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公开(公告)号：KR1020150101216A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：KR1020140022648
申请日：2014-02-26
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 인천대학교 산학협력단
IPC: H01L21/28 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 구리층 캡핑 방법 및 그를 이용한 구리 배선 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 구리층 캡핑 방법은, 구리층이 형성된 기판을 가열하는 단계; 코발트 전구체로 코발트 사이클로펜타디에닐 디카보닐(cobalt cyclopentadienyl dicarbonyl)을 이용하고, 반응 기체로 수소를 이용하여 상기 구리층에 코발트층을 증착하는 단계; 및 상기 기판에 암모니아를 제공하면서 플라즈마를 생성하여, 상기 기판을 플라즈마 처리하는 단계;를 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种铜层封盖方法及其制造方法。 铜层封盖方法包括以下步骤：加热其上形成有铜层的基板; 通过使用环戊二烯基二羰基钴作为钴前体并通过使用氢作为反应气体，在铜层上沉积钴层; 以及在向衬底提供氨的同时产生等离子体，并对衬底进行等离子体处理。
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公开(公告)号：KR1020130005150A
公开(公告)日：2013-01-15
申请号：KR1020110066555
申请日：2011-07-05
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a carbon thin film and a method for fabricating a semiconductor memory device are provided to deposit a carbon thin film in a low temperature and to reduce fabrication costs. CONSTITUTION: Halocarbon is supplied to a reaction space(S101). The excess of halocarbon is removed(S102). Hydrogen or hydrogen plasma is supplied to the reaction space(S103). The reactant of hydrogen or halogen atom is removed(S104). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Terminating a first cycle; (S101) Supplying halocarbon to a reaction space; (S102) Removing excess of halocarbon; (S103) Supplying hydrogen or hydrogen plasma; (S104) Removing reactant of hydrogen or halogen atom
Abstract translation: 目的：提供一种制造碳薄膜的方法和半导体存储器件的制造方法，以将低碳薄膜沉积并降低制造成本。 构成：向反应空间供应卤代烃（S101）。 除去过量的卤代烃（S102）。 向反应空间供给氢或氢等离子体（S103）。 除去氢或卤素原子的反应物（S104）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）终止第一个循环; （S101）向反应空间供给卤化碳; （S102）除去过量的卤化碳; （S103）供给氢或氢等离子体; （S104）除去氢或卤素原子的反应物
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公开(公告)号：KR101621852B1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：KR1020140173755
申请日：2014-12-05
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 인천대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53266 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은반도체소자및 이의제조방법에관한것으로, 기판; 기판상의도전성라인; 및기판과도전성라인사이의시드층을포함하는반도체소자로서, 시드층은코발트티타늄나이트라이드를포함하는반도체소자를개시한다.
Abstract translation: 本发明涉及通过具有种子层性质和扩散防止层特性的多功能单薄膜种子层同时降低布线处理成本的半导体装置，能够提高半导体元件的生产率， 其制造方法。 半导体元件包括：基板; 在基板上的导电线; 以及在所述基板和所述导电线之间的种子层。 种子层包括钴氮化钛。
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公开(公告)号：KR1020120077952A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100140092
申请日：2010-12-31
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: C01B33/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16 , C01P2004/64
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of ruthenium capped silicide nanowire is provided to use ruthenium as a capping layer by using an atomic layer deposition process. CONSTITUTION: A manufacturing method of ruthenium capped silicide nanowire comprises the following step: evaporating a cobalt atomic layer thin film on a silicon nano wire substrate using an atomic layer deposition; and evaporating the ruthenium on silicon nano wire in which cobalt is vaporized for capping the ruthenium using the atomic layer deposition process. The ruthenium capping step comprises the following steps: injecting and evaporating DER(2,4-dimethylpentadienyl ethylcyclopentadienyl ruthenium) on the nano wire substrate as a precursor; washing with argon gas; injecting O2 as a reactant into a reactor; and washing with argon gas.
