公开(公告)号：KR1020160002903A

公开(公告)日：2016-01-08

申请号：KR1020157032313

申请日：2014-04-16

Applicant: 에테하 쭈리히

Inventor： 러프제니퍼엘.엠. ,  슈바이거세바스티안 ,  메서슈미트펠릭스

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616

Abstract: 본발명의저항성-스위칭메모리요소가제1 전극, 저항성-스위칭요소; 및제 전극을포함하고, 그러한저항성-스위칭요소는제1 전극과제2 전극사이에배열되고, 그리고저항성-스위칭요소가복수의금속산화물층을포함하거나복수의금속산화물층으로이루어지며, 저항성-스위칭요소의이웃하는금속산화물층들이상이한금속산화물들을포함하거나상이한금속산화물들로이루어진다.

Abstract translation: 本发明的电阻式开关存储元件包括第一电极，电阻开关元件; 以及第二电极，其中所述电阻开关元件布置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且所述电阻开关元件包括多个金属氧化物层或由多个金属氧化物层组成，并且其中所述电阻式开关元件的相邻金属氧化物层 包含或由不同的金属氧化物组成。

公开(公告)号：KR101754187B1

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：KR1020157032313

申请日：2014-04-16

Applicant: 에테하 쭈리히

Inventor： 러프제니퍼엘.엠. ,  슈바이거세바스티안 ,  메서슈미트펠릭스

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616

Abstract: 본발명의저항성-스위칭메모리요소가제1 전극, 저항성-스위칭요소; 및제 전극을포함하고, 그러한저항성-스위칭요소는제1 전극과제2 전극사이에배열되고, 그리고저항성-스위칭요소가복수의금속산화물층을포함하거나복수의금속산화물층으로이루어지며, 저항성-스위칭요소의이웃하는금속산화물층들이상이한금속산화물들을포함하거나상이한금속산화물들로이루어진다.

Abstract translation: 本发明的电阻切换存储元件包括第一电极，电阻切换元件; 包括mitje电极，例如电阻 - 由一个开关元件的包括多个金属氧化物层或多个金属氧化物层，一电阻切换元件包括：第一电极任务2被布置在电极之间，并且所述电阻率切换元件 相邻的金属氧化物层包含不同的金属氧化物或由不同的金属氧化物组成。