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公开(公告)号:KR1020070115933A
公开(公告)日:2007-12-06
申请号:KR1020077020242
申请日:2006-03-01
Applicant: 인피콘 게엠베하
IPC: G01L21/30
CPC classification number: G01L21/32 , G01L21/12 , H01J1/3042 , H01J41/04
Abstract: An electron-emitting cathode (6) consists of an electrically conducting emitter layer (7) attached to a side wall (2) which consists of stainless steel and a gate (9) which is fixed at a mall distance inside a concave emitter surface of the emitter layer (7). The cathode (6) surrounds a reaction area (3) containing a cylindrical grid-like anode (5) and a central ion collector (4) which consists of a straight axial filament. An ion collector current (lie) reflecting the densitiy of the gas in the reaction region (3) is measured by a current meter (11) while a gate voltage (VG) is kept between the ground voltage of the emitter layer (7) and a higher anode voltage (VA) and is regulated in such a way that an anode current (IA) is kept constant. The emitter layer (7) may consists of carbon nanotubes, diamond-like carbon, a metal or a mixture of metals or a semiconductor material, e.g., silicon which may be coated, e.g., with carbide or molybdenum. The emitter surface can, however, also be a portion of the inside surface of the side wall roughened by, e.g., chemical etching. The gate (9) may be a grid or it may be made up of patches of metal film covering spacers distributed over the emitter area or a metal film covering an electron permeable layer placed on the emitter surface.
Abstract translation: 电子发射阴极(6)由附着在由不锈钢构成的侧壁(2)上的导电发射极层(7)和门 发射极层(7)。 阴极(6)围绕包含圆柱形栅状阳极(5)的反应区域(3)和由直轴向丝线组成的中心离子收集器(4)。 通过电流计(11)测量反映在反应区域(3)中气体密度的离子集电极电流(11a),同时栅极电压(VG)保持在发射极层(7)的接地电压和 较高的阳极电压(VA)并且以使得阳极电流(IA)保持恒定的方式被调节。 发射极层(7)可以由碳纳米管,类金刚石,金属或金属或半导体材料的混合物组成,例如可以用碳化物或钼涂覆的硅。 然而,发射体表面也可以是通过例如化学蚀刻使侧壁的内表面的一部分变粗糙。 栅极(9)可以是栅格,或者它可以由分布在发射极区域上的覆盖隔离物的金属膜的贴片或覆盖放置在发射器表面上的电子渗透层的金属膜构成。
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公开(公告)号:KR101291993B1
公开(公告)日:2013-08-09
申请号:KR1020077020242
申请日:2006-03-01
Applicant: 인피콘 게엠베하
IPC: G01L21/30
CPC classification number: G01L21/32 , G01L21/12 , H01J1/3042 , H01J41/04
Abstract: 전자 방출 음극(6)은, 스테인레스 스틸로 구성된 측벽(2)에 부착된 전기 전도 이미터 층(7), 및 상기 이미터 층(7)의 오목한 이미터 면의 내부에 좁은 간격으로 고정된 게이트(9)로 구성된다. 상기 음극(6)은, 실린더형 그리드 같은 양극(5), 및 곧은 축 필라멘트로 구성된 중앙 이온 콜렉터(central ion collector, 4)를 포함하는, 반응 영역(reaction area, 3)을 둘러싼다. 반응 구역(reaction region, 3) 내의 기체의 밀도를 반영하는 이온 콜렉터 전류(I
IC )는 전류계(11)에 의해 측정되고, 이때 게이트 전압(V
G )은 이미터 층(7)의 접지 전압과 보다 높은 양극 전압(V
A ) 사이에서 유지되고, 양극 전류(I
A )가 일정하게 유지되는 그러한 방식으로 조정된다. 상기 이미터 층(7)은 탄소 나노튜브, 다이아몬드 유사 탄소, 금속 또는 금속 혼합물, 또는 반도체 소재, 예컨데 카바이드 또는 몰리브덴 등으로 코팅된 실리콘으로 구성될 수 있다. 그러나 상기 에미터 면은 또한 예컨데 화학적 에칭에 의해 거칠게 만들어진 측벽의 내부 면의 일부일 수 있다. 상기 게이트(9)는 그리드일 수 있거나, 또는 이미터 면에 분포된 스페이서를 커버하는 금속 필름 또는 상기 이미터 면 상에 위치하는 전자 침투성 층을 커버하는 금속 필름의 패치로 구성될 수 있다.
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