KR102231166B1 - Non-linear selection device and method of fabricating the same, and non-volatile memory device the same

    公开(公告)号:KR102231166B1

    公开(公告)日:2021-03-22

    申请号:KR1020190036973A

    申请日:2019-03-29

    CPC classification number: H01L45/1253 H01L45/145 H01L45/16

    Abstract: 본 발명은 비선형 선택 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 비선형 선택 소자는 제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 금속 절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 갖는 제 1 전이 금속의 산화물 매트릭스 층 및 상기 산화물 매트릭스 층 내에 국부적으로 배치되고, 상기 제 1 전이 금속과 다른 종류의 제 2 전이 금속의 산화물을 포함하며, 문턱 전압을 갖는 스위칭 층을 포함하고, 상기 문턱 전압은 상기 제 2 전이 금속의 산화물의 함유량에 의해 조절될 수 있다.

    비선형 선택 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치

    公开(公告)号:KR102231166B1

    公开(公告)日:2021-03-22

    申请号:KR1020190036973

    申请日:2019-03-29

    Abstract: 본발명은비선형선택소자, 이의제조방법및 이를포함하는비휘발성메모리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 상기비선형선택소자는제 1 전극; 제 2 전극; 및상기제 1 전극과상기제 2 전극사이에배치되고, 금속절연체전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을갖는제 1 전이금속의산화물매트릭스층 및상기산화물매트릭스층 내에국부적으로배치되고, 상기제 1 전이금속과다른종류의제 2 전이금속의산화물을포함하며, 문턱전압을갖는스위칭층을포함하고, 상기문턱전압은상기제 2 전이금속의산화물의함유량에의해조절될수 있다.

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