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公开(公告)号：WO2013111985A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/KR2013/000598
申请日：2013-01-25
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: A61N1/36067 , A61B5/0031 , A61B5/4041 , A61B5/6877 , A61L31/16 , A61N1/0529 , A61N1/0551 , A61N1/36125
Abstract: 본 발명은 나노 와이어와 지지층을 포함하는 신경소자에 관한 것으로, 기판; 상기 기판에 일 종단이 고정되어 수직방향으로 연장되고, 신경에 삽입되어 신경섬유로부터 전기 신호를 획득하거나, 신경섬유에 전기 신호를 인가하는 적어도 하나 이상의 나노 와이어; 및 상기 기판 위에 나노 와이어를 부분적으로 감싸도록 형성되어 나노 와이어를 지지하는 지지층을 포함하는 신경소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及包含纳米线和支撑层的神经元件。 提供了一种神经元件，包括：基底; 一个或多个纳米线，其中每个具有一个远端固定在基底上并在垂直方向上延伸，纳米线被插入神经中以从神经纤维获得电信号或向神经纤维施加电信号; 以及支撑层，其布置在所述基板上以部分地覆盖所述纳米线并支撑所述纳米线。
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公开(公告)号：WO2011142509A1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/KR2010/006903
申请日：2010-10-08
CPC classification number: A61N1/37205 , A61B5/04001 , A61B2562/0285 , A61N1/0551 , A61N1/3605 , B82Y5/00
Abstract: 적어도 하나 이상의 나노와이어를 포함하는 신경 소자가 개시된다. 본 발명에 따른 신경 소자는, 기판의 제1 면에 형성된 베이스에 생성된 나노와이어; 및 상기 기판의 제1 면과 상이한 제2 면에 형성되고, 상기 나노와이어를 통해 신경섬유로부터 획득된 전기 신호를 출력하거나 상기 나노와이어로 전기 자극을 위한 신호를 인가하는 전극 패드를 포함한다. 따라서, 나노와이어가 인슐레이션에 의하여 묻히는 현상을 없애고 신경과 나노와이어의 접촉을 극대화할 수 있다.
Abstract translation: 公开了包括至少一个纳米线的神经元装置。 根据本发明的神经元装置包括：在形成在基板的第一表面处的基底处产生的纳米线; 以及电极焊盘，其形成在除了所述第一表面以外的所述基板的第二表面，并且通过所述纳米线输出从神经纤维获得的电信号，或者向所述纳米线施加用于电刺激的信号。 因此，可以防止纳米线被封装掩埋，从而使神经与纳米线之间的接触最大化。
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公开(公告)号：WO2013085094A1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：PCT/KR2011/010016
申请日：2011-12-23
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 홍종일 , 김상훈
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 본 발명은 환원되면 자성을 갖는 비자성층 상에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 배치하는 단계, 및 상기 마스크가 배치된 비자성층 상에 수소 이온을 조사하는 단계를 포함하며, 상기 비자성층에서 상기 마스크 패턴에 대응되는 부분은 상기 조사된 수소 이온에 의해 환원되고 환원된 영역의 주변부는 부분 환원되는 자성 패턴층 형성방법 및 이에 제조된 자성 패턴층을 개시한다.
Abstract translation: 本发明提供一种形成由其制成的磁性图案层和磁性图案层的方法。 形成磁图案层的方法包括：在具有磁性的非磁性层上设置具有预定图案的掩模的步骤; 以及将氢离子照射到其上设置有掩模的非磁性层上的步骤。 对应于非磁性层上的掩模图案的部分被照射的氢离子还原，并且还原区的周边部分地减少。
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公开(公告)号：KR102250755B1
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：KR1020190099458
申请日：2019-08-14
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 한양대학교 에리카산학협력단
Abstract: 스핀-전하변환기반의스핀로직소자및 그동작방법을개시한다. 본발명의실시예에따른스핀로직소자는입력소스에의해스핀전류를주입받고, 제1 변환층을통해상기스핀전류를전하전류로변환하여출력하는제1 변환노드; 및상기전하전류에의해유도되는유도자기장과유효전기장에의하여자성체층을자화반전시켜스핀전류를출력하는제2 변환노드를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101188368B1
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：KR1020100122570
申请日：2010-12-03
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: A61B5/0478
Abstract: 본 발명은 나노와이어 신경탐침 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 본 발명은, 기판상에 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 나노와이어의 표면에 금속층 또는 폴리머층을 더 형성하여 상기 나노와이어의 기계적 물성을 보강하는 단계; 및 상기 나노와이어의 표면에 폴리머층을 더 형성한 경우, 상기 나노와이어의 일부를 노출시키는 단계;를 포함하여 구성되는 나노와이어 신경탐침 전극의 제조방법, 및 그 방법에 의해 제조되는 나노와이어 신경탐침 전극을 제공한다.
