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公开(公告)号：KR1020150010305A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130085124
申请日：2013-07-19
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
CPC classification number: G02B1/002 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , C23C14/226 , G02B5/008
Abstract: 본 발명에 따르면, 나노크기를 갖는 원통형의 베이스(110)를 직립하게 배치하는 베이스배치 단계(S210); 배치된 베이스(110)로부터 일정거리 이격된 원주상의 일위치(φ
1 )에서 배치된 베이스(110)를 향해 수평기준선(L
1 )으로부터 일정각도(θ
1 )로 경사지게 하향하는 제1증착방향(D
1 )으로 제1금속물질(120)을 증착시켜 상기 베이스(110)의 상단을 포함하여 상기 제1증착방향(D
1 )과 대향하는 베이스(110)의 내측면과 외측면에 각각 제1금속물질(120)을 배치하는 제1금속증착 단계(S220); 및 상기 제1금속증착 단계(S220)를 통해 상기 베이스(110)의 상단 둘레에 증착된 제1금속물질(120)을 제거하여 원통형 플라즈모닉 메타구조체(100)를 형성하는 상단부제거 단계(S240);를 포함하는 나노크기의 원통형 플라즈모닉 메타구조체 제조방법을 개시한다.Abstract translation: 公开了一种制造纳米尺寸圆柱等离子体和超材料结构的方法，其包括将纳米尺寸圆柱形基座（110）对准直立的基座对准步骤（S210） 将第一金属材料（120）在第一沉积方向（D_1）的第一沉积方向（D_1）上的基底（110）的内侧和外侧对准的第一金属沉积步骤（S220） 在第一沉积方向上朝向基部（110）的距离与对准的基座（110）间隔开的圆周上的位置（θ1）上沉积第一金属材料（120）的基部（110） （D_1）从水平参考线（L_1）以特定角度（＆amp; _gr1）向下倾斜; 以及通过去除沉积在第一金属沉积步骤（S220）中的基底（110）的顶端上的第一金属材料（120）形成圆柱等离子体激元和超材料结构（100）的顶端部分去除步骤（S240） 。
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公开(公告)号：KR101782351B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020150091074
申请日：2015-06-26
Applicant: 울산과학기술원
Abstract: 본발명에따른다공성메타물질을이용한물분해광전극구조는제1기판; 상기제1기판상에기립성장된나노로드; 상기나노로드의말단부가삽입될수 있도록, 일측면에격자구조로복수의구멍이형성된메타구조물; 및상기메타구조물의타측면에형성된제1기판;을포함하여, 다공성구조의금속/광촉매혹은금속/유전체나노구조기반의메타물질을형성하여플라즈몬현상에의한광트랩효과를상승시켜가시광영역에서의동작효율을향상시킬수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020170001299A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020150091074
申请日：2015-06-26
Applicant: 울산과학기술원
Abstract: 본발명에따른다공성메타물질을이용한물분해광전극구조는제1기판; 상기제1기판상에기립성장된나노로드; 상기나노로드의말단부가삽입될수 있도록, 일측면에격자구조로복수의구멍이형성된메타구조물; 및상기메타구조물의타측면에형성된제1기판;을포함하여, 다공성구조의금속/광촉매혹은금속/유전체나노구조기반의메타물질을형성하여플라즈몬현상에의한광트랩효과를상승시켜가시광영역에서의동작효율을향상시킬수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020160087160A
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：KR1020150005959
申请日：2015-01-13
Applicant: 울산과학기술원
CPC classification number: B82B3/0019 , C25B11/02 , C25B11/04
Abstract: 본발명에따른 GaN 기반다공성피라미드광전극제조방법은 (a) 기판상에 GaN를전기화학식각으로다공성나노구조체를형성하는단계; (b) 상기다공성나노구조체에 SiO마이크로스피어, 혹은 Photolithography 공정을통해상기피라미드구조로마이크로패터닝을수행하는단계; (c) 상기 `(b)`단계에서패터닝된피라미드구조대로건식식각공정을통해상기다공성나노구조체를식각하는단계; (d) 상기 `(c)`단계에서식각공정을통해형성된다공성피라미드구조에나노입자(202)가포함된용액을도포하는단계; 및 (e) 상기나노입자(202)가상기다공성피라미드구조내부로들어가고정될수 있도록, 상기다공성피라미드구조를건조하는단계;를포함하여, 반사율과내부화학물질수소효율을향상시키는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明，GaN基多孔金字塔光电极的制备方法包括以下步骤：（a）对基底上的GaN进行电化学蚀刻以形成多孔纳米结构; （b）通过SiO_2微球或光刻工艺，在多孔纳米结构上进行金字塔结构的微图案化; （c）通过干蚀刻工艺，根据（b）中图案化的金字塔结构蚀刻多孔纳米结构; （d）通过（c）中的蚀刻工艺形成的多孔金字塔结构用含有纳米颗粒（202）的溶液涂覆; 和（e）干燥多孔金字塔结构，使得纳米颗粒（202）可渗透并固定在多孔金字塔结构内。 因此，本发明具有提高内部化学材料的反射率和氢效率的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101499496B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130085124
申请日：2013-07-19
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
Abstract: 본 발명에 따르면, 나노크기를 갖는 원통형의 베이스(110)를 직립하게 배치하는 베이스배치 단계(S210); 배치된 베이스(110)로부터 일정거리 이격된 원주상의 일위치(φ
