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公开(公告)号:KR1020170087417A
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:KR1020170008732
申请日:2017-01-18
Applicant: 율리스 , 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
CPC classification number: H01L27/14618 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1462 , H01L27/14629 , H01L27/14649 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 파장(λ)에중심을둔 파장범위(λ; λ)를검출할수 있는검출기를제조하는방법이제공되며, 검출기는상기파장범위(λ; λ)를검출할수 있는검출디바이스와상기검출디바이스를수용하는미리결정된압력하에서의밀폐된패키지를포함하고, 상기패키지는기판, 상기기판에부착된측벽과상기측벽에부착된상부캡으로형성되고, 상기파장범위(λ; λ)에서투명한디바이스에수직한부분을포함하며, 방법은: - 상기검출디바이스를기판상에형성하는단계로서, 상기검출디바이스를완전히매립하는희생층을퇴적하는단계를포함하는, 상기형성하는단계; - 희생층 상에상기상부캡을형성하는단계로서, 상기상부캡은상기파장범위(λ; λ)에서투명한제 1, 제 2 및제 3 광학구조체의스택으로형성되고, 제 2 및제 3 광학구조체는각각 3.4 이상이고, 2.3 이하인파장(λ)에서등가굴절률을갖는, 상기상부캡을형성하는단계; - 적어도제 1 광학구조체를포함하는캡의부분을형성한후에, 상기상부캡의부분을통해희생층에접근하는벤트를형성한다음, 벤트를통해희생층을완전히제거하는에칭을적용하는단계를포함하며, - 제 1 광학구조체의광학두께는λ/10 이상이고; - 제 1 광학구조체의파장(λ)에서의등가굴절률은 2.6 이하이며; - 희생층 상에형성된제 1 광학구조체의표면은희생층을제거하기위해구현된에칭에대해불활성이다.
Abstract translation: 提供了一种制造检测器的方法,该检测器能够检测以波长(λ)为中心的波长范围(λ;λ),该检测器包括能够检测所述波长范围(λ) 其中,封装包括衬底,附着到衬底的侧壁和附着到侧壁的上盖,并且其中垂直于透明器件的部分在波长范围(λ; 该方法包括以下步骤:在衬底上形成检测装置,包括:沉积完全嵌入检测装置的牺牲层; 在牺牲层上形成上盖,上盖由在波长范围(λ;λ)中透明的第一,第二和第三光学结构的叠层形成。第二和第三光学结构是 在至少3.4且不大于2.3的波长(λ)下形成具有等效折射率的上盖; - 形成至少包括第一光学结构的帽的一部分,形成穿过顶帽的该部分的通气孔以进入牺牲层,然后施加蚀刻以通过通气孔完全去除牺牲层 第一光学结构的光学厚度为λ/ 10或更大; 第一光学结构的波长λ处的等效折射率不大于2.6; 形成在牺牲层上的第一光学结构的表面对实施去除牺牲层的蚀刻是惰性的;
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公开(公告)号:KR1020170029426A
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:KR1020167035825
申请日:2015-07-07
Applicant: 율리스
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B2201/0207 , B81C1/00269 , B81C1/00285 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , G01J5/20 , H01L23/564 , H01L31/186 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 밀봉형진공하우징에수용되는마이크로전자부품을포함하는디바이스의제조방법은상기하우징에서기체트랩을형성하는단계, 상기하우징에서수용되는구성요소로부터기체를방출하도록디바이스를펌핑하고가열하는단계, 상기펌핑하는단계후, 플럭스를사용하지않고상기하우징을밀봉하는단계를포함한다. 더욱이, 상기내부공간내로기체를제거할가능성이있는상기디바이스의각각의성분은미네랄물질이고, 상기기체트랩은실질적으로수소만포획할수 있으며산소및/또는질소에비활성이며그리고가열및 밀봉은 300℃보다낮은온도에서수행된다.
Abstract translation: 一种制造具有容纳在气密密封真空壳体中的微电子部件的装置的方法,包括在所述壳体中产生气阱,泵送和加热装置,以便在所述泵送之后从容纳在所述壳体中的元件释放气体, 密封壳体而不使用助焊剂。 此外,制造能够脱气到内部容积的装置的每种材料是矿物材料,气阱能够仅基本捕获氢并且对氧和/或氮是惰性的,并且加热和密封是 在低于300℃的温度下进行。
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