Abstract:
본 발명은 나노 유리 분말의 제조방법 및 제조방법에 관한 것으로, 직류전원에 의한 열플라즈마를 이용함으로써 기존의 납(Pb) 대신 비스무스(Bi)를 주성분으로 하는 비스무스계 나노 유리 분말을 낮은 소성 온도에서는 물론, 저렴한 비용으로 신속하면서도 환경오염의 염려 없이 제조할 수 있도록 한 것이다. 이러한 본 발명은, 비스무스(Bi)를 주성분으로 하는 마이크로 크기의 비스무스계 저융점 유리 분말 전구체를 마련하는 단계와, 유리 분말 전구체를 플라즈마 처리 장치의 반응관 내부로 주입하는 단계와, 반응관 내부로 주입되는 유리 분말 전구체에 직류전원에 의한 열플라즈마를 가하여 유리 분말 전구체를 기화시키는 단계와, 유리 분말 전구체가 기화되어 생성된 기체를 급랭시켜 나노 크기를 갖는 나노 유리 분말을 생성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Abstract:
본 발명은 투광성, 고인성, 경량성을 갖는 기능성 복합체에 관한 것으로, 투광성을 비롯하여, 우수한 인성과 경량성, 쉴드 기능까지 복합적으로 갖추고 있으므로 항공기, 자동차, 철도와 같이 극한 환경에 그대로 노출되는 수송체용 기능성 유리를 대체하는 것을 비롯하여 다양한 구조물과 제품에 적용할 수 있는 것이다. 이러한 본 발명은, 다수의 공극들이 형성된 하층부와; 상기 하층부 상에 형성되고, 선 형상의 단위조직들이 서로 간에 부분적으로 미세틈새를 형성하면서 겹쳐져 이루어진 중층부와; 상기 중층부 상에 형성되고, 판 형상의 단위조직들이 서로 간에 부분적으로 미세틈새를 형성하면서 비늘 형태로 부분 겹층되어 이루어진 상층부를 포함하여 구성된다.
Abstract:
본 발명은 3D 프린팅용 성형소재와 3D 프린팅용 성형방법 및 성형체에 관한 것으로, 불규칙한 형상을 갖는 분말 상태의 비정질 유리를 기반으로 하면서도 우수한 유동성 및 소결성을 확보하여 고품질의 물품을 신속하게 성형하는 것이 가능하도록 한 것으로, 3D 프린팅용 성형소재의 경우, 비정질 유리가 파쇄되어 용융되지 않은 분말 상태로 불규칙 형상(irregular shape)을 갖도록 형성된 모재 유리분말과; 상기 모재 유리분말 평균 입경의 1/50보다 작은 평균 입경을 갖고 상기 모재 유리분말 표면에 위치하도록 혼합되어 3D 프린팅에 의한 성형시 불규칙 형상을 갖는 상기 모재 유리분말의 유동성을 높여주는 구형 나노분말로 이루어진 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본발명은 3D 프린팅용성형소재와 3D 프린팅용성형방법및 성형체에관한것으로, 불규칙한형상을갖는분말상태의비정질유리를기반으로하면서도우수한유동성및 소결성을확보하여고품질의물품을신속하게성형하는것이가능하도록한 것이다. 이러한본 발명중 3D 프린팅용성형소재의경우, 비정질유리가파쇄되어용융되지않은분말상태로불규칙형상(irregular shape)을갖도록형성된모재유리분말과; 상기모재유리분말평균입경의 1/50보다작은평균입경을갖고상기모재유리분말표면에위치하도록혼합되어 3D 프린팅에의한성형시불규칙형상을갖는상기모재유리분말의유동성을높여주는구형나노분말로이루어진것을특징으로한다.
