-
公开(公告)号：KR102231166B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020190036973A
申请日：2019-03-29
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/16
Abstract: 본 발명은 비선형 선택 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 비선형 선택 소자는 제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 금속 절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 갖는 제 1 전이 금속의 산화물 매트릭스 층 및 상기 산화물 매트릭스 층 내에 국부적으로 배치되고, 상기 제 1 전이 금속과 다른 종류의 제 2 전이 금속의 산화물을 포함하며, 문턱 전압을 갖는 스위칭 층을 포함하고, 상기 문턱 전압은 상기 제 2 전이 금속의 산화물의 함유량에 의해 조절될 수 있다.
-
公开(公告)号：KR20210027781A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190108633A
申请日：2019-09-03
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L45/08 , H01L27/24 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 소자는 제 1 전극; 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되며, 가역적 필라멘트가 형성되는 제 1 산화물 층; 및 상기 1 산화물 층과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 상기 제 1 산화물 층에 상기 가역적 필라멘트를 구성하는 산소 공공을 형성하도록 상기 제 1 산화물 층의 산소 중 일부를 흡수하는 산소 저장 층을 포함하며, 상기 산소 공공의 농도는 제 1 산화물 층 측에서 상기 산소 저장 층 측으로 갈수록 증가한다.
-
公开(公告)号：KR102077957B1
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：KR1020190040153
申请日：2019-04-05
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
-
公开(公告)号：KR101951542B1
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：KR1020170029899
申请日：2017-03-09
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170112608A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160039797
申请日：2016-03-31
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
Abstract: 비휘발성메모리소자및 이의제조방법에관해개시되어있다. 상기비휘발성메모리소자는가변저항물질을포함하는데이터저장부재및 칼코게나이드계물질을포함하는스위칭부재를포함할수 있다. 상기데이터저장부재와상기스위칭부재는전기적으로서로연결되어있을수 있다. 상기칼코게나이드계물질은 Te, Se 및이들의조합중 하나를포함할수 있다. 상기칼코게나이드계물질은결정질상을가질수 있다. 상기칼코게나이드계물질은약 2.1 eV 보다큰 밴드갭을가질수 있다. 상기상변화메모리소자는다층교차점구조(multilayer cross-point structure)를가질수 있다.
Abstract translation: 公开了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储装置可以是包括数据存储部件和包括可变电阻材料中的基于硫族化合物材料中的切换部件。 数据存储构件和切换构件可以彼此电连接。 基于硫族化物的材料可以包括Te，Se及其组合中的一种。 硫属化物基材料可以具有结晶相。 硫属化物基材料可具有大于约2.1eV的带隙。 相变存储器件可以具有多层交叉点结构。
-
公开(公告)号：KR1020170099173A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160021207
申请日：2016-02-23
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은비선형스위치소자, 이의제조방법, 및이를포함하는비휘발성메모리소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 제 1 전극; 제 2 전극; 및상기제 1 전극과상기제 2 전극사이에배치되고적어도일부에결정화된칼코게나이드재료를포함하는칼코게나이드계박막을포함하는비선형스위치소자가제공된다.
Abstract translation: 非线性开关元件及其制造方法，以及包含该非线性开关元件的非易失性存储器件技术领域本发明涉及非线性开关元件， 根据本发明的实施例，提供了一种液晶显示器，包括：第一电极; 第二电极; 以及设置在第一电极和第二电极之间并包括至少部分结晶的硫族化物材料的基于硫族化物的薄膜。
-
公开(公告)号：KR101727538B1
公开(公告)日：2017-04-18
申请号：KR1020150117594
申请日：2015-08-21
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/73 , H01L29/739 , H01L21/027 , H01L21/268
Abstract: 본발명에따라서기판을제공하는단계와; 상기기판상에하부도핑층을형성하는단계와; 상기하부도핑층의불순물의확산이일어나지않도록저온공정을통해상기하부도핑층상에절연막을형성하는단계와; 상기절연막을포토레지스트를이용하여소정의패턴으로식각하여트렌치를형성하는단계와; 상기트렌치내에채널을형성하고, 하부도핑층의불순물의채널로의확산을방지할수 있는저온공정을통해상기채널상에상부도핑층을형성하는단계와; 하부도핑층의불순물의채널로의확산을방지하면서상기상부도핑층을활성화하기위하여, 상기상부도핑층상에엑시머레이저를조사하는단계를포함하는것을특징으로하는수직형터널전계효과트랜지스터제조방법이제공된다.
