반도체에 집적된 기억 소자
    1.
    发明公开
    반도체에 집적된 기억 소자 无效
    存储单元结构集成在半导体上

    公开(公告)号:KR1020020079812A

    公开(公告)日:2002-10-19

    申请号:KR1020027009729

    申请日:2000-08-31

    CPC classification number: H01L29/7882 H01L29/792

    Abstract: 본발명은유전층에의하여분리된제1 전극과제2 전극을갖는축전기를포함하는기억소자에관한것이다. 이러한유전층은절연물질로완전하게싸여지고, 전하가영구적으로존재하거나포집되는반절연성층을포함한다. 이러한전하는전극간의전기장에따라제1전극또는제2전극주변에누적됨으로써서로상이한로직레벨이정의된다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种存储单元,其包括具有第一电极和由电介质层隔开的第二电极的电容器。 这种电介质层包括半绝缘材料层,其被绝缘材料完全包围,并且其中电荷永久地存在或被捕获在其中。 取决于电极之间的电场,这种电荷积聚在第一或第二电极附近,由此限定不同的逻辑电平。

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