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1.发明授权
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公开(公告)号：KR101598184B1
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020150063894
申请日：2015-05-07
Applicant: 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은그라파이트옥사이드를준비하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서준비된그라파이트옥사이드의두께를조절하여그라파이트옥사이드의광 발광특성을조절하는단계(단계 2);를포함하는그라파이트옥사이드의광 발광특성을조절하는방법을제공한다. 본발명에따른그라파이트옥사이드(graphite oxide)의광 발광특성을조절하는방법은그라파이트옥사이드의층상두께정도를조절하여광 발광특성을조절할수 있는효과가있다. 또한, 상기그라파이트옥사이드의광 발광특성을조절하는방법을수행하여광 발광특성이조절된그라파이트옥사이드는단독으로혹은복합체로발광특성을이용한센서에활용될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种控制石墨氧化物的光致发光性质的方法，包括：制备氧化石墨的步骤（步骤1）; 以及通过调节由步骤1（步骤2）制备的氧化石墨的宽度来控制氧化石墨的光致发光性能的步骤。 根据本发明，用于控制氧化石墨的光致发光性能的方法具有通过调节石墨氧化物的层状宽度来调节光致发光性能的效果。 此外，通过执行用于控制石墨氧化物的光致发光性质的方法调节的具有光致发光性质的石墨氧化物可以应用于使用光致发光性质的传感器作为单独的单元或复合物。
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3.发明授权카본 나이트라이드(Ｃ3Ｎ4)-그래핀 복합체 제조방법 및 이에 의해 제조되는 카본 나이트라이드(Ｃ3Ｎ4)-그래핀 복합체 有权制备碳氮化物 - 石墨烯复合材料的方法和通过相同方法制备的碳氮化物 - 石墨烯复合材料
公开(公告)号：KR101347789B1
公开(公告)日：2014-01-06
申请号：KR1020120058577
申请日：2012-05-31
Applicant: 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 카본 나이트라이드(C
3 N
4 )-그래핀 복합체 제조방법 및 이에 의해 제조되는 카본 나이트라이드(C
3 N
4 )-그래핀 복합체에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 그라파이트 옥사이드를 용매하에서 박리하여 그래핀 옥사이드 분산용액을 제조하는 단계(단계 1); 및 상기 분산용액에 시안아마이드(cyanamide)를 첨가하여 100 ~ 150 ℃에서 환류시키는 단계(단계 2)를 포함하는 카본 나이트라이드(C
3 N
4 )-그래핀 복합체 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 카본 나이트라이드(C
3 N
4 )-그래핀 복합체 제조방법은 그래핀 옥사이드 표면에 결합된 산소를 포함하는 작용기를 효과적으로 환원시킬 뿐만 아니라 종래 알려진 카본 나이트라이드 제조공정보다 상대적으로 저온에서 카본 나이트라이드 구조를 형성시킬 수 있고, 카본 나이트라이드(C
3 N
4 )-그래핀 복합체를 대량으로 수득할 수 있는 장점이 있다.-
4.发明公开카본 나이트라이드(Ｃ3Ｎ4)-그래핀 복합체 제조방법 및 이에 의해 제조되는 카본 나이트라이드(Ｃ3Ｎ4)-그래핀 복합체 有权制备碳氮化物 - 石墨复合材料的方法和由相同方法制备的碳氮化石墨复合材料
公开(公告)号：KR1020130134797A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120058577
申请日：2012-05-31
Applicant: 인하대학교 산학협력단
CPC classification number: C01B32/182 , B01J19/18 , B01J27/26 , C01B32/192
Abstract: The present invention relates to a method of preparing a carbon nitride (C3N4)-graphene composite and the carbon nitride (C3N4)-graphene composite prepared thereby. The present invention provides the method of preparing the carbon nitride-graphene composite comprising: a step (step 1) of manufacturing a graphene oxide dispersion solution by peeling off a graphite oxide in a solvent; and a step (step 2) of adding cyanamide in the dispersion solution and refluxing them at a temperature of 100-150°C. The method of preparing the carbon nitride according to the present invention effectively reduces a functional group containing oxygen bonded to the surface of the graphene oxide, forms a carbon nitride structure at low temperatures as compared to the existing process for preparing the carbon nitride and has advantages such as producing the carbon nitride (C3N4)-graphene composite in large quantities. [Reference numerals] (AA) Example 1;(BB) Example 3;(CC) Comparative example 1
Abstract translation: 本发明涉及一种制备碳氮化物（C 3 N 4） - 内衬烯复合物的方法和由此制备的碳氮化物（C 3 N 4） - 内嵌烯复合物。 本发明提供了制备碳氮化物 - 石墨烯复合材料的方法，包括：通过在溶剂中剥离氧化石墨来制造氧化石墨烯分散液的步骤（步骤1） 和在分散液中加入氰胺并在100-150℃的温度下回流的步骤（步骤2）。 根据本发明的制备氮化碳的方法与现有的制备氮化碳的方法相比，有效地降低了与氧化石墨烯的表面键合的氧的官能团，在低温下形成碳氮化物结构，并具有优点 例如大量生产碳氮化物（C3N4） - 烯烃复合材料。 （标号）（AA）实施例1;（BB）实施例3;（CC）比较例1
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公开(公告)号：KR101620016B1
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140060215
申请日：2014-05-20
Applicant: 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은카본나이트라이드(carbon nitride)를준비하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서준비된카본나이트라이드를산화시키는단계(단계 2);를포함하는카본나이트라이드(CN)의형광특성조절방법을제공한다. 본발명에따른카본나이트라이드(CN)의형광특성조절방법은카본나이트라이드의산화정도를조절하여형광특성을조절할수 있는효과가있다. 또한, 상기형광특성조절방법을수행하여형성된산화된카본나이트라이드는용매에고르게분산시킬수 있기때문에센서등의응용에용이한효과가있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150133889A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：KR1020140060215
申请日：2014-05-20
Applicant: 인하대학교 산학협력단
CPC classification number: C09K11/65 , C01B21/0828 , G01N21/64
Abstract: 본발명은카본나이트라이드(carbon nitride)를준비하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서준비된카본나이트라이드를산화시키는단계(단계 2);를포함하는카본나이트라이드(CN)의형광특성조절방법을제공한다. 본발명에따른카본나이트라이드(CN)의형광특성조절방법은카본나이트라이드의산화정도를조절하여형광특성을조절할수 있는효과가있다. 또한, 상기형광특성조절방법을수행하여형성된산화된카본나이트라이드는용매에고르게분산시킬수 있기때문에센서등의응용에용이한효과가있다.
