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公开(公告)号：WO2013129797A1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：PCT/KR2013/001307
申请日：2013-02-20
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/052 , H01L31/0735
CPC classification number: H01L31/0543 , H01L51/447 , H02S40/22 , Y02E10/52 , Y02E10/542
Abstract: 집광용 마이크로렌즈 어레이를 구비한 태양전지가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 집광용 마이크로렌즈 어레이를 구비한 태양전지는, 하부전극; 상단에 상부 불투명 금속 격자 전극이 형성되고, 하단이 상기 하부전극 상에 배치되며, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 이루어져 태양광이 흡수되어 광전변환이 일어나는 광활성층; 및 상기 광활성층의 상단으로부터 일정의 갭을 이루어 배치되어 입사되는 태양광을 굴절하여 상기 광활성층에 전달하는 마이크로 렌즈 어레이를 포함한다.
Abstract translation: 提供具有冷凝微透镜阵列的太阳能电池。 根据本发明的一个实施例的具有聚光微透镜阵列的太阳能电池包括：下部电极; 光活化层，其顶部具有不透明的金属晶格电极，并且其底部布置在下部电极上，并且通过构成该层的III-V族化合物半导体吸收太阳光，从而发生光电转换; 以及微透镜阵列，其布置有从光活化层的顶部的预设间隙，用于折射入射的太阳光并将其透射到光活化层。
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公开(公告)号：KR1020110130966A
公开(公告)日：2011-12-06
申请号：KR1020100050553
申请日：2010-05-28
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/0008 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A vertical type nitride system light emitting diode is provided to offer the vertical type nitride system light emitting diode of high efficiency and high power by minimizing the optical and structural deterioration phenomenon of a quantum well structure. CONSTITUTION: A buffer layer(22) is formed on the upper side of a substrate(21) in order to absorb a shock due to laser lift-off. A sacrificial layer(30) is formed on the upper side of the buffer layer. An n contact layer(23) is formed on the upper side of sacrificial layer. An active layer(24) is formed on the upper side of the n contact layer. The n contact layer emits light according to an electric signal which is applied in a light emitting diode. A p-GaN layer(25) is formed on the upper side of the active layer. Band-gap energy of the sacrificial layer is smaller than band-gap energy of the buffer layer.
Abstract translation: 目的：提供垂直氮化物系统发光二极管，通过最小化量子阱结构的光学和结构劣化现象，提供高效率和高功率的垂直型氮化物系发光二极管。 构成：为了吸收由于激光剥离造成的冲击，在基板（21）的上侧形成缓冲层（22）。 牺牲层（30）形成在缓冲层的上侧。 在牺牲层的上侧形成n个接触层（23）。 在n接触层的上侧形成有源层（24）。 n接触层根据施加在发光二极管中的电信号发光。 在活性层的上侧形成p-GaN层（25）。 牺牲层的带隙能量小于缓冲层的带隙能量。
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公开(公告)号：KR102256029B1
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：KR1020190154936
申请日：2019-11-27
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/285 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L29/06 , B82B3/00 , B82Y40/00
Abstract: 본개시의기술적사상에의한일 양태에따르면, 포토레지스트층이형성된게르마늄기판상에포커싱층을형성하는단계와, 포커싱층상을노광하여포토레지스트층에나노홀을형성하는단계와, 나노홀을통해노출된게르마늄기판상에금속물질을증착하여금속패턴을형성하는단계, 및게르마늄기판을탈이온수에노출시켜금속패턴과접하는게르마늄기판의상부에나노구조체를형성하는단계를포함하는나노구조체의제조방법이개시된다.
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公开(公告)号：KR101996424B1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：KR1020170052479
申请日：2017-04-24
Applicant: 아주대학교산학협력단
Inventor： 이재진
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公开(公告)号：KR101773458B1
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：KR1020160097684
申请日：2016-07-31
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/072 , H01L31/022425 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 본발명의기술적사상에의한일 양태에따른태양전지의제조방법은, 제1 기판상에희생층을형성하는단계, 희생층의하면및 상면중 적어도일면상에변형률을내재하는식각정지층을형성하는단계, 식각정지층상에활성층을형성하는단계, 활성층상에제1 전극층을형성하는단계, 제1 전극층과제2 기판을결합시키는단계, 희생층을제거하여활성층으로부터제1 기판을분리시키는단계, 및제1 기판및 희생층이제거된활성층면에제2 전극층을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的技术特征1天方面，一种制造太阳能电池的方法，该方法包括：形成在第一基板上形成牺牲层，形成蚀刻停止层上的牺牲层的至少一个侧面的应变底层，根据和上表面 步骤，形成在蚀刻停止层上的有源层，耦合第一步骤中，任务2基板中的第一电极层，形成在有源层上的第一电极层，移除所述牺牲层以从所述活性层的第一基板分离的工序中，mitje 并且在去除了第一衬底和牺牲层的有源层表面上形成第二电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130099797A
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020120091702
申请日：2012-08-22
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/052 , H01L31/0735
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L31/0543 , Y02E10/52 , Y02E10/544
Abstract: PURPOSE: A solar cell including a microlens array for collecting sunlight is provided to increase the quantity of photons which are changed into electricity by collecting the sunlight which is inputted to a top opaque metal grid electrode on a photoactive layer. CONSTITUTION: A top opaque metal grid electrode (12) is formed on the upper side of a photoactive layer (14). A microlens array (16) is arranged with a constant gap (22) from the upper side of the photoactive layer. The microlens array refracts sunlight passing through a transparent sealing member (18). The size of a spacer (24) is equal to the constant gap between the upper side of the photoactive layer and the microlens array. A sealant (20) protects the photoactive layer from moisture in the air or a physical impact. [Reference numerals] (AA) Sunlight
Abstract translation: 目的：提供包括用于收集太阳光的微透镜阵列的太阳能电池，以通过收集输入到光活性层上的顶部不透明金属栅格电极的太阳光来增加变成电的光子的量。 构成：在光敏层（14）的上侧形成顶部不透明的金属栅电极（12）。 微透镜阵列（16）从光活性层的上侧设置有恒定的间隙（22）。 微透镜阵列折射穿过透明密封构件（18）的阳光。 间隔物（24）的尺寸等于光敏层的上侧和微透镜阵列之间的恒定间隙。 密封剂（20）保护光敏层免受空气中的湿气或物理冲击。 （附图标记）（AA）阳光
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公开(公告)号：KR1020110128155A
公开(公告)日：2011-11-28
申请号：KR1020110047860
申请日：2011-05-20
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/047
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/047
Abstract: PURPOSE: A multiple junction solar battery and a manufacturing method thereof are provided to prevent a reversed phase interface defect which is generated in the solar battery interlayer interface. CONSTITUTION: A first substrate is prepared(S10). A InGaP layer and a GaAs layer are grown up in the first substrate in order(S20). A Ge layer is grown up in the GaAs layer by a chemistry meteorology deposition method using a IBuGe(IsoButylGermane)(S30). A BSF(Back Surface Field) layer for preventing the recombination of a carrier which is created in a multiple junction solar battery is formed on the Ge layer. A second substrate is formed on the Ge layer(S40). The first substrate is eliminated and is ohmic-connected(S50).
