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公开(公告)号:KR1020140116181A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:KR1020147021370
申请日:2012-12-27
Applicant: 엘화 엘엘씨
Inventor: 치텀3세제시알. , 에크호프필립앤드류 , 가테스윌리암 , 하이드로데릭에이. , 이시가와뮤리엘와이. , 카레조딘티. , 미르볼드나단피. , 판토니에스. , 페트로스키로버트씨. , 테그린클라렌스티. , 터커맨데이비드비. , 위트머찰스 , 우드로웰엘. , 우드빅토리아와이.에이치.
IPC: H01J1/02
CPC classification number: H01J45/00 , B82Y30/00 , H01J1/48 , H01J3/022 , H01J19/38 , H01J21/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 억제기 그리드는 애노드로부터 어긋난 방향으로 전자 상에 힘을 제공하기 위해 선택된 억제기 전기장을 생성하도록 애노드에 근접하게 구성되고, 억제기 전기장은 억제기 그리드로부터 애노드까지 전자들을 통과시키도록 더 선택된다.
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公开(公告)号:KR1020140128975A
公开(公告)日:2014-11-06
申请号:KR1020147021314
申请日:2012-12-27
Applicant: 엘화 엘엘씨
Inventor: 하이드로데릭에이. , 카레조딘티. , 미르볼드나단피. , 판토니에스. , 우드제이알.로웰엘.
CPC classification number: H01J45/00 , B82Y30/00 , H01J1/48 , H01J3/022 , H01J19/38 , H01J21/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 디바이스는 애노드, 캐소드 및 캐소드로부터 애노드로의 전자들의 흐름을 조절하도록 구성되는 그리드를 포함한다. 그리드는 전자들에 흐름에 대해 실질적으로 투과성인 그래핀 재료로 이루어진다. 하나의 대표적 양태에서, 다-전극 전자적 디바이스 (예컨대, 마이크로전자 또는 나노전자적 디바이스) 를 구성하기 위한 방법은 애노드를 제공하는 단계, 캐소드를 제공하는 단계 및 캐소드로부터 애노드로의 전자들의 흐름을 조절하도록 그래핀 재료로 이루어진 그리드를 제공하는 단계를 포함한다. 본 방법은 전자적 디바이스를 형성하도록 진공 유지 컨테이너 내에 애노드, 캐소드 및 그리드를 배치하는 단계를 포함할 수도 있다.
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公开(公告)号:KR1020160085876A
公开(公告)日:2016-07-18
申请号:KR1020167015755
申请日:2014-11-10
Applicant: 엘화 엘엘씨
Inventor: 하이드로드릭에이. , 이시카와뮤리엘와이. , 카레조딘티. , 맥나이트개리엘. , 페트로스키로버트씨.
Abstract: 본명세서에개시된다양한실시예는의료서비스또는제품의자동화된전달을위한시스템, 방법및 장치를포함한다. 시스템및/또는방법은대상으로부터적어도하나의입력을수신하고, 하나이상의검증데이터세트와적어도하나의입력을비교하고, 검증값을생성하고, 대상으로부터적어도하나의부가적인입력을수신하고하나이상의검증데이터세트와적어도하나의부가적인입력을비교하며, 출력을전달하기위해구성된다. 일실시예에서, 시스템및/또는방법은회로를포함한적어도하나의컴퓨팅장치를포함하는키오스크를포함한다. 다른실시예에서, 시스템및/또는방법은신호를전송하기위한구성된회로에동작가능하게결합된적어도하나의구획, 및키오스크의적어도하나의컴퓨팅장치로데이터를전송하기위해구성된적어도하나의포트를가진필 박스장치를포함한다.
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公开(公告)号:KR1020140110981A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:KR1020147021047
申请日:2012-12-27
Applicant: 엘화 엘엘씨
Inventor: 하이드로데릭에이. , 카레조딘티. , 미르볼드나단피. , 판토니에스. , 우드제이알.로웰엘.
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J45/00 , B82Y30/00 , H01J1/48 , H01J3/022 , H01J19/38 , H01J21/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 전계 방출 디바이스가 열 엔진으로서 구성된다. 일 실시예에서, 장치는 캐소드 (cathode); 애노드 (anode) 로서, 캐소드 및 애노드는 캐소드 전위보다 높은 애노드 전위를 생성하도록 제 1 전력 소스에 대해서 수신성인 (receptive), 애노드; 애노드와 캐소드 간에 위치한 게이트로서, 게이트는 게이트 전위를 생성하도록 제 2 전력 소스에 대해 수신성이며, 게이트 전위는 제 1 임계 에너지보다 높은 에너지들을 갖는 전자들의 제 1 세트에 대한, 캐소드로부터의 전자 방출을 유도하도록 선택되는, 게이트; 게이트와 애노드 간에 위치한 억제기 (suppressor); 캐소드와 애노드 간에 위치한 가스를 포함하는 적어도 하나의 영역; 및 전자들의 제 1 세트의 제 1 부분이 통과가능하며 (traversable) 캐소드로부터 애노드까지 연장된 적어도 하나의 경로를 포함한다.
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