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1.发明专利
公开(公告)号：KR20210026284A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190106831A
申请日：2019-08-29
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: A61B5/00
CPC classification number: A61B5/68 , A61B2562/0247 , A61B2562/0261 , A61B2562/0271 , A61B2562/16
Abstract: 본 발명은 침습 및 비침습 하이브리드형 바이오 센서 구조체로서, 비침습형 및 침습형 센서구조가 하나의 기판상에 일체화된 하이브리드 형태로 구비되며, 비침습형 센서는 압력, 스트레인 및 온도를 포함하는 물리적 특성값과 이온 센싱을 통한 생리변수 값을 측정하며, 침습형 센서는 진피층에서의 생화학 및 질병마커를 측정하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2013111985A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/KR2013/000598
申请日：2013-01-25
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: A61N1/36067 , A61B5/0031 , A61B5/4041 , A61B5/6877 , A61L31/16 , A61N1/0529 , A61N1/0551 , A61N1/36125
Abstract: 본 발명은 나노 와이어와 지지층을 포함하는 신경소자에 관한 것으로, 기판; 상기 기판에 일 종단이 고정되어 수직방향으로 연장되고, 신경에 삽입되어 신경섬유로부터 전기 신호를 획득하거나, 신경섬유에 전기 신호를 인가하는 적어도 하나 이상의 나노 와이어; 및 상기 기판 위에 나노 와이어를 부분적으로 감싸도록 형성되어 나노 와이어를 지지하는 지지층을 포함하는 신경소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及包含纳米线和支撑层的神经元件。 提供了一种神经元件，包括：基底; 一个或多个纳米线，其中每个具有一个远端固定在基底上并在垂直方向上延伸，纳米线被插入神经中以从神经纤维获得电信号或向神经纤维施加电信号; 以及支撑层，其布置在所述基板上以部分地覆盖所述纳米线并支撑所述纳米线。
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公开(公告)号：WO2020050568A1
公开(公告)日：2020-03-12
申请号：PCT/KR2019/011261
申请日：2019-09-02
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 다수의 미세전극(210)으로 된 생체전극이 구비된 신호측정부(200)가 기판(100)에 배치되는 생체신호 측정장치로서, 기판(100) 상에, 신호측정부(200), 측정신호처리부(300) 및 구동용 파워부(400) 또는 무선통신부(500) 중 적어도 하나가 종방향 또는 횡방향으로 배치되며, 어레이 패턴으로 형성된 상기 미세전극들로부터 생체신호를 측정하거나 자극하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2011142509A1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/KR2010/006903
申请日：2010-10-08
CPC classification number: A61N1/37205 , A61B5/04001 , A61B2562/0285 , A61N1/0551 , A61N1/3605 , B82Y5/00
Abstract: 적어도 하나 이상의 나노와이어를 포함하는 신경 소자가 개시된다. 본 발명에 따른 신경 소자는, 기판의 제1 면에 형성된 베이스에 생성된 나노와이어; 및 상기 기판의 제1 면과 상이한 제2 면에 형성되고, 상기 나노와이어를 통해 신경섬유로부터 획득된 전기 신호를 출력하거나 상기 나노와이어로 전기 자극을 위한 신호를 인가하는 전극 패드를 포함한다. 따라서, 나노와이어가 인슐레이션에 의하여 묻히는 현상을 없애고 신경과 나노와이어의 접촉을 극대화할 수 있다.
Abstract translation: 公开了包括至少一个纳米线的神经元装置。 根据本发明的神经元装置包括：在形成在基板的第一表面处的基底处产生的纳米线; 以及电极焊盘，其形成在除了所述第一表面以外的所述基板的第二表面，并且通过所述纳米线输出从神经纤维获得的电信号，或者向所述纳米线施加用于电刺激的信号。 因此，可以防止纳米线被封装掩埋，从而使神经与纳米线之间的接触最大化。
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公开(公告)号：KR101771340B1
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：KR1020160006353
申请日：2016-01-19
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: A61B5/00 , A61M37/00 , C23C28/00 , C23C16/42 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23F1/00 , C23C16/06 , C23C14/22 , C23C14/12
Abstract: 본발명은진단및 치료탐침을위한침습형생체소자제조방법및 그방법으로제조된생체소자에관한것으로, 일상생활에서피부에부착한상태로실시간체내에존재하는이온및 생물학적인자모니터링, 그리고특정질병인자가감지되었을때, 그질병에맞는약물방출이가능한침습형생체소자의제조방법을제공하고, 체내조직및 기관을구성하는세포의사멸을일으키지않은상태로침습이가능한수직형의마이크로니들, 나노선및 마이크로기둥및 나노선의이중구조를기반으로하는생체소자의제조방법과그 방법으로제조되는생체소자를제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101688739B1
公开(公告)日：2016-12-23
申请号：KR1020150108094
申请日：2015-07-30
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은침습형생체소자제조방법및 그생체소자에관한것으로, (a) 기판상마이크로또는나노탐침구조물을적어도하나형성하는단계; (b) 상기기판및 구조물상부에생체적합절연막을코팅하는단계; (c) 상기구조물상단에코팅된생체적합절연막을식각하여노출시키는단계; 및 (d) 상기생체적합절연막및 상기구조물을상기기판으로부터이탈시켜침습형소자시트를형성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명은, 세포내기질, 혈액의세포및 혈관에영향을주지않은상태로침습이가능한수직형의마이크로또는나노탐침구조물을기반으로하는생체소자의제조방법과그 방법으로제조되는생체소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR101190192B1
公开(公告)日：2012-10-12
申请号：KR1020090093100
申请日：2009-09-30
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00
Abstract: 본 발명은 나노 단위의 굵기 또는 두께를 갖는 반도체 나노 구조체 합성방법에 관한 것으로, 특히 매우 높은 수소 유량의 분위기에서 1차원 나노구조체인 나노선이나 2차원 나노구조체인 나노 플레이크를 합성함으로써 종래의 나노구조체에 비하여 특히 작은 크기를 가지며, 이로 인해 종래의 나노구조체와는 전혀 다른 특성을 나타내는 수 나노 이하의 크기를 갖는 반도체 나노 구조체 합성방법에 관한 것이다.
