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公开(公告)号：KR101910535B1
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：KR1020160078664
申请日：2016-06-23
Applicant: 울산과학기술원
IPC: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 이종 나노와이어 성장 방법에 관한 발명이다. 본 발명의 실시예에 따른 이종 나노와이어 성장 방법은, 기판 상에 제1 화합물이 증착되어 제1 시드 레이어(seed layer)가 형성되는 단계, 상기 제1 시드 레이어 상에 상기 제1 화합물을 포함하는 제1 나노와이어(nano-wire) 어레이(array)가 성장되는이 성장되는 단계, 상기 기판 상에 PR(photo-resist)가 코팅(coating) 되는 단계, 상기 기판 상에 코팅된 PR 중에서 상기 제1 나노와이어 어레이 위에 코팅된 PR 을 제외한 나머지 PR 중에서 일부가 제거되는 단계, 상기 기판 상에 상기 제2 화합물이 증착되어 제2 시드 레이어가 형성되는 단계, 상기 제2 시드 레이어 상에 상기 제2 화합물을 포함하는 제2 나노와이어 어레이가 성장되는 단계 및 상기 기판 상에 존재하는 PR이제거되는 단계를 포함하되, 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물은 서로 상이하고,상기 제1 나노와이어 어레 이와 상기 제2 나노와이어 어레이는 서로 상이할 수 있다.
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公开(公告)号：KR20180000545A
公开(公告)日：2018-01-03
申请号：KR20160078664
申请日：2016-06-23
Applicant: 울산과학기술원
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41
Abstract: 본발명은이종나노와이어성장방법에관한발명이다. 본발명의실시예에따른이종나노와이어성장방법은, 기판상에제1 화합물이증착되어제1 시드레이어(seed layer)가형성되는단계, 상기제1 시드레이어상에상기제1 화합물을포함하는제1 나노와이어(nano-wire) 어레이(array)가성장되는이성장되는단계, 상기기판상에 PR(photo-resist)가코팅(coating) 되는단계, 상기기판상에코팅된 PR 중에서상기제1 나노와이어어레이위에코팅된 PR 을제외한나머지 PR 중에서일부가제거되는단계, 상기기판상에상기제2 화합물이증착되어제2 시드레이어가형성되는단계, 상기제2 시드레이어상에상기제2 화합물을포함하는제2 나노와이어어레이가성장되는단계및 상기기판상에존재하는 PR이제거되는단계를포함하되, 상기제1 화합물과상기제2 화합물은서로상이하고,상기제1 나노와이어어레이와상기제2 나노와이어어레이는서로상이할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种异质纳米线生长方法。 根据本发明的一个实施例的两种纳米线生长方法中，第一化合物被沉积在衬底的第一氧化物层（籽晶层）上的步骤是正规型属性，包括第一籽晶层上的第一化合物 一种制造半导体器件的方法，该方法包括：生长第一纳米线阵列;在衬底上生长光刻胶; 步骤其部分从所有删除，但涂在纳米线阵列的PR PR，步骤到第二化合物沉积在基底和形成在所述第二化合物的第二晶种层上的第二晶种层 包括，但其中所述第二纳米线阵列包括一个生长步骤，和PR现在将要在衬底上，其中所述第一化合物和第二化合物上的步骤是存在彼此，其中所述第一纳米线阵列不同 2纳米线阵列可能彼此不同。
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