公开(公告)号：KR102218375B1

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：KR1020190109710

申请日：2019-09-04

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  홍성환 ,  김중철 ,  정주성 ,  이이삭 ,  정수진

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/085

Abstract: 본실시예들은상보적으로동작하는제1 트랜지스터의활성층과제2 트랜지스터의활성층을수직으로배치하여, 입력신호를반전시켜출력신호를출력하는인버터의면적을최소화한 3차원인버터를제공한다.

公开(公告)号：KR102199338B1

公开(公告)日：2021-01-06

申请号：KR1020190109685

申请日：2019-09-04

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  홍성환 ,  김형태 ,  정주성 ,  이이삭 ,  정수진

IPC: G09G3/3233 ,  H01L29/786

Abstract: 본실시예들은다결정실리콘트랜지스터와산화물트랜지스터를병렬연결하고, 다결정실리콘트랜지스터와산화물트랜지스터에동형외인성반도체를적용하여, 히스테리시스특성을보상하는디스플레이의구동트랜지스터를제공한다.

公开(公告)号：KR101562932B1

公开(公告)日：2015-10-26

申请号：KR1020140168445

申请日：2014-11-28

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김영규 ,  박지훈 ,  윤석현 ,  홍성환

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 본발명은산화물반도체소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른산화물반도체소자는, 기판; 상기기판상의산화물반도체층;을포함하고, 상기산화물반도체층은두께방향으로산소공공(oxygen vacancy)의농도가상이할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种氧化物半导体器件及其制造方法。 根据本发明的一个实施方案的氧化物半导体器件包括在衬底上形成的衬底和氧化物半导体层。 在氧化物半导体层上，氧空位的浓度在厚度方向上是不同的。

公开(公告)号：KR102163565B1

公开(公告)日：2020-10-12

申请号：KR1020180156553

申请日：2018-12-07

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  홍성환 ,  나재원 ,  강병하 ,  정주성 ,  이이삭 ,  정수진

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR102017866B1

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：KR1020180008863

申请日：2018-01-24

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  홍성환 ,  박성표 ,  김영규 ,  탁영준 ,  나재원 ,  김희준 ,  이진혁

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/14

公开(公告)号：KR101802054B1

公开(公告)日：2017-11-27

申请号：KR1020160017800

申请日：2016-02-16

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  박성표 ,  김홍재 ,  탁영준 ,  홍성환 ,  김희준

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/16

Abstract: 산화물박막트랜지스터가개시된다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판상에형성된게이트전극, 게이트전극상에형성된게이트절연막및 게이트절연막상에형성된산화물반도체박막을포함하고, 산화물반도체박막은과산화수소용액에침지(dipping)되어산화처리된후방채널영역(back channel region)을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种氧化物薄膜晶体管。 根据本发明的一个实施例的氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体薄膜，包括形成在所述栅电极，栅极绝缘膜和形成在形成在基板上的栅极电极的栅极绝缘膜上的氧化物半导体薄膜浸渍（浸泡）的过氧化氢溶液 并包括一个氧化的反向通道区域。

公开(公告)号：KR1020170096431A

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：KR1020160017800

申请日：2016-02-16

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  박성표 ,  김홍재 ,  탁영준 ,  홍성환 ,  김희준

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/16

Abstract: 산화물박막트랜지스터가개시된다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판상에형성된게이트전극, 게이트전극상에형성된게이트절연막및 게이트절연막상에형성된산화물반도체박막을포함하고, 산화물반도체박막은과산화수소용액에침지(dipping)되어산화처리된후방채널영역(back channel region)을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种氧化物薄膜晶体管。 根据本发明的一个实施例的氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体薄膜和栅电极，形成在栅极绝缘膜和栅极绝缘膜，形成于在基板上形成栅电极膜上的氧化物半导体薄膜浸渍（浸泡）的过氧化氢溶液 并包括一个氧化的反向通道区域。