公开(公告)号：KR1020080021688A

公开(公告)日：2008-03-07

申请号：KR1020077030076

申请日：2006-06-01

Applicant: 에스티마이크로일렉트로닉스 에스.알.엘.

Inventor： 펠리쩨르파비오 ,  피로바노아고스티노

IPC: G11C13/02 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/79 ,  G11C16/10

Abstract: A method and apparatus for programming a phase change memory cell (2) is disclosed. A phase change memory cell (2) includes a memory element (10) of a phase change material having a first state ("11"), in which the phase change material is crystalline and has a minimum resistance level, a second state ("00") in which the phase change material is amorphous and has a maximum resistance level, and a plurality of intermediate states with resistance levels there between. The method includes using programming pulses to program the phase change memory cell (2) in either the set, reset, or one of the intermediate states. To program in the intermediate states, a programming pulse creates a crystalline percolation path having an average diameter (D) through amorphous phase change material and a second programming pulse modifies the diameter (D) of the crystalline percolation path to program the phase change memory cell to the proper current level. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 公开了一种用于编程相变存储单元（2）的方法和装置。 相变存储单元（2）包括具有第一状态（“11”）的相变材料的存储元件（10），其中所述相变材料是晶体并且具有最小电阻水平，第二状态（“ 00“），其中相变材料是非晶体并且具有最大电阻水平，以及在其间具有电阻水平的多个中间状态。 该方法包括使用编程脉冲来将相变存储器单元（2）编程在设置，复位或中间状态之一中。 为了在中间状态下进行编程，编程脉冲通过无定形相变材料产生具有平均直径（D）的结晶渗透路径，第二编程脉冲改变晶体渗滤路径的直径（D）以编程相变存储器单元 达到适当的当前水平。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR101263360B1

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：KR1020077030076

申请日：2006-06-01

Applicant: 에스티마이크로일렉트로닉스 에스.알.엘.

Inventor： 펠리쩨르파비오 ,  피로바노아고스티노

IPC: G11C13/02 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/79

Abstract: 상변화메모리셀(2)을프로그래밍하기위한방법및 장치가개시된다. 상변화메모리셀(2)은상 변화물질로이루어진메모리소자(10)를포함하고, 상기상 변화물질은제 1 상태("11"), 제 2 상태("00"), 및다수의중간상태들을가지며, 상기제 1 상태("11")에서는상기상 변화물질이결정질(crystalline)이고최소저항값레벨을가지고, 제 2 상태("00")에서는상기상 변화물질이비정질(amorphous)이고최대저항값레벨을가지며, 그리고상기다수의중간상태들에서는상기최소저항값레벨과상기최대저항값레벨사이의저항값레벨들을가진다. 상기방법은, 상기상 변화메모리셀(2)을, 세트(set) 상태; 리세트(reset) 상태; 또는상기중간상태들중 하나; 중의하나로프로그래밍하기위하여, 프로그래밍펄스들을사용함을포함한다. 상기중간상태들로프로그래밍하기위하여, 제 1 프로그래밍펄스에의해, 비정질상태의상 변화물질을통한평균직경(D)을가지는결정질퍼콜레이션통로(crystalline percolation path)가생성되고, 상기상 변화메모리셀을적절한전류레벨로프로그래밍하도록, 제 2 프로그래밍펄스에의해, 상기결정질퍼콜레이션통로의직경(D)이변경된다.