Abstract translation: 目的：提供一种多结太阳能电池及其制造方法，以防止在太阳能电池层间界面中产生的反相界面缺陷。 构成：制备第一衬底（S10）。 在第一衬底中按顺序生长InGaP层和GaAs层（S20）。 通过使用IBuGe（IsoButylGermane）的化学气象沉积方法，在GaAs层中生长Ge层（S30）。 在Ge层上形成用于防止在多结太阳能电池中产生的载体的复合的BSF（背面场）层。 在Ge层上形成第二基板（S40）。 消除第一衬底并且被欧姆连接（S50）。
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公开(公告)号：KR101278117B1
公开(公告)日：2013-06-24
申请号：KR1020110047860
申请日：2011-05-20
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/047
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 다중접합 태양전지 및 그 제작방법이 개시된다. 보다 상세하게는, 본 발명은 태양에너지를 전기에너지로 변환하는 태양전지에 관한 것이며, 태양광의 다양한 스펙트럼에 해당하는 빛을 전체적으로 이용하여 변환효율이 높은 박막태양전지에 관한 것으로서, 특히 GaAs층과 Ge층 사이에 In0.3Ga0.7As 또는 InGaAsN를 포함하며, IBuGe을 이용한 화학기상 증착법에 의해 Ge층을 성장시키고, 다중접합 태양전지를 인버티드(inverted) 방식으로 형성한 다중접합 구조의 태양전지 및 그 제작방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101293120B1
公开(公告)日：2013-08-12
申请号：KR1020120045108
申请日：2012-04-30
Applicant: 아주대학교산학협력단
Inventor： 이재진
IPC: H01L31/0725 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0725 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a very high efficiency and low price type multijunction thin film solar cell using InGaAsSbN is provided to improve conversion efficiency by using bandgap energy. CONSTITUTION: A support layer is prepared (S100). An AlInGaP solar cell is grown on the support layer (S200). An InGaP solar cell is grown on the support layer (S300). A material solar cell of 0.8 to 1.2 eV is grown on a GaAs or an InGaAs solar cell (S400). The solar cell has narrow bandgap. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S100) Support layer is prepared; (S200) (Al)InGaP solar cell is grown on the support layer; (S300) (In)GaP solar cell is grown on the support; (S400) Material solar cell of 0.7 to 1.2 eV is grown; (S500) Support layer is separated
Abstract translation: 目的：提供使用InGaAsSbN制造非常高效率和低价格型多结薄膜太阳能电池的方法，以通过使用带隙能提高转换效率。 构成：制备支撑层（S100）。 在支撑层上生长AlInGaP太阳能电池（S200）。 在支撑层上生长InGaP太阳能电池（S300）。 在GaAs或InGaAs太阳能电池（S400）上生长0.8至1.2eV的材料太阳能电池。 太阳能电池具有窄带隙。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S100）制备支撑层; （S200）（Al）InGaP太阳能电池在支撑层上生长; （S300）（In）GaP太阳能电池在支撑体上生长; （S400）生长0.7〜1.2eV的材料太阳能电池; （S500）支持层分离
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公开(公告)号：KR101188279B1
公开(公告)日：2012-10-09
申请号：KR1020100050553
申请日：2010-05-28
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L33/06
Abstract: 수직형 질화물계 발광 다이오드 제작 시 기판(substrate)의 제거 공정에서 발광 다이오드에 가해지는 자외선의 영향을 차단하기 위해 희생층을 포함하는 수직형 질화물계 발광 다이오드가 개시된다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 기판 위에 형성되는 버퍼층과, 버퍼층의 상부에 형성되는 n측 컨택트층과, n측 컨택트층의 상부에 형성되어 발광 다이오드에 인가되는 전기적 신호에 따라 광을 방출하는 양자 우물 구조의 활성층 및 질화물계 발광 다이오드에 대한 레이저 리프트-오프(laser lift-off)에 사용되는 자외선으로부터 활성층을 보호하기 위해 n측 컨택트층과 버퍼층 사이의 미리 결정된 위치에 형성되는 희생층을 포함하는 수직형 질화물계 발광 다이오드에 관한 것이다.
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