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公开(公告)号：KR1020090085430A
公开(公告)日：2009-08-07
申请号：KR1020080011323
申请日：2008-02-04
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: A single crystal silicon nano ribbon and a manufacturing method thereof are provided to be applied to an electronic device and an electric chemical device by performing a high specific surface region and high crystallinity. A titanium layer is formed on a silicon substrate. Thickness of the titanium layer is 10~30nm. A platinum layer is formed on the titanium layer. Thickness of the platinum layer is 1~10nm. A single crystal silicon nano ribbon is formed on the silicon substrate. A single crystal nano wire is grown into one direction(110). The single crystal silicon nano ribbon is grown into the other direction(1-12) from the single crystal silicon nano wire. The single crystal silicon nano ribbon has thickness of 5~50nm, and a width of 0.1~2um.
Abstract translation: 通过执行高比表面积和高结晶度，提供了单晶硅纳米带及其制造方法，以应用于电子器件和电化学器件。 在硅衬底上形成钛层。 钛层厚度为10〜30nm。 在钛层上形成铂层。 铂层的厚度为1〜10nm。 在硅衬底上形成单晶硅纳米带。 将单晶纳米线生长到一个方向（110）。 单晶硅纳米带从单晶硅纳米线生长到另一个方向（1-12）。 单晶硅纳米带的厚度为5〜50nm，宽度为0.1〜2um。
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公开(公告)号：KR100978031B1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：KR1020080011323
申请日：2008-02-04
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 단결정 규소 나노리본(Single crystal Si nanoribbon) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 불순물이 존재하지 않는 규소 기판(Si substrate)을 일정두께의 티타늄(Ti)층과 백금(Pt)층을 연속적으로 피복하고, 그 위에 출발물질로서 사염화규소(silicon-tetra chloride, SiCl4)를 기상-액상-고상 기구(vapor-liquid-solid mechanism, VLS mechanism)에 의하여 물질이동(transporting)시킴으로써 생성 및 성장된 단결정 규소 나노리본 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이 때, 촉매로서의 백금(Pt)과, 티타늄 층의 사용은 본 발명의 핵심적 요소라 할 것이다. 이로써, 신뢰성 있으며, 재현성이 우수한 고기능성의 1차원 규소 나노구조를 생성할 수 있으며, 특히 높은 결정도(high crystallinity), 반도성(semiconductivity) 및 매우 뚜렷한 표면영역(high specific surface area) 등과 같은 독창적인 물성을 가진 단결정 규소 나노리본을 제조할 수 있다. 이러한 단결정 규소 나노리본은 센서, 광전장치, 전자장치 및 전기화학적 나노장치 등에 응용가능한 장점을 갖는다. 즉, 이러한 나노리본의 CMOS에 대한 호환성은 나노리본을 기존의 규소 관련 제조공정이 적용가능한 장치에 충분히 응용할 수 있다.
단결정, 규소, 나노리본, 나노와이어, 톱날형상, 백금, 티타늄
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