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公开(公告)号：WO2017126938A1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：PCT/KR2017/000728
申请日：2017-01-20
Applicant: 한국표준과학연구원 , 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 이황화몰리브덴을 이용한 촉각센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 실리콘 기반의 웨이퍼(60)를 준비하는 단계(제 1 단계); 웨이퍼(60)의 일면을 패시베이션 처리하여 제 1 패시베이션층(62)을 형성하는 단계(제 2 단계); 제 1 패시베이션층(62)상에 그래핀층(64)을 성막하는 단계(제 3 단계); 그래핀층(64)을 패터닝하여 그래핀패턴(65)을 형성하는 단계(제 4 단계); 그래핀패턴(65)위에 이산화황몰리브덴(70)을 인쇄하고 패터닝하는 단계(제 5 단계); 이산화황몰리브덴(70)의 일면을 패시베이션 처리하여 제 2 패시베이션층(80)을 형성하는 단계(제 6 단계); 및 웨이퍼(60)로부터 분리하여 촉각센서를 생성하는 단계(제 7 단계);를 포함하는 것을 특징으로 하는 이황화몰리브덴을 이용한 촉각센서의 제조방법이 제공된다.
Abstract translation: 使用二硫化钼的触觉传感器及其制造方法技术领域本发明涉及一种使用二硫化钼的触觉传感器及其制造方法。 为此，准备硅基晶片60的步骤（第一步骤）; 钝化处理晶片60的一个表面以形成第一钝化层62（第二步骤）; 在第一钝化层62上形成石墨烯层64（第三步骤）; 通过图案化石墨烯层64形成石墨烯图案65（第四步骤）; 在graphen图案65上打印和图案化二氧化钼70（第五步）; 通过钝化二硫化钼70的一个表面来形成第二钝化层80（步骤6）; 以及从晶片60分离晶片以生成触觉传感器的步骤（步骤7）。提供了使用二硫化钼制造触觉传感器的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2020071605A1
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：PCT/KR2019/004822
申请日：2019-04-22
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 능동형 유기 발광 소자 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 개시한다. 특히, 적어도 하나의 전이금속 칼코겐 화합물 기반의 백플레인을 형성하는 단계에서 플렉서블 기판 상에 제1 절연층을 형성하는 단계, 제1 절연층 상에 서로 이격되는 소스/드레인 전극을 형성하는 단계, 플렉서블 기판의 채널영역 및 상기 소스/드레인 전극 상에 전이금속 칼코겐 화합물을 포함하는 채널층을 형성하는 단계, 채널층 상에 제2 절연층을 형성하여 상기 채널층을 도핑하는 단계 및 제2 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 적어도 하나의 전이금속 칼코겐 화합물 기반의 백플레인은 상기 도핑에 의하여 상기 채널영역이 전자도핑되고, 상기 소스/드레인 전극과 채널층의 접촉부가 전자도핑되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101787235B1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：KR1020160007607
申请日：2016-01-21
Applicant: 한국표준과학연구원 , 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은이황화몰리브덴을이용한촉각센서및 그제조방법에관한것이다. 이를위해, 실리콘기반의웨이퍼(60)를준비하는단계(제 1 단계); 웨이퍼(60)의일면을패시베이션처리하여제 1 패시베이션층(62)을형성하는단계(제 2 단계); 제 1 패시베이션층(62)상에그래핀층(64)을성막하는단계(제 3 단계); 그래핀층(64)을패터닝하여그래핀패턴(65)을형성하는단계(제 4 단계); 그래핀패턴(65)위에이산화황몰리브덴(70)을인쇄하고패터닝하는단계(제 5 단계); 이산화황몰리브덴(70)의일면을패시베이션처리하여제 2 패시베이션층(80)을형성하는단계(제 6 단계); 및웨이퍼(60)로부터분리하여촉각센서를생성하는단계(제 7 단계);를포함하는것을특징으로하는이황화몰리브덴을이용한촉각센서의제조방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR101900045B1
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：KR1020170055578
申请日：2017-04-28
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/66
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/0228 , H01L21/02568 , H01L29/24 , H01L29/4908 , H01L29/517 , H01L29/78603 , H01L29/78696
Abstract: 본발명은 (a) 절연층이형성된기판을준비하는단계; (b) 기판상에소스/드레인전극을형성하는단계; (c) 기판의채널영역과소스/드레인전극상에전이금속칼코게나이드(transition metal dichalcogenides)을포함하는채널층을형성하는단계; 및 (d) 채널층상에원자층증착(atomic layer deposition)으로알루미나(AlO) 절연층을형성하여상기채널층을도핑하는단계;를포함하고, 도핑에의하여채널영역이전자도핑되고, 소스/드레인전극의채널층과의접촉부가전자도핑되는, 트랜지스터의제조방법에관한것이다. 이에의하여, 본발명의칼코게나이드채널층을포함하는트랜지스터의제조방법은고유전율유전체를이용하여전자적채널도핑을함에있어서, 소스/드레인전극형성과채널형성순서를변경하고, 원자층증착방법을도핑방법으로도입함으로써채널영역뿐만아니라전극접촉을형성하는부분까지도핑효과를발생시켜전자이동도를증가시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170088003A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：KR1020160007607
申请日：2016-01-21
Applicant: 한국표준과학연구원 , 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은이황화몰리브덴을이용한촉각센서및 그제조방법에관한것이다. 이를위해, 실리콘기반의웨이퍼(60)를준비하는단계(제 1 단계); 웨이퍼(60)의일면을패시베이션처리하여제 1 패시베이션층(62)을형성하는단계(제 2 단계); 제 1 패시베이션층(62)상에그래핀층(64)을성막하는단계(제 3 단계); 그래핀층(64)을패터닝하여그래핀패턴(65)을형성하는단계(제 4 단계); 그래핀패턴(65)위에이산화황몰리브덴(70)을인쇄하고패터닝하는단계(제 5 단계); 이산화황몰리브덴(70)의일면을패시베이션처리하여제 2 패시베이션층(80)을형성하는단계(제 6 단계); 및웨이퍼(60)로부터분리하여촉각센서를생성하는단계(제 7 단계);를포함하는것을특징으로하는이황화몰리브덴을이용한촉각센서의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 使用二硫化钼的触觉传感器及其制造方法技术领域本发明涉及使用二硫化钼的触觉传感器及其制造方法。 为此，准备硅基晶片60的步骤（第一步骤）; 通过钝化晶片60的表面来形成第一钝化层62（第二步骤）; 在第一钝化层62上形成石墨烯层64（第三步骤）; 通过图案化石墨烯层64形成石墨烯图案65（第四步骤）; 在graphen图案65上打印和图案化二氧化钼70（第五步）; 通过钝化钼（70）二氧化硫的表面来形成第二钝化层（80）（步骤6）; 和一个步骤（步骤7），以从晶片中分离60产生触觉传感器，用于制造使用二硫化钼，提供一种包括触摸传感器的方法，包括：一个。
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