公开(公告)号：KR101934165B1

公开(公告)日：2018-12-31

申请号：KR1020160168371

申请日：2016-12-12

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김홍재

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

公开(公告)号：KR101802054B1

公开(公告)日：2017-11-27

申请号：KR1020160017800

申请日：2016-02-16

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  박성표 ,  김홍재 ,  탁영준 ,  홍성환 ,  김희준

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/16

Abstract: 산화물박막트랜지스터가개시된다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판상에형성된게이트전극, 게이트전극상에형성된게이트절연막및 게이트절연막상에형성된산화물반도체박막을포함하고, 산화물반도체박막은과산화수소용액에침지(dipping)되어산화처리된후방채널영역(back channel region)을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种氧化物薄膜晶体管。 根据本发明的一个实施例的氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体薄膜，包括形成在所述栅电极，栅极绝缘膜和形成在形成在基板上的栅极电极的栅极绝缘膜上的氧化物半导体薄膜浸渍（浸泡）的过氧化氢溶液 并包括一个氧化的反向通道区域。

公开(公告)号：KR1020170096431A

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：KR1020160017800

申请日：2016-02-16

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  박성표 ,  김홍재 ,  탁영준 ,  홍성환 ,  김희준

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/16

Abstract: 산화물박막트랜지스터가개시된다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판상에형성된게이트전극, 게이트전극상에형성된게이트절연막및 게이트절연막상에형성된산화물반도체박막을포함하고, 산화물반도체박막은과산화수소용액에침지(dipping)되어산화처리된후방채널영역(back channel region)을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种氧化物薄膜晶体管。 根据本发明的一个实施例的氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体薄膜和栅电极，形成在栅极绝缘膜和栅极绝缘膜，形成于在基板上形成栅电极膜上的氧化物半导体薄膜浸渍（浸泡）的过氧化氢溶液 并包括一个氧化的反向通道区域。