본 발명에 의하여, 나노와이어를 기반으로 신경 신호를 검출하기에 적합한 전기적, 기계적, 생체친화적 특징을 갖는 나노와이어 탐침전극을 제공함으로써 안전하게 살아있는 신경세포의 내외부에서 신경세포의 신호를 감지하거나, 신경세포를 자극하거나 또는 물질을 보다 효율적으로 전달할 수 있는 작용효과를 기대할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101168939B1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：KR1020100044044
申请日：2010-05-11
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 아이쓰리시스템 주식회사
CPC classification number: A61N1/37205 , A61B5/04001 , A61B2562/0285 , A61N1/0551 , A61N1/3605 , B82Y5/00
Abstract: Provided is a neural device including at least one nano-wire. The neural device includes a nano-wire formed on a base formed on a first surface of a substrate, and an electrode pad formed on a second surface different from the first surface of the substrate and configured to output an electrical signal gained from a neural fiber through the nano-wire or apply a signal for an electric stimulus to the nano-wire. Therefore, it is possible to prevent the nano-wire from becoming embedded in an encapsulation and maximize a contact between the nano-wire and a nerve.
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公开(公告)号：KR102216981B1
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：KR1020200021311
申请日：2020-02-20
Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단 , 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은스핀로직소자및 이의동작방법에관한것으로, 특히, 일반적인유전체커패시터와추가트랜지스터를이용해동작할수 있는스핀로직소자및 이의동작방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른스핀로직소자는자성체층, 상기자성체층의일면상에형성된전류전달층, 상기자성체층의상기일면상에상기전류전달층과이격되어형성된스핀주입층및 상기스핀주입층상에형성된스핀-전하변환층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170092015A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：KR1020160013019
申请日：2016-02-02
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C7/227 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1697
Abstract: 본기술에의한자기메모리장치는비트라인, 다수의소스라인, 비트라인과다수의소스라인사이에연결되며각각자기저항소자및 상기자기저항소자에직렬연결되며워드라인신호에의해스위칭되는스위칭소자를포함하는다수의일반셀, 비트라인에연결된더미셀; 및비트라인과자기저항소자가인접하는면에형성되는스핀홀효과물질층을포함하되, 자기저항소자는더미셀을통해흐르고자기저항소자에수평인방향으로흐르는제 1 전류와자기저항소자를관통하여흐르는제 2 전류에따라데이터를기록한다.
Abstract translation: 根据本发明的磁存储器件包括位线，多条源极线，连接在位线和多条源极线之间的开关元件，每个开关元件与磁阻元件和磁阻元件串联连接，并通过字线信号 包括连接到位线的虚拟单元的多个通用单元; 以及自旋霍尔效应材料层，其形成在与位线和磁阻元件相邻的表面上，其中，磁阻元件穿透磁阻元件，并且第一电流流入胶束并沿与磁阻元件水平的方向流动， 数据按照第二个电流流动写入。
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公开(公告)号：KR101406358B1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：KR1020120090652
申请日：2012-08-20
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 초연자성 재료 및 이를 포함하는 스핀 밸브에 관한 것으로, 코네틱(Ni
77 Fe
14 Cu
5 Mo
4 )과 Al 등을 혼합하여 연자성 특성을 개선한 새로운 초연자성 5원 합금 및 이를 자유층 재료로 이용한 스핀밸브를 제공한다.-
公开(公告)号：KR101158775B1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020100113885
申请日：2010-11-16
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 와이어와 커프를 활용한 신경 소자에 관한 것으로, 기존의 커프에 비해 크기가 작아질 수 있고, 내벽에 나노 와이어 기반의 탐침이 있으며, 특정 신경 다발을 선별적으로 선택하여 신호를 자극하거나 검출할 수 있는 신경 소자로서, 다수의 처리 모듈이 서로 전기적으로 연결됨으로써 신경이 끊긴 부위가 있더라도 전기 신호 또는 전기 자극을 상호 송수신할 수 있는 신경 소자를 제공한다.
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