiple junction solar battery and a manufacturing method thereof are provided to prevent a reversed phase interface defect which is generated in the solar battery interlayer interface. CONSTITUTION: A first substrate is prepared(S10). A InGaP layer and a GaAs layer are grown up in the first substrate in order(S20). A Ge layer is grown up in the GaAs layer by a chemistry meteorology deposition method using a IBuGe(IsoButylGermane)(S30). A BSF(Back Surface Field) layer for preventing the recombination of a carrier which is created in a multiple junction solar battery is formed on the Ge layer. A second substrate is formed on the Ge layer(S40). The first substrate is eliminated and is ohmic-connected(S50).

Abstract translation: 目的：提供一种多结太阳能电池及其制造方法，以防止在太阳能电池层间界面中产生的反相界面缺陷。 构成：制备第一衬底（S10）。 在第一衬底中按顺序生长InGaP层和GaAs层（S20）。 通过使用IBuGe（IsoButylGermane）的化学气象沉积方法，在GaAs层中生长Ge层（S30）。 在Ge层上形成用于防止在多结太阳能电池中产生的载体的复合的BSF（背面场）层。 在Ge层上形成第二基板（S40）。 消除第一衬底并且被欧姆连接（S50）。

公开(公告)号：KR101278117B1

公开(公告)日：2013-06-24

申请号：KR1020110047860

申请日：2011-05-20

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 이재진 ,  박세진 ,  김영조

IPC: H01L31/047

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 다중접합 태양전지 및 그 제작방법이 개시된다. 보다 상세하게는, 본 발명은 태양에너지를 전기에너지로 변환하는 태양전지에 관한 것이며, 태양광의 다양한 스펙트럼에 해당하는 빛을 전체적으로 이용하여 변환효율이 높은 박막태양전지에 관한 것으로서, 특히 GaAs층과 Ge층 사이에 In0.3Ga0.7As 또는 InGaAsN를 포함하며, IBuGe을 이용한 화학기상 증착법에 의해 Ge층을 성장시키고, 다중접합 태양전지를 인버티드(inverted) 방식으로 형성한 다중접합 구조의 태양전지 및 그 제작방법에 관한 것이다.