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公开(公告)号:KR100322784B1
公开(公告)日:2002-03-13
申请号:KR1019990014963
申请日:1999-04-27
Applicant: 엔지마트 코
CPC classification number: C23C16/45519 , B05D1/08 , C23C16/14 , C23C16/18 , C23C16/30 , C23C16/342 , C23C16/36 , C23C16/406 , C23C16/409 , C23C16/453 , C23C16/45561 , C23C16/45576 , C23C16/45595 , C23C16/50
Abstract: 본발명은개선된화학적기상증착장치및 방법을제공한다. 본발명의기법에의하면 CVD 피막을형성하는데에관련된반응영역및 증착영역에대해개선된차폐를제공함으로써, 고온에민감하고진공챔버또는그와유사챔버내에서처리하기에너무크거나불편한기재를대기중의성분에민감한재료로대기압하에서피복할수 있다. 본발명에따른개선된기법은다양한에너지원과함께사용될수 있으며, 연소화학적기상증착법(CCVD)에특히적절하다.
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公开(公告)号:KR1019990087964A
公开(公告)日:1999-12-27
申请号:KR1019990014963
申请日:1999-04-27
Applicant: 엔지마트 코
CPC classification number: C23C16/45519 , B05D1/08 , C23C16/14 , C23C16/18 , C23C16/30 , C23C16/342 , C23C16/36 , C23C16/406 , C23C16/409 , C23C16/453 , C23C16/45561 , C23C16/45576 , C23C16/45595 , C23C16/50
Abstract: 본발명은개선된화학기상증착장치와그 방법을제공한다. 본발명의기술은 CVD 코팅층을형성할때수반되는반응영역과증착영역의개량된차폐층(shielding)을형성하는데, 상기 CVD 코팅층은고온에민감하고, 진공챔버또는그와유사한챔버내에서처리하기에너무크거나불편한기판상에대기중의성분에민감한재료로되어있는대기압하에서제조할수 있다. 본발명에따른개선된기술은다양한에너지소스를사용할수 있으며, 연소화학기상증착(CCVD)기술에특히적합하다.
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