Abstract:
PURPOSE: A graphene nano-filter net, a graphene nano-filter, and a method for manufacturing the same are provided to improve the reliability of filtering performance by cutting the connections of carbon atoms in graphene and forming pores. CONSTITUTION: A graphene nano-filter net(110) includes graphene(111) and pores(112). The graphene is formed into hexagonal grid structure. The size of the structure is 0.1nm or more to 0.2nm or less. The pores are generated by etching a part of the graphene. The sizes of the pores are 1nm or more to 100nm or less. A graphene nano-filter includes the graphene nano-filter net, a graphene frame, and a filter channel. The graphene frame fixes the graphene nano-filter net into a pre-set form. The filter channel forms inner flow path. The width of the inner flow path is 1um or more to 10cm or less. The graphene frame and the filter channel are based on polymeric materials such as polydimethylsiloxane.
Abstract:
본 발명은 나노공진기 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 그 나노공진기는 베이스가 되는 실리콘기판(10); 상기 실리콘기판(10) 상면에 증착되는 희생층(20); 상기 희생층(20) 상면에 증착되는 공진부(30); 및 상기 공진부(30) 상면에 증착되는 금속층(40)을 포함하여 구성되고, 그 제조방법은 실리콘기판(10) 상면에 희생층(20)을 증착시키는 단계; 상기 희생층(20) 상면에 공진층(35)을 증착시키는 단계; 상기 공진층(35) 상면에 포토레지스트(37)를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트(37) 상에서 공진부(30) 형상의 마스크(39)를 통해 리소그래피 방식으로 노광을 실시하여 공진부(30) 형상을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝 된 포토레지스트(37)를 현상하여 공진부(30) 형상이 드러나도록 하는 단계; 상기 공진부(30) 형상에 금속층(40)을 증착하는 단계; 상기 금속층(40)이 층착된 공진부(30) 형상을 갖도록 포토레지스트(37)를 완전히 제거하는 단계; 및 상기 금속층(40), 공진부(30) 및 희생층(20)에 대해 식각을 수행하는 단계를 포함하여 구성된다. 따라서, 공진기 구동시 에너지 손실을 최소화함은 물론 공진기의 작동 효율 및 공진기 주파수 특성의 안정성을 증가시킬 수 있도록 하는 등의 효과를 얻는다.
Abstract:
본 발명은 전기 전도도가 우수한 그라핀과 이와 전자 주고받기가 용이한 팔라듐을 소재로 간단한 리소그라피 공정을 통해 안정성과 양산성이 우수한 반도체 소자를 제조할 수 있는 반도체 소자 제조방법 및 이 제조방법을 통해 제조된 반도체 소자를 제공한다. 이를 위한 본 발명은 반도체 소자 제조방법에 있어서, 기판에 홈을 형성한 후 상기 홈 내부에 게이트 전극과 유전체를 순차적으로 적층하는 단계와; 상기 유전체의 상부면과 접촉되도록 기판 위에 그라핀을 도포하는 단계와; 상기 도포된 그라핀을 리소그라피 공정을 이용하여 원하는 모양으로 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 그라핀의 일부분에 팔라듐이 코팅될 수 있도록 기판 위에 포토레지스트를 도포한 후 리소그라피 공정을 통해 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 포토레지스트 위에 팔라듐을 증착하여 그라핀의 일부분에 팔라듐을 코팅하는 단계와; 상기 그라핀의 일부분에 코팅된 팔라듐을 제외한 모든 포토레지스트와 팔라듐을 제거하는 단계; 및 상기 그라핀의 양쪽에 연결되도록 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
The present invention relates to an ultra-sensitive graphene sensor, which is able to tune a response sensitivity, having a fast-recovery and renewability, and a manufacturing method thereof comprising: a substrate where a groove is formed; a dielectric layer which is formed inside the groove; a graphene layer, which is formed to be in contact with the dielectric layer partially while being in contact with an upper surface of a substrate, which is positioned in the left side and the right side of the groove; a source electrode and a drain electrode, which are connected to both sides of the graphene layer respectively by being stacked over the substrate; and a gate electrode, which is formed to be in contact with the dielectric layer inside the groove, and in which a voltage is applied from an outside.
Abstract:
본 발명은 나노공진기에 관한 것으로서, 양단부에 전극(11)이 마련되고 이들 전극을 연결하는 진동부(12)가 마련된 공진기 본체(10); 상기 공진기 본체(10)의 진동부(12) 인접 측부에 배치되어 진동부(12)의 좌우 구동이 가능하도록 하는 좌우구동전극(20); 및 상기 공진기 본체(10)의 진동부(12) 인접 상부에 배치되어 진동부(12)의 상하 구동이 가능하도록 하는 상하구동전극(30)을 포함하여 구성된다. 따라서, 공진기 본체의 진동부 좌우측 및 상부에 구동 전극을 각각 배치하여 전자기력에 의한 좌우방향 공진뿐만 아니라 정전기력(Electrostatic force)에 의한 상하 구동 역시 가능하도록 함으로써, 교류 전압과 함께 직류 전압(DC voltage)을 동시에 이용하여 교류 전압(AC voltage) 구동은 물론 상하좌우 직류 전압(DC voltage) 튜닝도 가능하게 되며 이를 통해 공진기의 선형성을 유지하는 동시에 민감성 및 작동 계수(Q-factor)를 주어진 환경 하에서 항시 최적화시킬 수 있고, 또한, 서로 다른 공진 주파수 대역을 하나의 공진기에서 구동이 가능하게 되어 하나의 디바이스가 두 가지의 디바이스의 기능을 갖게 되어 나노 공진기의 공진 주파수 튜닝 이외의 다른 새로운 공진 주파수 변조가 가능하게 되는 등의 효과를 얻는다.
Abstract:
PURPOSE: An electrode structural body using graphene oxide, an optoelectrical device and an organic solar cell having the same are provided to increase the efficiency of a battery by using the graphene oxide. CONSTITUTION: A conductive film (224) is formed on a substrate (222). The conductive film comprises graphene oxide. The conductive film is formed by the spin-coating of the graphene oxide. The conductive film is formed by the drop-casting of the graphene oxide. The conductivity and the transparency of the graphene oxide are turned by a reduction treatment.