公开(公告)号：KR100995407B1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：KR1020080008794

申请日：2008-01-28

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 이상조 ,  민병권 ,  한진 ,  한민희

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 집속이온빔을 이용한 나노패턴 형성방법에 관한 것으로, 가공대상물의 표면에 레지스트층을 형성하는 레지스트형성단계; 집속이온빔을 상기 레지스트층이 형성된 가공대상물의 표면에 조사하여 밀링하는 이온빔가공단계; 및 상기 가공대상물의 표면에 잔존된 레지스트층을 제거하는 레지스트제거단계;를 포함하여 구성됨을 기술적 요지로 하여, 집속이온빔을 이용하여 나노패턴을 형성함에 있어서, 지정면적 내에 보다 조밀하게 패턴을 형성가능하면서도 균일한 사이즈와 일정한 간격으로 형성시킬 수 있는 집속이온빔을 이용한 나노패턴 형성방법에 관한 것이다.
집속이온빔 나노패턴 레지스트 오버랩

公开(公告)号：KR1020090082825A

公开(公告)日：2009-07-31

申请号：KR1020080008794

申请日：2008-01-28

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 이상조 ,  민병권 ,  한진 ,  한민희

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F7/2004 ,  B82B3/0009 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2063 ,  G03F9/703 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0337

Abstract: A nano-patterning method using focused ion beam is provided to form patterns with microsize and stable space in the same properties and processing condition of a focused ion beam device. A nano-patterning method using focused ion beam comprises the steps of: forming a resist layer on the surface of a processing object, wherein the resist layer is formed by coating at least one of HSQ(hydrogen silsesquioxane), Silicon oxide, PP(Polypropylane film), PMMA(polymethyl methacrylate), and SU-8 photoresist; irradiating focused ion beam on the surface of the object and milling it; and removing the resist layer left on the surface of the object.

Abstract translation: 提供了使用聚焦离子束的纳米图案化方法，以在聚焦离子束装置的相同特性和处理条件下形成具有微尺寸和稳定空间的图案。 使用聚焦离子束的纳米图案化方法包括以下步骤：在加工对象的表面上形成抗蚀剂层，其中通过涂覆HSQ（氢倍半硅氧烷），氧化硅，PP（聚丙烷）中的至少一种形成抗蚀剂层 膜），PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）和SU-8光致抗蚀剂; 将聚焦离子束照射在物体的表面上并对其进行研磨; 并且去除留在物体表面上的抗蚀剂层。