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公开(公告)号：KR102239478B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020190093528A
申请日：2019-07-31
Applicant: 인하대학교 산학협력단
IPC: H01L31/032 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/032 , H01L31/02167 , H01L31/02366 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명의 목적은 패턴화된 페로브스카이트 층을 형성하는 방법 및 이에 의하여 제조되는 패턴을 포함하는 페로브스카이트 층을 제공하는데 있다. 이를 위하여 본 발명은 기판 상에 고분자로 양각 패턴을 형성하는 단계(단계 1); 화학기상증착법을 이용하여 상기 기판 중 상기 양각 패턴이 형성되지 않은 부분에 선택적으로 페로브스카이트 구조를 위한 제1 전구체를 증착하는 단계(단계 2); 상기 선택적으로 증착된 제1 전구체와 페로브스카이트 구조를 위한 제2 전구체를 반응시켜 패턴화된 페로브스카이트 층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화된 페로브스카이트 층의 형성방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 간단한 공정을 사용하면서도, 높은 선택도로 패터닝을 수행할 수 있어, 고품질의 패턴화된 페로브스카이트 층을 제조할 수 있고, 이에 따라, 이를 사용하는 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 등, 적용분야에서의 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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2.发明授权
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公开(公告)号：KR102239478B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020190093528
申请日：2019-07-31
Applicant: 인하대학교 산학협력단
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/09
Abstract: 본발명의목적은패턴화된페로브스카이트층을형성하는방법및 이에의하여제조되는패턴을포함하는페로브스카이트층을제공하는데있다. 이를위하여본 발명은기판상에고분자로양각패턴을형성하는단계(단계 1); 화학기상증착법을이용하여상기기판중 상기양각패턴이형성되지않은부분에선택적으로페로브스카이트구조를위한제1 전구체를증착하는단계(단계 2); 상기선택적으로증착된제1 전구체와페로브스카이트구조를위한제2 전구체를반응시켜패턴화된페로브스카이트층을형성하는단계(단계 3);를포함하는것을특징으로하는패턴화된페로브스카이트층의형성방법을제공한다. 본발명에따르면, 간단한공정을사용하면서도, 높은선택도로패터닝을수행할수 있어, 고품질의패턴화된페로브스카이트층을제조할수 있고, 이에따라, 이를사용하는태양전지의광전변환효율을향상시킬수 있는등, 적용분야에서의효율을향상시킬수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020210015140A
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：KR1020190093528
申请日：2019-07-31
Applicant: 인하대학교 산학협력단
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/09
Abstract: 본발명의목적은패턴화된페로브스카이트층을형성하는방법및 이에의하여제조되는패턴을포함하는페로브스카이트층을제공하는데있다. 이를위하여본 발명은기판상에고분자로양각패턴을형성하는단계(단계 1); 화학기상증착법을이용하여상기기판중 상기양각패턴이형성되지않은부분에선택적으로페로브스카이트구조를위한제1 전구체를증착하는단계(단계 2); 상기선택적으로증착된제1 전구체와페로브스카이트구조를위한제2 전구체를반응시켜패턴화된페로브스카이트층을형성하는단계(단계 3);를포함하는것을특징으로하는패턴화된페로브스카이트층의형성방법을제공한다. 본발명에따르면, 간단한공정을사용하면서도, 높은선택도로패터닝을수행할수 있어, 고품질의패턴화된페로브스카이트층을제조할수 있고, 이에따라, 이를사용하는태양전지의광전변환효율을향상시킬수 있는등, 적용분야에서의효율을향상시킬수 있는효과가있다.
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