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公开(公告)号:KR102231166B1
公开(公告)日:2021-03-22
申请号:KR1020190036973A
申请日:2019-03-29
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/16
Abstract: 본 발명은 비선형 선택 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 비선형 선택 소자는 제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 금속 절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 갖는 제 1 전이 금속의 산화물 매트릭스 층 및 상기 산화물 매트릭스 층 내에 국부적으로 배치되고, 상기 제 1 전이 금속과 다른 종류의 제 2 전이 금속의 산화물을 포함하며, 문턱 전압을 갖는 스위칭 층을 포함하고, 상기 문턱 전압은 상기 제 2 전이 금속의 산화물의 함유량에 의해 조절될 수 있다.
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公开(公告)号:WO2020184998A1
公开(公告)日:2020-09-17
申请号:PCT/KR2020/003427
申请日:2020-03-12
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 이화여자대학교 산학협력단 , 차의과학대학교 산학협력단
IPC: A61K31/136 , A61K31/145 , A61K31/18 , A61K31/495 , A61K31/4453 , A61P3/00 , A23L33/10
Abstract: 본 발명은 대사성 질환의 예방 또는 치료용 약학 조성물에 관한 것으로서, 상기 본 발명에 따른 조성물은 대사성 질환을 겪고 있는 개체에 투여되는 경우 매우 효과적으로 혈당을 낮춰, 대사성 질환의 예방, 개선 또는 치료에 매우 적절하게 사용될 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020160061200A
公开(公告)日:2016-05-31
申请号:KR1020140163792
申请日:2014-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: A61K39/395 , A61K48/00 , A61P35/00
CPC classification number: A61K39/39558 , A61K31/00 , A61K31/4985 , A61K2039/505 , C07K16/2863 , C07K2317/24 , C07K2317/52 , C07K2317/622 , C07K2317/92 , C07K2319/00 , G01N33/57492 , G01N33/74 , G01N2333/65 , G01N2800/52 , A61K2300/00 , A61K39/395 , A61K48/00 , Y10S514/885
Abstract: c-Met 저해제및 IGF-1R 저해제를유효성분으로포함하는암의예방및/또는치료를위한병용투여용약학조성물, IGF-1R 저해제의 c-Met 저해제효능증진(저항성극복) 용도, 및 c-Met 저해제에대한저항성마커로서의 IGF-1R의용도가제공된다.
Abstract translation: 提供含有c-Met抑制剂和IGF-1R抑制剂作为预防和/或治疗癌症的活性成分的组合疗法的药物组合物,使用IFG-1R抑制剂增加(克服抗性)c- Met抑制剂,以及使用IGF-1R作为c-Met抑制剂的抗性标记物。
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公开(公告)号:KR102077957B1
公开(公告)日:2020-02-14
申请号:KR1020190040153
申请日:2019-04-05
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
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公开(公告)号:KR102231166B1
公开(公告)日:2021-03-22
申请号:KR1020190036973
申请日:2019-03-29
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
Abstract: 본발명은비선형선택소자, 이의제조방법및 이를포함하는비휘발성메모리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 상기비선형선택소자는제 1 전극; 제 2 전극; 및상기제 1 전극과상기제 2 전극사이에배치되고, 금속절연체전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을갖는제 1 전이금속의산화물매트릭스층 및상기산화물매트릭스층 내에국부적으로배치되고, 상기제 1 전이금속과다른종류의제 2 전이금속의산화물을포함하며, 문턱전압을갖는스위칭층을포함하고, 상기문턱전압은상기제 2 전이금속의산화물의함유량에의해조절될수 있다.
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