公开(公告)号：KR101784558B1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：KR1020150113910

申请日：2015-08-12

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  우황제 ,  박규남 ,  박주상 ,  고경용

IPC: G01N27/407 ,  G01N33/00

Abstract: TCA 가스를감지하는반도체센서및 이를이용하는센서장치에관한기술이개시된다. 개시된 TCA 가스를감지하는반도체센서는기판; 상기기판상에형성되며, 금속산화물또는다이칼코게나이드(dichalcogenide) 화합물로이루어진 TCA 감지채널층; 및전극을포함하며, 상기 TCA 감지채널층의전류량은, 상기 TCA 감지채널층과 TCA(Trichloroanisole)의반응에따라변화한다.

Abstract translation: 公开了与用于感测TCA气体的半导体传感器有关的技术以及使用该技术的传感器装置。 所公开的用于感测TCA气体的半导体传感器包括：衬底; 在衬底上形成并由金属氧化物或二硫族化合物制成的TCA传感通道层; 以及电极，其中TCA感测沟道层的电流量根据TCA感测沟道层与TCA（三氯茴香醚）之间的反应而变化。

公开(公告)号：KR1020170024304A

公开(公告)日：2017-03-07

申请号：KR1020150119388

申请日：2015-08-25

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  우황제

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/48 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 ,  H01L29/423 ,  H01L21/02

Abstract: 구리게이트전극의구리확산을방지할수 있는박막트랜지스터및 그제조방법에관한기술이개시된다. 개시된박막트랜지스터는기판; 상기기판상에위치하는, 구리게이트전극; 및금속질화물로이루어진구리확산방지층을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170019716A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：KR1020150113910

申请日：2015-08-12

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  우황제 ,  박규남 ,  박주상 ,  고경용

IPC: G01N27/407 ,  G01N33/00

Abstract: TCA 가스를감지하는반도체센서및 이를이용하는센서장치에관한기술이개시된다. 개시된 TCA 가스를감지하는반도체센서는기판; 상기기판상에형성되며, 금속산화물또는다이칼코게나이드(dichalcogenide) 화합물로이루어진 TCA 감지채널층; 및전극을포함하며, 상기 TCA 감지채널층의전류량은, 상기 TCA 감지채널층과 TCA(Trichloroanisole)의반응에따라변화한다.