公开(公告)号：KR101390456B1

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：KR1020097003416

申请日：2007-07-26

Applicant: 에스티마이크로일렉트로닉스 에스.알.엘.

Inventor： 펠리쩨르,파비오 ,  베즈,로베르토 ,  베데스치,페르디난도 ,  가스탈디,로베르토

IPC: G11C13/02 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 상변화 메모리 장치는 상변화 메모리 엘리먼트(3) 및 선택 스위치(4)에 의해 형성된다. 기준 셀(2a)은 기준 셀의 상변화 메모리 엘리먼트(3) 및 기준 셀의 선택 스위치(4)에 의해 형성되며, 판독될 메모리 셀들의 그룹(7)과 연관된다. 메모리 셀들의 그룹의 전기량은 기준 셀의 유사한 전기량과 비교되어, 메모리 셀들의 특성에서의 임의의 드리프트가 보상된다.

公开(公告)号：KR1020090042925A

公开(公告)日：2009-05-04

申请号：KR1020097003416

申请日：2007-07-26

Applicant: 에스티마이크로일렉트로닉스 에스.알.엘.

Inventor： 펠리쩨르,파비오 ,  베즈,로베르토 ,  베데스치,페르디난도 ,  가스탈디,로베르토

IPC: G11C13/02 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  G11C13/02

Abstract: 위상 변경 메모리 장치는 위상 변경 메모리 엘리먼트(3) 및 선택 스위치(4)에 의해 형성된다. 기준 셀(2a)은 기준 셀의 위상 변경 메모리 엘리먼트(3) 및 기준 셀의 선택 스위치(4)에 의해 형성되며, 판독될 메모리 셀들의 그룹(7)과 연관된다. 메모리 셀들의 그룹의 전기량은 기준 셀의 유사한 전기량과 비교되어, 메모리 셀들의 특성에서의 임의의 드리프트가 보상된다.

Abstract translation: 相变存储器件由相变存储器元件3和选择开关4形成。 参考单元2a由参考单元的相变存储元件3和参考单元的选择开关4形成，并且与将被读取的一组存储单元7相关联。 将该组存储器单元的电量与参考单元的相似电量进行比较，以便补偿存储器单元的特性中的任何漂移。