종래에는 반도체 나노구조체를 합성하는 공정이 매우 복잡하여 이러한 공정을 적절하게 이용할 수 없었으나, 본 발명에서는 이러한 복잡한 공정을 단순화하였으며, 특히 매우 높은 수소 분위기를 유지하고, 특정한 금속 촉매를 사용하여 나노선을 합성하거나, 또는 촉매없이 나노 플레이크를 합성함으로써 종래에 비하여 보다 용이하게 나노구조체를 합성할 수 있도록 하였다.
본 발명에 따른 합성된 나노선은 10 nm이하의 굵기를 가지며 길이는 수백nm ~ 수만 nm에 달하고, 표면에 형성된 매우 얇은 산화층을 갖는 단결정의 형태를 갖는다. 또한, 본 발명에 의하여 합성된 반도체 나노 플레이크는 크기가 매우 다양하여, 작은 것은 대략 1×1 ㎛ 이며, 큰 것은 수 ㎛
2 이상인 것도 있다. 그 두께는 매우 얇아서 수 nm 정도이며 1nm 이하로도 가능하다. 이러한 나노구조체는 산화층이 거의 없고 밴드갭이 기존의 반도체에 비해 매우 확장된 물리적 특성을 갖는다.
반도체, 나노선, 나노 플레이크, 합성, 직경, 수소 분위기, 챔버, 금속, 촉매, 증착-
公开(公告)号：KR101188368B1
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：KR1020100122570
申请日：2010-12-03
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: A61B5/0478
Abstract: 본 발명은 나노와이어 신경탐침 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 본 발명은, 기판상에 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 나노와이어의 표면에 금속층 또는 폴리머층을 더 형성하여 상기 나노와이어의 기계적 물성을 보강하는 단계; 및 상기 나노와이어의 표면에 폴리머층을 더 형성한 경우, 상기 나노와이어의 일부를 노출시키는 단계;를 포함하여 구성되는 나노와이어 신경탐침 전극의 제조방법, 및 그 방법에 의해 제조되는 나노와이어 신경탐침 전극을 제공한다.
본 발명에 의하여, 나노와이어를 기반으로 신경 신호를 검출하기에 적합한 전기적, 기계적, 생체친화적 특징을 갖는 나노와이어 탐침전극을 제공함으로써 안전하게 살아있는 신경세포의 내외부에서 신경세포의 신호를 감지하거나, 신경세포를 자극하거나 또는 물질을 보다 효율적으로 전달할 수 있는 작용효과를 기대할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101168939B1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：KR1020100044044
申请日：2010-05-11
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 아이쓰리시스템 주식회사
CPC classification number: A61N1/37205 , A61B5/04001 , A61B2562/0285 , A61N1/0551 , A61N1/3605 , B82Y5/00
Abstract: Provided is a neural device including at least one nano-wire. The neural device includes a nano-wire formed on a base formed on a first surface of a substrate, and an electrode pad formed on a second surface different from the first surface of the substrate and configured to output an electrical signal gained from a neural fiber through the nano-wire or apply a signal for an electric stimulus to the nano-wire. Therefore, it is possible to prevent the nano-wire from becoming embedded in an encapsulation and maximize a contact between the nano-wire and a nerve.
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公开(公告)号：KR1020090085430A
公开(公告)日：2009-08-07
申请号：KR1020080011323
申请日：2008-02-04
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: A single crystal silicon nano ribbon and a manufacturing method thereof are provided to be applied to an electronic device and an electric chemical device by performing a high specific surface region and high crystallinity. A titanium layer is formed on a silicon substrate. Thickness of the titanium layer is 10~30nm. A platinum layer is formed on the titanium layer. Thickness of the platinum layer is 1~10nm. A single crystal silicon nano ribbon is formed on the silicon substrate. A single crystal nano wire is grown into one direction(110). The single crystal silicon nano ribbon is grown into the other direction(1-12) from the single crystal silicon nano wire. The single crystal silicon nano ribbon has thickness of 5~50nm, and a width of 0.1~2um.
Abstract translation: 通过执行高比表面积和高结晶度，提供了单晶硅纳米带及其制造方法，以应用于电子器件和电化学器件。 在硅衬底上形成钛层。 钛层厚度为10〜30nm。 在钛层上形成铂层。 铂层的厚度为1〜10nm。 在硅衬底上形成单晶硅纳米带。 将单晶纳米线生长到一个方向（110）。 单晶硅纳米带从单晶硅纳米线生长到另一个方向（1-12）。 单晶硅纳米带的厚度为5〜50nm，宽度为0.1〜2um。
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