公开(公告)号：KR1020080041219A

公开(公告)日：2008-05-09

申请号：KR1020087004360

申请日：2005-07-22

Applicant: 에스티마이크로일렉트로닉스 에스.알.엘.

Inventor： 리코티지울리오 ,  모렐리마르코 ,  델라토레루이지 ,  비탈리안드레아로렌조

IPC: G01L1/18 ,  G01L1/00 ,  G01L9/00 ,  G01L9/06

Abstract: In an integrated pressure sensor (15) with a high full-scale value, a monolithic body (16) of semiconductor material has a first and a second main surface (16a and 16b), opposite and separated by a substantially uniform distance (w). The monolithic body (16) has a bulk region (17), having a sensitive portion (23) next to the first main surface (16a), upon which pressure (P) acts. A first piezoresistive detection element (18) is integrated in the sensitive portion (23) and has a variable resistance as a function of the pressure (P). The bulk region (17) is a solid and compact region and has a thickness substantially equal to the distance (w).

Abstract translation: 在具有高满量程值的集成压力传感器（15）中，半导体材料的整体（16）具有第一和第二主表面（16a和16b），所述第一和第二主表面相对并分开大致均匀的距离（w） 。 整体式主体（16）具有主体区域（17），其具有靠近第一主表面（16a）的敏感部分（23），压力（P）作用在该区域上。 第一压阻检测元件（18）集成在敏感部分（23）中并且具有作为压力（P）的函数的可变电阻。 本体区域（17）是实心且紧凑的区域，其厚度基本上等于距离（w）。

公开(公告)号：KR101228383B1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：KR1020087004359

申请日：2005-07-22

Applicant: 에스티마이크로일렉트로닉스 에스.알.엘.

Inventor： 리코티지울리오 ,  모렐리마르코 ,  델라토레루이지 ,  비탈리안드레아로렌조 ,  마스트로마테오우발도

IPC: G01L9/06 ,  G01L9/00 ,  G01L19/06

CPC classification number: G01L9/0054 ,  G01L9/0045 ,  G01L15/00

Abstract: 두 배의 측정 스케일을 가지는 압력 센서(15) 내에서: 반도체 물질의 일체형 몸체(16)가 제1의 주 표면 (16a), 벌크 영역 (17) 및 그 위에 압력 (P)이 가해지는 감지부(33)를 구비하며; 공동(cavity)(18)이 상기 일체형 몸체(16) 내에 형성되고 멤브레인(19)에 의해 상기 제1 주 표면(16a)으로부터 분리되며, 상기 멤브레인(19)은 유연하여 상기 압력 (P)의 함수로서 변형될 수 있으며, 상기 멤브레인(19)은 상기 감지부(33) 내부에 배치되며 상기 벌크 영역(17)에 의해 둘러싸이며; 상기 압력의 제1 값들을 감지하는 압전저항 유형의 제1 저압 탐지 소자(28)는 상기 멤브레인(19) 내에서 통합되며 상기 멤브레인(19) 변형의 함수로서 가변 저항을 구비하며; 추가로, 역시 압전저항 유형의 고압 탐지 소자(29)가 상기 멤브레인(19)의 외부에 배치되고 상기 압력(P)의 제1 값들보다는 높은 상기 압력(P)의 제2 값들을 감지한다. 고압 탐지 소자(29)는 압력(P)의 제2 값들을 감지한다.

公开(公告)号：KR1020080031970A

公开(公告)日：2008-04-11

申请号：KR1020087004359

申请日：2005-07-22

Applicant: 에스티마이크로일렉트로닉스 에스.알.엘.

Inventor： 리코티지울리오 ,  모렐리마르코 ,  델라토레루이지 ,  비탈리안드레아로렌조 ,  마스트로마테오우발도

IPC: G01L9/06 ,  G01L9/00 ,  G01L19/06

CPC classification number: G01L9/0054 ,  G01L9/0045 ,  G01L15/00

Abstract: In a pressure sensor (15) with double measuring scale: a monolithic body (16) of semiconductor material has a first main surface (16a), a bulk region (17) and a sensitive portion (33) upon which pressure (P) acts; a cavity (18) is formed in the monolithic body (16) and is separated from the first main surface (16a) by a membrane (19), which is flexible and deformable as a function of the pressure (P), and is arranged inside the sensitive portion (33) and is surrounded by the bulk region (17); a low-pressure detecting element (28) of the piezoresistive type, sensitive to first values of pressure (P), is integrated in the membrane (19) and has a variable resistance as a function of the deformation of the membrane (19); in addition, a high-pressure detecting element (29), also of a piezoresistive type, is formed in the bulk region (17) inside the sensitive portion (33) and has a variable resistance as a function of the pressure (P). The high-pressure detecting element (29) is sensitive to second values of pressure (P).

Abstract translation: 在具有双重测量标尺的压力传感器（15）中：半导体材料的整体（16）具有第一主表面（16a），主体区域（17）和压力（P）作用于其上的敏感部分 ; 在整体式主体（16）中形成空腔（18），并且通过膜（19）与第一主表面（16a）分离，该膜（19）作为压力（P）的函数是柔性和可变形的，并且布置 在所述敏感部分（33）的内部并且被所述主体区域（17）包围; 对第一压力值（P）敏感的压阻型低压检测元件（28）集成在膜（19）中，并具有作为膜（19）的变形的函数的可变电阻; 此外，在敏感部分（33）内的主体区域（17）中形成压阻型高压检测元件（29），并具有作为压力（P）的函数的可变电阻。 高压检测元件（29）对第二压力值（P）敏感。