-
公开(公告)号：KR101603511B1
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：KR1020140070787
申请日：2014-06-11
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L21/31
Abstract: 본발명에따라서수직형채널구조의반도체메모리소자를제조하는방법이제공된다. 상기방법은기판을제공하는단계와; 상기기판에소정의물질을도핑하여, 하부게이트영역을형성하는단계와; 복수의절연막/게이트막을번갈아형성하는단계로서, 최하층과최상층은절연막으로구성하는것인, 상기복수의절연막/게이트막을형성하는단계와; 상기절연막/게이트막을패터닝처리하여, 배선접속용제1 관통홀과소자형성용의제2 관통홀을형성하는단계로서, 상기하부게이트영역의일부가노출되도록상기관통홀을형성하는단계와; 상기관통홀의측벽및 바닥벽을따라고유전물질의메모리절연막을형성하는단계와; 습식식각을이용하여, 상기제1 관통홀의바닥벽에형성된상기메모리절연막을부분제거하여, 상기하부게이트영역과의접촉영역을형성하는단계와; 상기메모리절연막과제1 및제2 관통홀을덮는재료를형성하고, 이를식각하여, 채널층을형성하는단계와; 상기제1 관통홀에형성된채널층을식각하여, 상기접촉영역을노출시키는단계와; 상기관통홀을메우도록그리고상기채널층및 메모리절연막을덮도록절연막을형성하는단계와; 상기절연막을식각하여, 상기제1 관통홀및 제2 관통홀에형성된절연막을관통하는전극형성용제3 관통홀을형성하는단계로서, 제1 관통홀중의접촉영역및 제2 관통홀중의채널층이노출되도록상기제3 관통홀을형성하는단계와; 상기제3 관통홀을통해도핑처리를수행하는단계와; 상기제3 관통홀을금속으로채워금속전극을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.
-
公开(公告)号：KR1020160017157A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：KR1020140098087
申请日：2014-07-31
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/822 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L29/6675 , H01L29/78696
Abstract: 본발명에따른비정질실리콘막을결정화하는방법은반도체기판의적어도일부에비정질실리콘막을형성하는단계; 상기비정질실리콘막 위에캡핑층을형성하는단계; 상기캡핑층이형성된비정질실리콘막의미리정해진위치에엑시머레이저를이용하여열처리하는단계를포함한다. 본발명에따른반도체소자에형성되는비정질실리콘막의적어도일부를결정화하는방법을이용하면하드마스크, 박막트랜지스터의채널층등에형성된비정질실리콘막을액시머레이저어닐링법을이용하여일부를결정질실리콘막으로형성한경우에도표면거칠기가불량해지지않음으로서, 엑시머레이저어닐링이후에추가의표면을평탄하게하는단계가필요없으므로, 결정질실리콘막의제조가용이해진다.
Abstract translation: 本发明涉及一种非晶硅膜结晶方法，包括以下步骤：在半导体衬底的至少一部分上形成非晶硅膜; 在所述非晶硅膜上形成覆盖层; 并通过准分子激光对其上形成有覆盖层的非晶硅膜上的预定位置进行热处理。 根据本发明，通过使用在半导体器件上形成的非晶硅膜的至少一部分结晶的方法，即使形成在硬掩模的沟道层等上的非晶硅膜的一部分和 通过准分子激光退火法由结晶硅膜形成薄膜晶体管，表面粗糙度不错，因此在退火后不需要额外制作表面平坦的步骤，从而容易制造结晶硅膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
82
records
(took 0.036 seconds)
