公开(公告)号：KR1020150135583A

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：KR1020140061476

申请日：2014-05-22

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 조창희 ,  백성호 ,  김신애 ,  송보경

IPC: B82B3/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L31/035227 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/56 ,  H01L29/0669

Abstract: 본발명은물결형상반도체나노와이어의제조방법및 이에의해제조된물결형상반도체나노와이어에관한것으로, 더욱상세하게는반도체의패턴을형성한후 식각하며, 식각된반도체기판의측면에고분자코팅을하여다시식각하는공정을반복적으로수행하여최종적으로는물결형상반도체나노와이어를제조하는물결형상반도체나노와이어의제조방법및 이에의해제조된물결형상반도체나노와이어에관한것이다. 본발명에따르면, 반도체기판상에서로이격하여형성되는물결형상의반도체나노와이어를형성하여광대역의파장에대하여공명현상이가능하며, 이러한현상을통해넓은파장의영역에대하여빛의흡수가가능하여물결형상의반도체나노와이어를이용하여태양전지, 광검출기및 나노안테나등에사용할경우, 광대역의파장을흡수할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种波导半导体纳米线的制造方法和由此制造的波浪状半导体纳米线，更具体地说，涉及一种波导半导体纳米线的制造方法，该方法重复地进行形成半​​导体图案，然后对其进行蚀刻的工艺， 并且在蚀刻的半导体衬底的侧面上涂覆聚合物以再次蚀刻该聚合物，以便最终产生波浪形半导体纳米线，以及由此制造的波形半导体纳米线。 根据本发明，通过形成在半导体衬底上彼此间隔开的波形半导体纳米线，可以通过形成宽波长区域中的光的吸收，从而可以通过这样的方式来吸收宽波长区域的波长 现象。 因此，当半导体纳米线用于太阳能电池，光电检测器，纳米天线等时，可以吸收宽带波长。