Abstract translation: 目的：提供钌封装的硅化物纳米线的制造方法，通过使用原子层沉积工艺来使用钌作为覆盖层。 构成：钌封装的硅化物纳米线的制造方法包括以下步骤：使用原子层沉积在硅纳米线基板上蒸发钴原子层薄膜; 并且使用原子层沉积工艺蒸发钴被蒸发以覆盖钌的硅纳米线上的钌。 钌覆盖步骤包括以下步骤：在作为前体的纳米线基材上注入和蒸发DER（2,4-二甲基戊二烯基乙基环戊二烯基钌） 用氩气洗涤; 将O 2作为反应物注入反应器; 并用氩气洗涤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101553357B1
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140022648
申请日：2014-02-26
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 인천대학교 산학협력단
IPC: H01L21/28 , H01L21/205
Abstract: 본발명은구리층캡핑방법및 그를이용한구리배선제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른구리층캡핑방법은, 구리층이형성된기판을가열하는단계; 코발트전구체로코발트사이클로펜타디에닐디카보닐(cobalt cyclopentadienyl dicarbonyl)을이용하고, 반응기체로수소를이용하여상기구리층에코발트층을증착하는단계; 및상기기판에암모니아를제공하면서플라즈마를생성하여, 상기기판을플라즈마처리하는단계;를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101116857B1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：KR1020100047053
申请日：2010-05-19
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 태양전지는기판, 제1 도전형반도체층, 진성반도체층, 제2 도전형반도체층, 제1 전극및 제2 전극을포함한다. 기판에는복수의나노구조물이형성되고, 나노구조물들을커버하도록제1 도전형반도체층이형성되고, 제1 도전형반도체층상에진성반도체층이형성되며, 진성반도체층상에제2 도전형반도체층이형성된다. 제1 전극은제2 도전형반도체층상에형성된다.
Abstract translation: 太阳能电池包括衬底，第一导电类型半导体层，本征半导体层，第二导电类型半导体层，第一电极和第二电极。 设置有多个纳米结构的衬底上形成，并且形成在第一导电型半导体层，以覆盖所述纳米结构，被形成在第一导电类型半导体层上的本征半导体层，本征半导体层上的第二导电型半导体层 它形成。 第一电极形成在第二导电类型半导体层上。
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公开(公告)号：KR1020110127518A
公开(公告)日：2011-11-25
申请号：KR1020100047053
申请日：2010-05-19
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042
Abstract: PURPOSE: A solar cell is provided to improve the electrical and optical characteristics of a conductive layer and a nanostructure by forming a nanostructure and then processing the nanostructure by plasma. CONSTITUTION: A solar cell comprises a substrate, a first conductive semiconductor layer, an intrinsic semiconductor layer(60), a second conductive semiconductor layer, a first electrode(80), and a second electrode. A plurality of nanostructures(40) is formed in the substrate. The first conductive semiconductor layer covers up the nanostructures. The intrinsic semiconductor layer is formed on the first conductive semiconductor layer. The second conductive semiconductor layer is formed on the intrinsic semiconductor layer. The first electrode is formed on the second conductive semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池，以通过形成纳米结构，然后通过等离子体处理纳米结构来改善导电层和纳米结构的电学和光学特性。 构成：太阳能电池包括衬底，第一导电半导体层，本征半导体层（60），第二导电半导体层，第一电极（80）和第二电极。 在衬底中形成多个纳米结构（40）。 第一导电半导体层覆盖纳米结构。 本征半导体层形成在第一导电半导体层上。 第二导电半导体层形成在本征半导体层上。 第一电极形成在第二导电半导体层上。
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公开(公告)号：KR101261548B1
公开(公告)日：2013-05-09
申请号：KR1020110066555
申请日：2011-07-05
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/205
Abstract: 본발명의일 실시예에따른탄소박막제조방법은반응공간에탄소원으로할로겐화탄소를공급하고, 상기반응공간에반응물을공급하되, 상기반응물은상기할로겐화탄소의할로겐원소에대하여탄소보다큰 결합에너지를갖는물질을포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020130071936A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：KR1020110139429
申请日：2011-12-21
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28556 , H01L21/28518 , H01L21/324
Abstract: PURPOSE: A self-formation method of nickel silicide (NiSi) by atomic layer deposition (ALD) is provided to form nickel silicide through a simple process without thermal burden. CONSTITUTION: A method for making nickel silicide through plasma enhanced atomic layer deposition comprises the steps of: putting a silicon film into a reactor; putting a nickel source together with argon carrier gas into the reactor; removing redundant nickel source except for the nickel source physically or chemically deposited on the silicon film by putting argon purging gas; reducing the deposited nickel source by putting ammonia plasma or ammonia; and forming the nickel silicide. [Reference numerals] (AA) Nickel source; (BB) Argon gas purge; (CC,DD,GG,HH) Silicone layer; (EE) Argon gas purge; (FF) NH_3 plasma or NH_3
Abstract translation: 目的：提供通过原子层沉积（ALD）的硅化镍（NiSi）的自生成方法，通过简单的工艺无热负荷形成硅化镍。 构成：通过等离子体增强的原子层沉积来制造硅化镍的方法包括以下步骤：将硅膜放入反应器中; 将镍源与氩载气一起放入反应器中; 通过放置氩气吹扫气体去除物理或化学沉积在硅膜上的镍源的重复镍源; 通过放置氨等离子体或氨来减少沉积的镍源; 并形成硅化镍。 （附图标记）（AA）镍源; （BB）氩气吹扫; （CC，DD，GG，HH）硅胶层; （EE）氩气吹扫; （FF）NH_3等离子体或NH_3
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