1 )에서 배치된 베이스(110)를 향해 수평기준선(L
1 )으로부터 일정각도(θ
1 )로 경사지게 하향하는 제1증착방향(D
1 )으로 제1금속물질(120)을 증착시켜 상기 베이스(110)의 상단을 포함하여 상기 제1증착방향(D
1 )과 대향하는 베이스(110)의 내측면과 외측면에 각각 제1금속물질(120)을 배치하는 제1금속증착 단계(S220); 및 상기 제1금속증착 단계(S220)를 통해 상기 베이스(110)의 상단 둘레에 증착된 제1금속물질(120)을 제거하여 원통형 플라즈모닉 메타구조체(100)를 형성하는 상단부제거 단계(S240);를 포함하는 나노크기의 원통형 플라즈모닉 메타구조체 제조방법을 개시한다.-
公开(公告)号：KR101666378B1
公开(公告)日：2016-10-14
申请号：KR1020150005959
申请日：2015-01-13
Applicant: 울산과학기술원
Abstract: 본발명에따른 GaN 기반다공성피라미드광전극제조방법은 (a) 기판상에 GaN를전기화학식각으로다공성나노구조체를형성하는단계; (b) 상기다공성나노구조체에 SiO마이크로스피어, 혹은 Photolithography 공정을통해상기피라미드구조로마이크로패터닝을수행하는단계; (c) 상기 `(b)`단계에서패터닝된피라미드구조대로건식식각공정을통해상기다공성나노구조체를식각하는단계; (d) 상기 `(c)`단계에서식각공정을통해형성된다공성피라미드구조에나노입자(202)가포함된용액을도포하는단계; 및 (e) 상기나노입자(202)가상기다공성피라미드구조내부로들어가고정될수 있도록, 상기다공성피라미드구조를건조하는단계;를포함하여, 반사율과내부화학물질수소효율을향상시키는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101564285B1
公开(公告)日：2015-10-30
申请号：KR1020140090263
申请日：2014-07-17
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/0392 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 본발명에따른메타구조기반광전극은기판; 기판상에전자선증착, 스퍼터또는스프레이방식으로증착된투명한전도성의투명전극; 투명전극에증착된제2 금속층; 제2 금속층에적층된반도체층혹은광촉매층; 반도체층혹은광촉매층상에적층된제1 금속층; 및제1 금속층, 반도체층혹은광촉매층및 제2 금속층으로구성된메타물질의표면에흡착되어형성된전기촉매;를포함하여, 3차원구조의금속반도체메타물질을형성하여광촉매와금속과의플라즈몬현상과광트랩효과를상승시켜가시광에서의동작효율을향상시키는효과가있고, 또한, 상술한효과를통해기존의물질의한계에서뛰어넘는광전극계발을가능하게하는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基于元结构的光电极，其包括：基板; 通过电子束沉积法，溅射法或喷涂法沉积在衬底上的导电透明电极; 沉积在透明电极上的第二金属层; 层叠在所述第二金属层上的半导体层或光催化剂层; 层叠在所述半导体层或所述光催化剂层上的第一金属层; 以及吸附在由第一金属层，半导体层或光催化剂层和第二金属层构成的超材料上的电催化剂。 根据本发明，形成三维金属 - 半导体超材料以促进在光催化剂和金属之间发生的等离子体现象和光阱效应，从而提高可见光的操作效率。 此外，通过上述效果，可以开发超过常规材料极限的光电极。
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公开(公告)号：KR101542805B1
公开(公告)日：2015-08-10
申请号：KR1020130153836
申请日：2013-12-11
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
Abstract: 본발명에따른광터널링에의한광추출효율이향상된발광다이오드는, 발광다이오드, 발광다이오드상에광터널링이가능한소정의두께를가지는투명전극, 및투명전극상에적층되며, 굴절률이반도체와같거나높은비반사구조체를포함하되, 투명전극의두께는 50nm 미만이고, 비반사구조체는두께가 10nm 내지 1μm이고, 길이가 100nm 내지 10μm인막대구조이거나, 50um~1000um 크기의구멍을가지는다공성구조이거나, 투명전극위에각각상이한굴절율을가지는다층의물질이적층된구조로이루어져, 광터널링효과에의한발광다이오드의광추출효과가있고, 또한부도체로구성된비반사구조를사용하여도소자의전기적특성저하를막을수 있으며발광특성을향상시킬수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020150068529A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：KR1020130153836
申请日：2013-12-11
Applicant: 울산과학기술원 산학협력단
Abstract: 본발명에따른광터널링에의한광추출효율이향상된발광다이오드는, 발광다이오드, 발광다이오드상에광터널링이가능한소정의두께를가지는투명전극, 및투명전극상에적층되며, 굴절률이반도체와같거나높은비반사구조체를포함하되, 투명전극의두께는 50nm 미만이고, 비반사구조체는두께가 10nm 내지 1μm이고, 길이가 100nm 내지 10μm인막대구조이거나, 50um~1000um 크기의구멍을가지는다공성구조이거나, 투명전극위에각각상이한굴절율을가지는다층의물질이적층된구조로이루어져, 광터널링효과에의한발광다이오드의광추출효과가있고, 또한부도체로구성된비반사구조를사용하여도소자의전기적특성저하를막을수 있으며발광특성을향상시킬수 있는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明的由于光隧穿而具有改进的光提取效率的发光二极管包括：发光二极管; 透明电极，其具有适于在发光二极管上的光隧穿的厚度; 以及堆叠在透明电极上并且具有与半导体相同的反射指数或更高的非反射结构。 透明电极的厚度小于50nm。 非反射结构是具有10nm至1μm的厚度和100nm至10μm的长度的棒状结构，具有50μm至1000μm的孔的多孔结构或多层结构 在透明电极上由具有不同反射指数的材料制成的结构。 因此，由于光隧道效应，存在发光二极管的光提取效果。 此外，通过使用由绝缘体制成的非反射结构，可以防止电性能的劣化。 发光性能可以提高。
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