Abstract:
본 발명은 나노 유리 분말의 제조방법 및 제조방법에 관한 것으로, 직류전원에 의한 열플라즈마를 이용함으로써 기존의 납(Pb) 대신 비스무스(Bi)를 성분으로 포함하는 비스무스계 나노 유리 분말을 낮은 소성 온도에서는 물론, 저렴한 비용으로 신속하면서도 환경오염의 염려 없이 제조할 수 있도록 한 것이다. 이러한 본 발명은, 비스무스(Bi)를 주성분으로 하는 마이크로 크기의 비스무스계 저융점 유리 분말 전구체를 마련하는 단계와, 유리 분말 전구체를 플라즈마 처리 장치의 반응관 내부로 주입하는 단계와, 반응관 내부로 주입되는 유리 분말 전구체에 직류전원에 의한 열플라즈마를 가하여 유리 분말 전구체를 기화시키는 단계와, 유리 분말 전구체가 기화되어 생성된 기체를 급랭시켜 나노 크기를 갖는 나노 유리 분말을 생성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Abstract:
PURPOSE: A method for controlling an interface structure between Ag and Si using a lead-free frit for an Ag electrode in a silicon solar cell is provided to control the penetration depth of Ag by controlling the content of Bi2O3 or ZnO within a specific range. CONSTITUTION: An average particle diameter of lead-free glass frit powder is 1 to 10 um. An interface structure between a front electrode and silicon of a solar cell is controlled by controlling the content of Bi2O3 with regard to Ag powder of 100 weights within 10 and 15 weights ranges. The penetration depth of Ag is controlled in the silicon of the solar cell by controlling the content of ZnO with regard to the Ag powder of the 100 weights within 2 to 6 weights ranges. [Reference numerals] ((a)) Thickness of n+emitter layer(about 100nm); ((b)) Thickness of n+emitter layer(about 500nm); (AA) Single crystalline silicon solar cell (efficiency 17-18%); (BB) Polycrystalline silicon solar cell (efficiency 15-16%)
Abstract translation:目的:提供使用硅太阳能电池中的Ag电极的无铅玻璃料来控制Ag和Si之间的界面结构的方法,以通过将Bi 2 O 3或ZnO的含量控制在特定范围内来控制Ag的穿透深度。 构成:无铅玻璃粉的平均粒径为1〜10μm。 通过控制Bi 2 O 3相对于10重量和15重量范围内的100重量的Ag粉末的含量来控制太阳能电池的前电极和硅之间的界面结构。 通过控制在2至6重量范围内的100重量的Ag粉末的ZnO含量来控制Ag的穿透深度在太阳能电池的硅中。 ((a))n +发射极层的厚度(约100nm); ((b))n +发射极层的厚度(约500nm); (AA)单晶硅太阳能电池(效率17-18%); (BB)多晶硅太阳能电池(效率15-16%)
Abstract:
A process for manufacturing glass frits for PDP and a composition for the process are provided to maintain the composition in the materials for glass frits while suppressing foreign matters from being mixed or the glass frits from flowing out during the process for preventing darkening or whitening of final the product. A process for manufacturing glass frits for PDP comprises steps of: preparing cullet from glass raw materials for PDP comprising barium oxide and boron oxide by feeding the barium oxide and the boron oxide into furnace; drying-grinding the cullet; wet-grinding the drying-ground cullet; and drying the wet-ground cullet, wherein the total contents of barium oxide and boron oxide is restricted so that the pH variability in the solvent for wet-grinding step is maintained up to 1. The total contents of barium oxide and boron oxide are at most 10mol%. The raw material for glass is low melting glass composition comprising components selected from PbO-B2O3-SiO, Bi2O3-B2O3-ZnO, B2O3-ZnO-BaO-SiO.
Abstract:
본 발명은 BNT(BaO-Nd 2 O 3 -TiO 2 )계 유전체 세라믹에 BTSA(BaO-TiO 2 -SiO 2 -Al 2 O 3 )계의 유리 프릿(glass frit)을 첨가함에 의해 900℃ 이하의 온도에서 소성 가능한 저온 동시 소성 마이크로파용 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 일반식 x(BaO-TiO 2 -SiO 2 -Al 2 O 3 ) + (1-x)(BaO-Nd 2 O 3 -TiO 2 )로 표현되고, 여기서 x는 중량비로서 0.5~0.6의 값을 가지며, 800~900℃의 온도에서 소성이 가능한 것을 특징으로 한다. 저온 동시 소성 세라믹(LTCC), 유전율, 품질 계수
Abstract:
본 발명은 와류를 이용한 다공체의 함침방법 및 함침장치에 관한 것으로, 나노 단위와 같이 미세한 크기의 공극을 갖는 다공체에 손상을 주지 않으면서도 필요로 하는 물질을 조밀하게 충진하는 것이 가능한 와류를 이용한 다공체의 함침방법 및 함침장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 함침방법의 경우, 상기 함침재에 와류를 발생시켜 상기 와류에 의해 상기 함침재가 상기 다공체를 향하여 유동하도록 하여 상기 다공체에 대한 상기 함침재의 침투를 유도하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Abstract:
PURPOSE: A method and apparatus for manufacturing glass nanopowder of a low melting point are provided to manufacture bismuth-based glass nanopowder without environmental contamination by using thermal plasma from a DC source. CONSTITUTION: A bismuth-based glass powder precursor of a low melting point is prepared(S11). The glass powder precursor is injected into a reaction tube of a plasma processing apparatus(S12). Thermal plasma is applied to the glass powder precursor by a DC source. The glass powder precursor is vaporized(S13). Gas obtained by vaporizing the glass powder precursor is rapidly cooled(S14). [Reference numerals] (S11) Preparing a glass powder precursor; (S12) Injecting the precursor into a reaction tube; (S13) Vaporizing the precursor by thermal plasma; (S14) Rapidly cooling the precursor; (S15) Injecting oxygen gas; (S16) Capturing amorphous nano glass powder;