Abstract translation: 本发明提供一种控制氮化碳（C_3N_4）荧光性能的方法，其包括以下步骤：制备氮化碳（步骤1）; 并氧化由步骤1制备的碳氮化物（步骤2）。 根据本发明的用于控制氮化碳（C_3N_4）的荧光性质的方法控制碳氮化物的氧化程度，从而控制荧光性能。 另外，通过进行荧光特性的控制方法而形成的氧化碳氮化物也可以均匀地分散在溶剂中，从而容易适用于传感器等。
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公开(公告)号：KR101652826B1
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：KR1020100001878
申请日：2010-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L27/101 , H01L27/102 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 본발명은저항성메모리재료막을이용한반도체소자및 그구동방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른반도체소자는, 기판상에적어도하나의메모리셀들을포함하는반도체소자이며, 상기적어도하나의메모리셀들은, 인가되는전압에따라각각저저항상태또는고저항상태로가역적으로스위칭되며, 서로직렬연결된단극가변저항및 양극가변저항을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120012049A
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：KR1020100073919
申请日：2010-07-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L43/08 , G11C13/0004 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A resistive memory device with a minimized upper electrode contact and a manufacturing method thereof are provided to arrange an upper electrode with a sidewall electrode and a sidewall contact part, thereby maximally reducing area touched with a resistance variable material layer. CONSTITUTION: A resistance variable layer(30) is arranged between a lower electrode(20) and an upper electrode(70). The upper electrode is formed along one side surface of a first insulating film. The first insulating film is arranged on one side of the upper part of the resistance variable layer. The upper electrode is comprised of a sidewall contact part(56) and a sidewall electrode(52) arranged on one lateral surface of the first insulating film. The sidewall contact part is arranged on the upper part of the first insulating film in order to be connected to the sidewall electrode.
Abstract translation: 目的：提供具有最小化的上电极接触的电阻式存储器件及其制造方法，以使具有侧壁电极和侧壁接触部分的上电极布置，从而最大限度地减少用电阻可变材料层触摸的面积。 构成：电阻变化层（30）设置在下电极（20）和上电极（70）之间。 上电极沿着第一绝缘膜的一个侧面形成。 第一绝缘膜布置在电阻变化层的上部的一侧。 上电极由布置在第一绝缘膜的一个侧表面上的侧壁接触部分（56）和侧壁电极（52）组成。 侧壁接触部分布置在第一绝缘膜的上部，以便连接到侧壁电极。
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公开(公告)号：KR101316702B1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020110037006
申请日：2011-04-20
Applicant: 하이트진로 주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 식품 등에 동물, 곤충 등이 유입되어 죽은 채로 발견된 경우에 있어서, 상기 동물, 곤충 등이 유입된 날을 계산하는 방법을 제공한다. 본 발명의 방법은 정확성이 높으며, 유입일로부터 오랜 기간이 흐른 후에도 계산이 가능한 이점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020110081623A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001878
申请日：2010-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L27/101 , H01L27/102 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: PURPOSE: A semiconductor devices and a method of driving the same are provided to implement high integration by preventing the interference between nonvolatile memory cells. CONSTITUTION: In a semiconductor devices and a method of driving the same, a unit cell structure(1) comprises electrode layers(M1,M2), a bipolar resistance memory material film(RM1), and a unipolar resistance memory material film(RM2) The bipolar resistance memory material film and the unipolar resistance memory material film are formed between electrode layers which are opposite to each other. The bipolar resistance memory material film and the unipolar resistance memory material film are electrically serially connected. The electrode layers include resistance memory material films which are connected to conductive lines respectively.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其驱动方法，以通过防止非易失性存储单元之间的干扰来实现高集成度。 构成：在半导体器件及其驱动方法中，单元电池结构（1）包括电极层（M1，M2），双极性电阻记忆材料膜（RM1）和单极电阻存储材料膜（RM2） 双极性电阻记忆材料膜和单极电阻记忆材料膜形成在彼此相对的电极层之间。 双极性电阻记忆材料膜和单极性电阻记忆材料膜电连接。 电极层包括分别连接到导线的电阻记忆材料膜。
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